专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明公开

KR1020060106971A 나노콤포지트자석용 원료 합금, 그 분말 및 제조방법,그리고 나노콤포지트자석분말 및 자석의 제조방법. 有权
标题翻译：用于纳米复合磁铁的原料合金，用于制备纳米复合磁铁的原料合金粉末，制备原料合金的方法，制备纳米复合磁铁粉末的方法和用于制备纳米复合磁体的方法
公开(公告)号：KR1020060106971A
公开(公告)日：2006-10-13
申请号：KR1019990055644
申请日：1999-12-07
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 사토시히로사와 , 히로카주카네키요 , 야슈타카시게모토
IPC分类号： H01F1/047 , B82Y25/00
CPC分类号： B82Y25/00 , H01F1/0571 , H01F1/0579
摘要： 본 발명은 결정화 반응열을 조금씩, 그것에 의하여 미세하면서도 동시에 균질한 조직을 갖는 자석분말을 재현성이 양호하게 효율적으로 제조하는 데에 적합한 나노콤포지트(nano composite)자석용 원료합금(분말) 및 그 제조 방법을 제공한다.
일반식이 Fe
100-xy R
x B
y , Fe
100-xyz R
x B
y Co
z , Fe
100-xyu R
x B
y M
u 또는 Fe
100-xyz- u R
x B
y Co
z M
u 로 표시되는 나노콤포지트(nano composite)자석용 원료합금이다. R은 Pr 및 Nd의 어느 한쪽 혹은 양쪽의 원소를 90 원자% 이상 함유하고, 나머지는 다른 란탄 계열 원소 혹은 Y의 일종 이상의 원소를 0 % 이상 10 % 미만 함유하는 희토류 원소이고, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, Ga, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Pt, Pb, Au 및 Ag로 되는 군으로부터 선택된 일종 이상의 원소이다. 조성비 x, y, z, 및 u가, 2≤x≤6, 16≤y≤20, 0.2≤z≤7, 0.01≤u≤7을 만족하고, 게다가, X선 회절에 있어서의 브래그반사 피크가 0.179nm±0.005nm의 결정면 간격에 해당하는 위치에 있는 준안정상 Z를 함유하고, 상기 브래그반사 피크의 강도가 할로(halo)패턴의 최고강도의 5% 이상 200% 미만이고, 또한 체심입방형 Fe의 (110) 브래그산란 피크의 강도가 상기 할로패턴의 최고 강도의 5% 미만이다.
나노콤포지트자석

72. 发明授权

KR100607294B1 표면처리방법, 표면처리장치, 증착재료, 및 표면처리된희토류계 영구자석 有权
标题翻译：表面处理工艺，表面处理装置，蒸镀沉积材料和稀土金属基永磁体，表面处理
公开(公告)号：KR100607294B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020000025587
申请日：2000-05-13
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 니시우치다케시 , 도치시타요시미 , 기쿠이후미아키 , 기자와미쓰오
IPC分类号： H01F7/02
CPC分类号： C23C14/223 , C23C14/16 , C23C14/246 , C23C14/505 , H01F41/026 , Y10S428/928 , Y10S428/938 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465 , Y10T428/12778
摘要： 본 발명에 따른 표면처리방법에서는, 증착제어가스가 처리실내의 용융/증발원과 피처리물근방의 영역에 공급되는 상태에서 증착재료를 증발시킴으로써 피처리물의 표면상에 용이하게 산화가능한 증착재료로부터 증착막이 형성된다. 따라서, 증착막은 특별한 장치를 사용하지 않고 또한 높은 진공도를 제공하기 위한 장시간을 요하지 않고 원하는 피처리물의 표면에 안정되게 형성될 수 있다. 부가적으로, 표면처리방법의 사용은, 자석의 고도의 자성을 열화시키지 않고서도, 극히 산화되기 쉬운 희토류계 영구자석에 적용될 수 있다. 본 발명에 따른 표면처리장치는 증착제어 기체를 포함하는 와이어 형상의 증착재료를 용융및 증발하기 위한 용융/증발원과, 증착재료가 퇴적되는 피처리물을 보유하기 위한 부재를 포함한다. 용융/증발원과 피처리물 보유부재는 표면처리실의 처리실내에 놓인다. 또한 이 장치는 증착제어가스를 포함하는 와이어 형상의 증착재료를 용융-증발원으로 공급하기 위한 증착재료 공급수단을 더욱 포함한다.
증착

