会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 72. 发明公开
    • 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법
    • 存储器系统及其操作方法
    • KR20180014994A
    • 2018-02-12
    • KR20160098528
    • 2016-08-02
    • G06F3/06
    • G06F3/0659G06F3/061G06F3/0652G06F3/0656G06F3/0679G06F11/1064G06F12/0802G06F2212/222G06F2212/60
    • 본기술은비휘발성메모리장치; 호스트로부터의요청에응답하여상기비휘발성메모리장치의캐시리드동작을제어하기위한캐시리드커맨드및 캐시리드동작이아닌다수의다른동작을제어하기위한다수의다른커맨드를생성하는호스트컨트롤러; 및상기호스트컨트롤러로부터입력되는상기캐시리드커맨드및 상기다수의다른커맨드에응답하여상기비휘발성메모리장치의동작을제어하되, 상기캐시리드커맨드의입력보다하나앞 또는뒤에서입력되는커맨드에대응하는상기비휘발성메모리장치의동작을확인하여상기캐시리드커맨드의하나앞 또는뒤에리드준비커맨드또는리드완료커맨드를추가하는메모리컨트롤러를포함한다.
    • 一种存储器系统包括:非易失性存储器设备; 适用于产生用于控制所述非易失性存储器设备的高速缓存读取操作的高速缓存读取命令的主机控制器和用于响应于所述高速缓存读取操作来控制所述非易失性存储器设备的至少一个其他操作的至少一个其他命令 从主机接收到的请求; 以及存储器控制器,适于响应于从主机控制器输入的高速缓存读取命令和至少一个其他命令来控制非易失性存储器设备的操作。 存储器控制器适于检出与在高速缓存读取命令的输入之后输入的命令对应的非易失性存储器设备的操作,并且接下来添加包括读取准备命令或读取结束命令的读取操作命令 到缓存读取命令。
    • 78. 发明公开
    • 전자 장치
    • 电子设备
    • KR1020160122531A
    • 2016-10-24
    • KR1020150052552
    • 2015-04-14
    • 에스케이하이닉스 주식회사
    • 김유진정성웅
    • G11C11/15G06F9/30G06F12/06
    • H01L27/228G06F3/0604G06F3/0629G06F3/0679G06F12/0802G06F13/4068G06F2212/222G11C11/1659G11C11/1673G11C13/0004G11C13/0007G11C13/003G11C13/004G11C2213/74G11C2213/76G11C2213/79H01L27/224H01L27/2418H01L27/2427H01L27/2436H01L45/00H01L45/04H01L45/1233H01L45/146
    • 반도체메모리를포함하는전자장치가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체메모리를포함하는전자장치는, 선택소자; 상기선택소자의일단과제1 도전플러그를통하여일단이접속하는가변저항소자; 상기가변저항소자의타단과제2 도전플러그를통하여접속하는제1 배선; 상기선택소자의타단과제3 도전플러그를통하여접속하는제2 배선; 및상기제1 도전플러그와상기선택소자의계면, 상기제1 도전플러그의내부, 상기제1 도전플러그와상기가변저항소자의계면, 상기제2 도전플러그와상기가변저항소자의계면, 상기제2 도전플러그의내부, 상기제2 도전플러그와상기제1 배선의계면, 상기제3 도전플러그와상기선택소자의계면, 상기제3 도전플러그의내부, 및상기제3 도전플러그와상기제2 배선의계면중 적어도하나에형성되고, 리드동작시상기가변저항소자의저항상태에따라선택적으로절연체또는도전체로기능하는베리어층을포함할수 있다.
    • 提供了一种包括半导体存储器的电子设备。 根据本发明实施例的包括半导体存储器的电子装置包括:选择装置; 上述选择元件1的一端是一端通过导电插头连接的可变电阻元件; 第一导线,通过第二导电插头连接到可变电阻元件的另一端; 通过第三导电插头连接到选择元件的另一端的第二布线; 第一导电插塞和选择元件之间的界面,第一导电插塞的内部,第一导电插塞和可变电阻元件之间的界面,第二导电栓塞和可变电阻元件之间的界面, 而第二导电插头,第二导电插头,第一导电插头,第一导电插头,第二导电插头,第一导电插头,第二导电插头, 并且在读取操作期间根据可变电阻器元件的电阻状态在至少一个界面上形成并且选择性地用作绝缘体或导体的阻挡层。