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    • 83. 发明公开
    • 고체촬상소자 및 그 제조방법
    • 固态成像装置及其制造方法
    • KR1020100039885A
    • 2010-04-16
    • KR1020107003064
    • 2008-09-04
    • 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼
    • 스가와시게토시곤도야스시도미나가히데키
    • H04N5/374H01L27/146
    • H04N5/335H01L27/14603H01L27/14609H01L27/14612H01L27/14645H01L27/14689H04N5/374H04N5/37452H04N5/378
    • Almost in the center of the light-receiving surface of an embedded photodiode (31), a floating diffusion (331) is formed and the gate electrode of a transfer transistor (32) is so disposed as to surround it. The impurity concentration (or depth) in the p-type semiconductor region, n-type semiconductor region or p-type well region of the photodiode (31) is so inclined from the periphery toward the center as to form a potential gradient inclined downward from the periphery toward the center when applying a proper bias voltage to a pn junction. Photoelectric charges generated by receiving light are integrated in the center speedily according to the potential gradient. Since a maximum moving distance from the periphery of the photodiode (31) to the floating diffusion (331) is also short, the photoelectric charge can efficiently be collected even when a period for accumulating the photoelectric charges is short. Thus, detection sensitivity is improved by efficiently utilizing the photoelectric charges generated by the photodiode (31).
    • 几乎在嵌入式光电二极管(31)的受光面的中心,形成浮动扩散(331),并且传输晶体管(32)的栅电极被设置成围绕它。 光电二极管(31)的p型半导体区域,n型半导体区域或p型阱区域中的杂质浓度(或深度)从周边向中心倾斜,形成向下倾斜的电位梯度 当向pn结施加适当的偏置电压时,外围朝向中心。 通过接收光产生的光电荷根据电位梯度快速集成在中心。 由于从光电二极管31的周边到浮动扩散部331的最大移动距离也短,所以即使在积累光电荷的期间短的情况下也能够有效地收集光电荷。 因此,通过有效地利用由光电二极管(31)产生的光电电荷来提高检测灵敏度。
    • 85. 发明授权
    • 탐침위치 제어장치 및 방법
    • 탐침위치제어장치및방법
    • KR100909700B1
    • 2009-07-29
    • KR1020070050792
    • 2007-05-25
    • 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸
    • 아베마사유키오타마사히로스기모토요시아키모리타겐이치오야부노리아키모리타세조오스카쿠스탄스
    • G01B21/30G01N13/10H01J37/00G12B21/00
    • G01Q30/06G01Q70/04
    • 본 발명은, 열 드리프트 등의 영향을 배제하고, 관찰 또는 조작 동안에 시료와 프로브의 상대위치가 열 등에 의하여 변화하는 것을 보정하는 기술을 이용함으로써, 주사형 프로브 현미경(SPM)이나 원자 매니퓰레이터(조작) 장치에 있어서, 보다 정확한 관찰 또는 조작을 가능하게 하는 기술을 제공한다.
      시료표면의 원자레벨의 이미지를 얻기 위하여, 또는, 시료표면의 원자에 대하여 소정의 조작을 행하기 위하여, 본 발명은, 시료표면의 원자와 탐침의 선단 사이의 상호작용을 측정하면서, 탐침과 시료의 상대위치를 제어하는 탐침위치 제어방법에 적용될 수 있다. 본 방법에 있어서, 시료표면에 평행한 두 방향으로 각각 주파수 f
      1 , f
      2 로 탐침과 시료를 상대적으로 진동시키면서, 탐침과 시료를 상대적으로 이동시킨다(스텝 S1a). 한편, 시료표면에 수직인 방향의 상호작용 측정치에 상기 주파수성분 f
      1 , f
      2 가 나타나지 않는 점(특징점)을 검출한다(스텝 S1b). 그 후, 그 측정된 측정치가 유지되도록 탐침과 시료의 상대이동이 제어됨(특징점을 추적함, S1c)으로써, 상기 상대이동의 속도를 검출한다(스텝 S1d). 이어서, 검출된 속도를 이용하여, 상기 상대위치의 제어를 보정한다(스텝 S2).
      탐침, 상대위치, 속도, 특징점, 주파수, 현미경, 원자조작, 드리프트
    • 本发明提供了一种消除热漂移和其他变化的影响并通过使用该技术来改善扫描探针显微镜或原子操纵器的观察或操纵准确度的技术,以校正上述探针相对位置的变化和 样品在观察或操作过程中由于热量或其他因素。 为了在原子水平上获得样品表面的图像或者对样品表面上的原子执行特定操作,本发明可以应用于用于在测量时控制探头和样品的相对位置的探头位置控制方法 样品表面上的目标原子与探针尖端之间的相互作用。 在本方法中,探针和样品的相对位置在探针相对于样品在平行于样品表面的两个方向上以f1和f2的频率(S1a)振荡时发生改变。 同时,检测频率f1和f2从垂直于样品表面的方向上的相互作用的测量值消失的点(或特征点)(S1b)。 然后,控制探头和样品的相对运动,以便保持由此检测到的测量值(即跟踪特征点; S1c),并确定上述相对运动的速度(S1d)。 随后,使用检测到的速度来校正相对位置控制(S2)。