73. 发明授权

KR100607293B1 내식성 피막을 갖는 Ｆｅ－Ｂ－Ｒ 계 영구자석 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：具有耐腐蚀膜的Fe-B-R基永久磁铁及其制造方法
公开(公告)号：KR100607293B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1019990036546
申请日：1999-08-31
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 니시우치다케시 , 요시무라고시 , 기쿠이후미아키
IPC分类号： H01F7/00
CPC分类号： H01F41/026 , Y10T428/12465 , Y10T428/12611
摘要： Fe-BR 계 영구자석은 사이에 삽입된 금속 피막과 함께 그 표면에 0.01μm 내지 1μm의 두께를 가지는 금속 산화물 피막을 가진다. 그래서, 피막은 자석의 표면에 대한 부착력이 우수하다. 영구자석이 장기간 80℃의 온도 및 90%의 상대습도의 고온 및 고습도하에 견디도록 방치돼도 자석의 자성 특성이 저하될 수 없다. 자석은 -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 장기간 히트사이클을 견디기에 충분한 열충격 저항을 가지며, 안정한 고자성 특성을 나타낸다. 그러므로, 6가 크롬이 없는 내식성 피막을 가지는 Fe-BR 계 영구자석을 제조할 수 있다.

74. 发明授权

KR100587620B1 분말체 프레스장치 및 분말체 프레스방법 有权
标题翻译：粉末压制装置和粉末压制方法
公开(公告)号：KR100587620B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1019990062727
申请日：1999-12-27
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 후꾸시마사다토시 , 노구찌카즈오
IPC分类号： H01F41/14
CPC分类号： H01F41/0266 , B30B15/065
摘要： 분말체 프레스장치는 상부펀치, 하부펀치 및 다이스를 포함한다．상부펀치，하부펀치 및 다이스에 의하여 형성되는 공동 내에 분말체를 충전하여 프레스함으로써 성형체를 얻는다．상부펀치 및 하부펀치의 적어도 어느 한쪽은 성형체에 접촉하며 홈이 형성된 접촉면을 갖는다．상부펀치 또는 하부펀치에 부착된 성형체에 물 의 액체를 분사해도 좋다．그 후，성형체를 그것이 부착되어 있는 상부펀치 또는 하부펀치로부터 떼어낸다．홈은 밀링가공에 의하여 접촉면의 적어도 단부에 형성되고，접촉면의 표면조도는 Ra=0.0.5㎛∼25㎛，분말체의 평균 입자직경은 1㎛ 이하，홈의 간격은 0.1㎜∼2.0㎜이고 깊이는 0.2㎛∼100.0㎛인 것이 바람직하다．

75. 发明授权

KR100547753B1 자석부재의 가공장치 및 가공방법 有权
标题翻译：处理装置和磁铁部件的加工方法
公开(公告)号：KR100547753B1
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1019997011358
申请日：1999-04-02
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 곤도사다히코
IPC分类号： B24B7/17
CPC分类号： B24B41/005 , B24B7/17 , B24B7/22
摘要： 연마될 자석부재를 한 방향으로 안내하기 위한 반송로와; 상기 자석부재를 상기 반송로로 연속적으로 보내기 위하여 반송방향으로 다수개의 자석부재를 밀기 위한 반송수단과; 상기 반송된 자석부재의 대향면을 연마하기 위하여 상기 반송로를 사이에 두도록 배치된 한쌍의 연마수단 및; 상기 반송방향의 반대방향으로 상기 자석부재를 밀어내기 위하여 상기 연마수단의 하류쪽에 배치된 밀어내기 수단을 포함하여 구성되는 자석부재의 가공장치.
이러한 구성으로, 우수한 생산성으로 자석부재를 소정의 형상으로 가공하는 것이 가능하다.
摘要翻译：传送路径，用于引导所述磁体构件在一个方向上被抛光; 传送装置，用于沿传送方向推动多个磁性构件，以连续地将磁性构件传送到传送路径; 一对抛光装置，其设置成夹住输送路径以抛光所输送的磁体构件的相对表面; 设置在研磨装置下游的推动装置用于沿与输送方向相反的方向推动磁体构件。

76. 发明授权

KR100535946B1 철기재 희토류자석 원료합금의 제조방법 有权
标题翻译：铁基稀土磁体材料合金的制备方法
公开(公告)号：KR100535946B1
公开(公告)日：2005-12-12
申请号：KR1020037007624
申请日：2002-02-04
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 카네키요히로가쯔 , 히로사와사토시
IPC分类号： H01F1/053 , B82Y25/00
CPC分类号： B82Y25/00 , B22D11/0611 , C22C1/0441 , C22C38/002 , C22C38/005 , H01F1/0571 , H01F1/0578 , H01F1/0579 , H01F1/058
摘要： A melt of an iron-based rare earth material alloy, represented by (Fe1-mTm)100-x-y-zQxRyMz, is prepared. T is Co and/or Ni; Q is B and/or C; R is selected from Y (yttrium) and the rare earth elements; M is selected from Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn, Ga, Zr, Nb, Mo, Ag, Hf, Ta, W, Pt, Au and Pb; 10

