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71. 发明公开

KR1020050067103A 동적 액체 메니스커스를 이용하여 기판을 처리하기 위한방법 및 시스템 失效
标题翻译：使用动态液体肉豆蔻加工底物的方法和系统
公开(公告)号：KR1020050067103A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020047007313
申请日：2003-09-29
申请人： 램 리서치 코포레이션
发明人： 칼에이.우드스 , 제임스피.가르시아 , 존엠.드라리오스 , 마이클라브킨 , 프레드씨.리데커
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/68
CPC分类号： B08B3/04 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： A system and method of moving a meniscus from a first surface to a second surface includes forming a meniscus between a head and a first surface. The meniscus can be moved from the first surface to an adjacent second surface, the adjacent second surface being parallel to the first surface. The system and method of moving the meniscus can also be used to move the meniscus along an edge of a substrate.
摘要翻译：将弯液面从第一表面移动到第二表面的系统和方法包括在头部和第一表面之间形成弯液面。弯液面可以从第一表面移动到相邻的第二表面，相邻的第二表面平行于第一表面。移动弯液面的系统和方法也可以用于沿着基板的边缘移动弯月面。

72. 发明公开

KR1020050053335A 세정 방법 및 세정 장치 有权
标题翻译：清洁方法，清洁装置和电光设备
公开(公告)号：KR1020050053335A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：KR1020040099842
申请日：2004-12-01
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 호소다도시코 , 요츠야신이치
IPC分类号： H05B33/10
CPC分类号： B08B3/12 , Y10S134/902
摘要： 본 발명은 저분자 유기 EL 장치의 증착 마스크에 부착된 유기물을 용이하게 제거하는 것이 가능한 세정 방법 및 세정 장치를 제공하는 것으로, 저분자 유기 EL 장치의 증착 마스크에 부착된 유기물의 세정 장치(1)로서, 증착 마스크(140)를 피롤리돈 유도체로 처리하는 제 1 스테이지(10)와, 증착 마스크(140)를 물로 헹굼 처리하는 제 2 스테이지(20)와, 증착 마스크(140)를 유수(流水)로 헹굼 처리하는 제 3 스테이지(30)와, 증착 마스크(140)를 에탄올로 처리하는 제 4 스테이지(40)와, 증착 마스크(140)를 건조시키는 제 5 스테이지(50)와, 각 스테이지에 대하여 증착 마스크(140)를 순차적으로 반송하는 반송 수단(5)을 갖는다. 피롤리돈(pyrrolidone)의 유도체로서, N-메틸-2-피롤리돈을 채용하는 것이 바람직하다.

73. 发明公开

KR1020050044443A 침지 처리 시스템에서 한 세트의 반도체 웨이퍼를 핸들링하는 에지 파지장치 및 방법 失效
标题翻译：半导体清洗系统及方法
公开(公告)号：KR1020050044443A
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：KR1020047007273
申请日：2002-11-12
申请人： 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드
发明人： 팀,더블유.헙스트 , 토드,마씨 , 트레이시,에이.개스트 , 토마스,제이.와게너 , 케빈,엘.시퍼링
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67313 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , Y10S134/902
摘要： A microelectronic substrate handling device comprising first and second support structures spaced from each other, the first support structure having a series of upper teeth defining a series of upper notches extending along a length of the first support structure and a series of lower teeth defining a series of lower notches extending along a length of the first support structure, each of the upper and lower notches opening toward the second support structure, wherein the upper and lower notches are offset from each other by a predetermined offset distance so that an edge of a microelectronic device will fit differently within the upper and lower notches of the first support structure when supported between the first and second support structures.
摘要翻译：一种微电子衬底处理装置，包括彼此间隔开的第一和第二支撑结构，所述第一支撑结构具有限定一系列沿所述第一支撑结构的长度延伸的一系列上槽口的一系列上齿，以及限定一系列的一系列下齿下槽口沿着第一支撑结构的长度延伸，每个上槽口和下槽口朝向第二支撑结构开口，其中上下槽口彼此偏移预定的偏移距离，使得微电子的边缘当支撑在第一和第二支撑结构之间时，装置将在第一支撑结构的上部和下部凹口内不同地配合。

