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71. 发明公开

KR1020120085067A 태양전지 제조방법 无效
标题翻译：太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR1020120085067A
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020110006471
申请日：2011-01-21
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 권태영 , 곽계영 , 도영구 , 김성진 , 신명준 , 양영성 , 조해종 , 이만 , 최민호 , 정주화
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50 , H01L31/022425 , H01L31/1864 , Y02E10/52
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a solar cell is provided to improve quality of an emitter layer and a silicon semiconductor substrate by efficiently eliminating impurities existing on the silicon semiconductor substrate and the emitter layer. CONSTITUTION: An emitter layer(120) is formed on a semiconductor substrate(110). A reflection preventing layer(130) is formed on the emitter layer. A front electrode(140) is formed by applying a front electrode paste on the reflection preventing layer. A back surface electrode(150) is formed by printing a back surface electrode paste on a back side of the substrate. A back surface electric field layer(160) is formed in a boundary surface of the substrate and the back surface electrode.
摘要翻译：目的：提供一种太阳能电池的制造方法，通过有效地消除存在于硅半导体衬底和发射极层上的杂质来提高发射极层和硅半导体衬底的质量。构成：在半导体衬底（110）上形成发射极层（120）。在发射极层上形成防反射层（130）。通过在反射防止层上施加前电极浆料形成前电极（140）。背面电极（150）通过在基板的背面上印刷背面电极浆料而形成。背面电场层（160）形成在基板和背面电极的边界面上。

72. 发明授权

KR101168589B1 계면 활성제를 이용한 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법 有权
标题翻译：使用表面活性剂的硅太阳能电池的纹理化方法
公开(公告)号：KR101168589B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020080027996
申请日：2008-03-26
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 김성진 , 정지원 , 도영구
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 계면 활성제를 이용한 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법은, 실리콘 기판의 상부를 계면 활성제가 첨가된 알칼리 습식 에천트를 이용하여 습식 식각함으로써 실리콘 기판 상부를 텍스처링하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 태양전지의 텍스처링 공정에서 종래에 알칼리 식각 용액에 첨가되었던 IPA(isopropyl-alcohol)를 배제하고, 계면 활성제를 첨가함으로써, 텍스처링 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 산성 식각 용액을 이용한 텍스처링 방법에 비해 더 낮은 반사율을 얻을 수 있다.
태양전지, 텍스처링, 계면 활성제, 알칼리 습식 에천트

73. 发明授权

KR101155890B1 태양 전지 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101155890B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020090102760
申请日：2009-10-28
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 안준용 , 양영성 , 이성은
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 태양 전지에 관한 것이다. 상기 태양 전지는 제1 도전성 타입의 기판, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 가지고 상기 기판과 pn 접합을 형성하는 에미터부, 상기 에미터부 위에 위치하고 약 5㎚ 내지 약 35㎚의 두께를 갖는 제1 반사 방지막, 상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 제2 반사 방지막, 상기 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극, 그리고 상기 기판에 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함한다. 이로 인해, 제1 반사 방지막의 두께를 얇게 형성하므로, 태양 전지의 제조 시간과 제조 비용이 줄어든다.
태양전지, 반사방지막, 이중막, 실리콘산화질화막, 실리콘질화막, 페시베이션, 부동화

74. 发明授权

KR100997669B1 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硅太阳能电池使用丝网印刷及其制造方法
公开(公告)号：KR100997669B1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：KR1020080108669
申请日：2008-11-04
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 안준용 , 곽계영 , 정주화
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0684 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명에 따른 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지의 제조방법은, (a) 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 기판 상부로 제1도전형과 반대 극성을 갖는 제2도전형의 불순물을 도핑하여 기판 상부에 에미터층을 형성하는 단계; (c) 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 에미터층 상의 전면 전극 접속 지점에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 식각 마스크 패턴을 마스크로 하여 에미터층을 에치-백하는 단계; (e) 상기 에치-백 후 잔류하는 식각 마스크 패턴을 제거하는 단계; (f) 상기 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계; (g) 상기 반사방지막을 관통시켜 상기 전면 전극 형성 지점에 전면 전극을 접속시키는 단계; 및 (h) 상기 기판의 배면에 후면 전극을 접속시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 실리콘 태양 전지는 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체 기판, 상기 기판 상부에 상기 제1도전형과 반대 극성을 갖는 제2도전형의 불순물이 도핑된 에미터층, 상기 기판의 전면에 형성된 반사 방지막,상기 반사 방지막을 관통시켜 상기 에미터층에 접속시킨 전면 전극 및 상기 기판의 배면에 접속시킨 후면 전극을 포함하고, 상기 에미터층은 상기 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제1 에미터층과 상기 제2도전형의 불순물이 저농도로 도핑된 제2 에미터층으로 나뉘고, 상기 제2 에미터층의 면저항(Emitter R
sh )이 100 Ohm/sq 내지 120 Ohm/sq의 범위인 것을 특징으로 한다.
실리콘 태양 전지, 선택적 에미터층, 스크린 인쇄법,에치백

