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    • 73. 发明公开
    • 패턴 형성 방법, 레지스트 조성물, 고분자 화합물 및 단량체
    • 绘图工艺,耐腐蚀组合物,聚合物和单体
    • KR1020140122681A
    • 2014-10-20
    • KR1020140042486
    • 2014-04-09
    • 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
    • 하세가와고지사게하시마사요시고바야시도모히로가타야마가즈히로
    • G03F7/004G03F7/039G03F7/038G03F7/20G03F7/32C08F220/24
    • G03F7/038C08F220/24G03F7/0045G03F7/0382G03F7/0392G03F7/0397G03F7/2041G03F7/325G03F7/40
    • 본 발명은, 산의 작용에 의해, 락톤 고리를 형성함으로써, 유기 용제에 대한 용해성이 저하되는 하기 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위 a1을 함유하는 고분자 화합물을 포함하는 레지스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 가열 처리 후에 고에너지선으로 레지스트막을 노광하고, 가열 처리 후에 유기 용제에 의한 현상액을 이용하여 미노광부를 용해시켜, 노광부가 용해되지 않는 네거티브형 패턴을 얻는 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

      (상기 식에서, R
      1 은 H 또는 CH
      3 이고, R
      2 , R
      3 은 H, F 또는 1가 탄화수소기이며, R
      4 는 H 또는 1가 탄화수소기이고, R
      5 , R
      6 은 1가 탄화수소기이며, X
      1 은 2가 탄화수소기이고, k
      1 은 0 또는 1이다)
      본 발명의 레지스트 조성물은, 노광, PEB 후의 유기 용제 현상에 있어서, 높은 용해 콘트라스트를 얻을 수 있어, 미세한 홀 패턴이나 트렌치 패턴을 치수 제어 좋게 또한 고감도로 형성할 수 있게 된다.
    • 本发明的目的是提供一种图案形成方法。 图案形成方法包括在酸的作用下涂覆包含适于形成内酯环的聚合物的抗蚀剂组合物,使得聚合物可降低其在有机溶剂中的溶解度,预烘烤组合物以形成抗蚀剂膜,使抗蚀剂膜曝光 对高能辐射进行烘烤,在有机溶剂型显影剂中曝光曝光的薄膜,形成负图形,其中抗蚀膜的未曝光区域被溶解掉,抗蚀膜的曝光区域不溶解 。 聚合物包含下式(1)的重复单元(a1),其中R1是H或CH3,R2和R3是H,F或一价烃基,R4是H或一价烃基,R5和R6是 一价烃基,X 1为二价烃基,k 1为0或1.关于曝光,PEB和有机溶剂显影,抗蚀剂组合物显示高溶解度对比度,因此可以形成细孔或沟槽图案,同时 允许尺寸调整和高灵敏度。