74. 发明公开

KR1020050040381A 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법 失效
标题翻译：电子设备基板表面处理装置和表面处理方法
公开(公告)号：KR1020050040381A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075573
申请日：2003-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박기환 , 송종국 , 조모현 , 조성호 , 이선재 , 임평호 , 조동욱
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/67028 , Y10S134/902
摘要： 본 발명에 따른 장치는 피건조 기판의 표면을 처리하기 위한 공정 챔버, 공정 챔버로 건조 증기의 유체 흐름이 가능하도록 커플링된 건조 증기 생성 챔버, 건조 증기 생성 챔버에 커플링되어 상기 건조 증기 생성 챔버로부터 상기 공정 챔버로 상기 건조 증기의 유체 흐름이 일어나도록 하는 캐리어 가스 라인, 상기 공정 챔버로 유체 흐름이 가능하도록 커플링되고 상기 캐리어 가스 라인과 독립적으로 유량이 조절되는 불활성 가스 라인을 포함하여 결함이 발생하지 않는 표면 처리 방법을 실시할 수 있다.

75. 发明授权

KR100487541B1 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들 失效
标题翻译：用于半导体基板清洗/干燥工艺的晶圆导轨
公开(公告)号：KR100487541B1
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020020053755
申请日：2002-09-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이헌정 , 박상오 , 고용균 , 전필권
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67326 , B65D25/103 , H01L21/67057 , Y10S134/902
摘要： 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 이 웨이퍼 가이드는 수평면과 평행한 지지판넬 및 상기 지지판넬의 일면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직판넬들을 구비한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 갖는다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역들은 웨이퍼들을 홀딩하는 슬롯들의 역할을 한다. 상기 슬롯들의 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태의 프로파일(convex shaped profile)을 갖고, 상기 슬롯들의 바닥면들 역시 상기 수직판넬들을 가로지르는 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태의 프로파일을 갖는다. 이에 따라, 상기 웨이퍼들 및 상기 웨이퍼 가이드 사이의 접촉면적을 최소화시키어 상기 웨이퍼들의 건조효율을 향상시킬 수 있다.

76. 发明授权

KR100485977B1 유리 표면으로부터의 란탄족 산화물의 용해법 失效
标题翻译：来自玻璃表面的蓝宝石氧化物溶解
公开(公告)号：KR100485977B1
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020027015119
申请日：2001-05-17
申请人： 에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
发明人： 필팅스루드더글라스호워드
IPC分类号： C03C23/00
CPC分类号： C03C23/0075 , Y10S134/902 , Y10T428/315
摘要： 본 발명은 컴퓨터 디스크 드라이브의 제조 방법 및 그의 생산물에 관한 것이다. 이들의 표면 상에는 잔여 연마 입자의 함량이 낮은 유리 기판이 제공된다. 예시적인 방법으로는, 유리 기판을 질산, 과산화수소 및 카복실산 그룹을 갖는 유기 산을 함유하는 산 욕 속에 침지시킴으로써 잔여 연마 입자의 함량을 감소시킬 수 있다.

77. 发明公开

KR1020050013618A 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR1020050013618A
公开(公告)日：2005-02-04
申请号：KR1020047021052
申请日：2003-06-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이토노리히로 , 가와구치히로아키 , 초우노야스히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , Y10S134/902
摘要： 기판 처리 장치에 설치되는 증기 발생기(40')는 PTFE와 PFA의 혼합물로 이루어지는 중공 원통형 부재(302)와, 이 원통형 부재(302)의 양단에 접속된 1쌍의 측벽판(303)을 갖는 탱크(301)를 갖추고 있다. 측벽판(303)은 알루미늄 합금으로 이루어지며, 그 내면에 PFA 피복이 실시되어 있다. 탱크(301)의 주위는 탱크 내압에 기인하는 탱크의 변형을 방지하기 위한 알루미늄 합금제의 셸(305)에 의해 덮여 있다. 셸(305)의 판형 부재(307)의 외면에는 히터(308)가 부착되어 있다. 셸(305)은 탱크(301)를 구속하여, 원통형 부재(302)와 측벽판(303) 사이의 탄성 시일(304)을 눌러 찌그러뜨려, 원통형 부재(302)와 측벽판(303)을 밀봉 결합시킨다.