75. 发明公开

KR1020090054733A 태양전지의 제조방법 有权
标题翻译：使用等离子体表面处理制备太阳能电池的方法
公开(公告)号：KR1020090054733A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020070121566
申请日：2007-11-27
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 이성은 , 안준용
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： A method for manufacturing a solar cell using a plasma surface process is provided to remove a dead layer from an emitter layer and a surface defect by processing a front surface and a back surface of the solar cell substrate with the plasma after forming the emitter layer. A solar cell substrate(201) doped with a first conductive type impurity is prepared. The front surface of the solar cell substrate is processed with the plasma for reducing the reflectance of the sunlight. A second conductive type impurity opposite to the first conductive type impurity is implanted to the front surface of the solar cell for forming an emitter layer(202). A dead layer is reduced by processing the front surface of the solar cell substrate with the plasma. A second conductive type impurity implantation layer(207) is removed and the rear surface is planarized when forming the emitter layer in the rear surface by processing the rear surface of the solar cell substrate. A reflection preventing layer is formed in the front surface of the solar cell substrate. A front electrode is contacted with the emitter layer by passing through the reflection preventing layer. A rear electrode is contacted with the rear surface of the solar cell substrate. A BSF(Back Surface Field) is formed in the rear surface in contact with the rear electrode.
摘要翻译：提供了使用等离子体表面处理制造太阳能电池的方法，通过在形成发射极层之后用等离子体处理太阳能电池基板的前表面和后表面，从发射极层和表面缺陷中去除死层。制备掺杂有第一导电类型杂质的太阳能电池基板（201）。用等离子体处理太阳能电池基板的前表面以降低太阳光的反射率。将与第一导电类型杂质相反的第二导电类型杂质注入用于形成发射极层（202）的太阳能电池的正面。通过用等离子体处理太阳能电池基板的前表面来减少死层。通过处理太阳能电池基板的后表面，在后表面形成发射极层时，去除第二导电型杂质注入层（207）并使后表面平坦化。在太阳能电池基板的正面形成防反射层。前电极通过穿过防反射层与发射极层接触。后电极与太阳能电池基板的背面接触。后表面形成有与背面电极接触的BSF（背面场）。

76. 发明公开

KR1020090054732A 태양전지의 제조방법 无效
标题翻译：使用等离子体表面处理制备太阳能电池的方法
公开(公告)号：KR1020090054732A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020070121564
申请日：2007-11-27
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정주화 , 이성은
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要： A method for manufacturing a solar cell is provided to reduce reflectance of the sunlight by processing a front surface and a rear surface of a solar cell substrate with plasma before forming an emitter layer through impurity diffusion. Front and back surfaces of a substrate(201) having a first conductive type are processed with the plasma. An emitter layer(202) having a second conductive type opposite to the first conductive type is formed in the substrate. A first electrode connected to the emitter layer is formed. A second electrode connected to the substrate is formed. The second electrode is separated from the first electrode. A BSF(Back Surface Field) is formed between the substrate and the second rear electrode. The second electrode is connected to the substrate through the BSF.
摘要翻译：提供一种制造太阳能电池的方法，用于通过在通过杂质扩散形成发射极层之前通过用等离子体处理太阳能电池基板的前表面和后表面来降低太阳光的反射率。具有第一导电类型的衬底（201）的前表面和后表面用等离子体处理。在衬底中形成具有与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层（202）。形成连接到发射极层的第一电极。形成与基板连接的第二电极。第二电极与第一电极分离。在基板和第二后电极之间形成BSF（背面场）。第二电极通过BSF连接到基板。

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