78. 发明授权

KR100469133B1 유체스프레이에 의한 세정방법 및 장치 失效
标题翻译：在这里，您可以享受到更加舒适的体验
公开(公告)号：KR100469133B1
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020017015931
申请日：2000-05-16
申请人： 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
发明人： 소노다유즈루 , 야마니시도시유키
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B08B7/02 , B08B3/022 , B08B5/023 , Y10S134/902
摘要： Cleaning fluid is sprayed upwards from under a substantially horizontally-held object to be cleaned for cleaning the underside of the object. At this time, an accelerating fluid accelerates the cleaning fluid to change its spraying direction toward a surface of the object, then the cleaning fluid is sprayed onto the surface to be cleaned.
摘要翻译：清洁流体从基本上水平保持的物体的下方向上喷射以清洁物体的下侧。此时，加速流体加速清洁流体以改变其朝向对象表面的喷射方向，然后将清洁流体喷射到待清洁表面上。

79. 发明授权

KR100468737B1 웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법 有权
标题翻译： 웨이퍼세정시스템，세정프로브및퍼이퍼세정방웨
公开(公告)号：KR100468737B1
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020020034144
申请日：2002-06-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 여인준 , 윤병문 , 김경현 , 조현호 , 하상록 , 남정림
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/12 , Y10S134/902 , Y10S438/906
摘要： Embodiments of the invention include a megasonic energy cleaning apparatus that has the ability to rotate the wafer to be cleaned, as well as rotate the cleaning probe during the cleaning process. Rotating the cleaning probe while the wafer is being cleaned is effective to increase the cleaning action of the apparatus while also minimizing damage to the wafer. Curved grooves, such as a spiral groove, can be etched into the cleaning probe to minimize forming harmful waves that could potentially cause damage to the wafer surface or to structures already made on the surface. Using a cleaning probe having a curved groove while also rotating the cleaning probe effectively cleans particles from a wafer while also limiting damage to the surface of the wafer.
摘要翻译：本发明的实施例包括兆声波能量清洁装置，其具有旋转要清洁的晶片的能力，以及在清洁过程中旋转清洁探针。在晶片被清洁的同时旋转清洁探针有效地增加了设备的清洁作用，同时也最小化了晶片的损坏。诸如螺旋凹槽的弯曲凹槽可以蚀刻到清洁探针中以最小化可能潜在地导致损伤晶片表面或已经在表面上形成的结构的有害波形成。使用具有弯曲凹槽的清洁探针同时还旋转清洁探针有效地清洁晶片上的微粒，同时还限制晶片表面的损坏。

80. 发明授权

KR100467082B1 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법 失效
标题翻译： 반도체소자제조장치및그클리닝방법
公开(公告)号：KR100467082B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020000010304
申请日：2000-03-02
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 신용우 , 황철주
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/00 , C23C16/4405 , H01J37/32082 , Y10S134/902 , Y10S438/905
摘要： An apparatus for fabricating a semiconductor device includes: a reactive chamber having an inlet and an outlet for a gas and being electrically grounded; a susceptor installed in the reactive chamber for mounting a wafer thereon and being electrically insulated with the reactive chamber; and an RF generator for applying an RF electric power to the susceptor. A method for cleaning the apparatus for fabricating a semiconductor device includes the steps of: injecting a plasma forming gas through the gas inlet; and moving the susceptor in the vertical direction of the face of the wafer while applying the RF electric power to the susceptor, to control the position and the density of the plasma. Since the plasma is formed even at the shadow area, such as the lower space of the susceptor within the reactive chamber where plasma could be hardly formed, there is no need to clean separately the lower space of the reactive chamber. Thus, the cleaning process is simplified. In addition, since the density of the plasma can be easily controlled without increase or decrease of the RF electric power by transferring the susceptor 140 vertically, the inside of the reactive chamber 110 can be uniformly and effectively cleaned with the plasma.
摘要翻译：一种用于制造半导体器件的设备包括：反应室，其具有用于气体的入口和出口并被电接地; 安装在反应室中用于在其上安装晶片并与反应室电绝缘的基座; 以及用于将RF电力施加到基座的RF发生器。一种用于清洁用于制造半导体器件的设备的方法包括以下步骤：通过气体入口注入等离子体形成气体; 以及在将RF电力施加到基座的同时在基板的垂直方向上移动基座以控制等离子体的位置和密度。由于等离子体甚至在阴影区域形成，例如在难以形成等离子体的反应室内的基座的下部空间，所以不需要单独清洁反应室的下部空间。因此，清洁过程被简化。另外，由于通过竖直地移动基座140而不增加或减少RF电力，可以容易地控制等离子体的密度，所以可以利用等离子体均匀且有效地清洁反应室110的内部。

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