77. 发明授权

KR100535944B1 애트마이즈법에 의한 나노컴포지트 자석의 제조방법 有权
标题翻译：使用原子化方法生产纳米复合磁体的方法
公开(公告)号：KR100535944B1
公开(公告)日：2005-12-12
申请号：KR1020037003240
申请日：2002-07-19
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 미요시토시오 , 카네키요히로가쯔 , 히로사와사토시
IPC分类号： H01F1/053 , B82Y25/00
CPC分类号： B82Y25/00 , B22F9/007 , B22F9/008 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/12 , C22C38/14 , H01F1/0574 , H01F1/0579 , H01F1/058 , H01L2924/0002 , B22F1/0044 , B22F9/08 , H01L2924/00013 , H01L2224/13099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 조성식이 (Fe
1-m T
m )
100-xyz Q
x R
y Ti
z M
n 로 표현되는 합금의 용탕을 애트마이즈법에 의하여 급랭하는 것에 의하여, 희토류합금의 분말을 제조한다. 여기서 T는 Co 및 Ni로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 원소, Q는 B 및 C로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소, R은 희토류금속원소 및 이트륨으로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소, M은 Nb, Zr, Mo, Ta, 및 Hf로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이다. 또한 조성비율 x, y, z, m 및 n이, 각각, 10〈x≤25원자%, 6≤y〈10원자%, 0.1≤z≤12원자%, 0≤m≤0.5 그리고 0≤n≤10원자%를 만족한다. Ti을 합금에 첨가하는 것에 의하여, 급랭과정 중에서 α-Fe상이 석출 성장되는 것을 억제할 수 있다.

78. 发明授权

KR100398939B1 열전 변환 재료 有权
标题翻译： 열전변환재료
公开(公告)号：KR100398939B1
公开(公告)日：2003-10-10
申请号：KR1020007004420
申请日：1998-08-05
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 야마시타오사무 , 사다토미노부히로 , 사이고추네카주
IPC分类号： H01L35/14
CPC分类号： H01L35/22 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A novel silicon-base thermoelectric transducing material containing a P- or N-type semiconductor obtained by adding various impurities to Si, which is produced with good productivity at low cost and has a stable quality and a high performance index. Generally when various elements are added to Si, the Seebeck coefficient of the material decreases with the carrier concentration until the carrier concentration exceeds 10 M/m , and a minimum value of the Seebeck coefficient is in a range from 10 to 10 M/m . The material of the invention is a P- or N-type semiconductor having a carrier concentration of 10 to 10 M/m and containing Si and 0.001 to 0.5 atomic % of one or more elements of Be, Mg, Ca, Sr, Ba Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, and Tl, or one or more elements of N, P, As, Sb, Bi, O, S, Se, and Te, and another material is a P- or N-type semiconductor having a carrier concentration of 10 to 10 M/m and containing Si and 0.5 to 10 atomic % of one or more of the elements.
摘要翻译：一种新型的硅基热电转换材料，其含有通过向硅中添加各种杂质而获得的P-或N-型半导体，其以低成本以良好生产率生产且具有稳定的品质和高性能指数。通常当将各种元素加入到Si中时，材料的塞贝克系数随着载流子浓度而降低，直到载流子浓度超过10 18。 M / m 3，并且塞贝克系数的最小值在10 18至100的范围内。至10 19。 M / M＆LT; 3。本发明的材料是载流子浓度为10 17的P-或N-型半导体。至10 20。 M / M＆LT 3的密度; 并含有Si和0.001〜0.5原子％的Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Hg，B，Al，Ga，In和Tl中的一种或多种元素或N，P ，As，Sb，Bi，O，S，Se和Te，并且另一种材料是载流子浓度为10 19的P-或N-型半导体。至10 21。 M / M＆LT 3的密度; 并含有Si和0.5-10原子％的一种或多种元素。＆lt;图像＆GT;

79. 发明公开

KR1020030070925A 영구자석의 제조방법 및 프레스장치 无效
标题翻译：制造永久磁铁和压力装置的方法
公开(公告)号：KR1020030070925A
公开(公告)日：2003-09-02
申请号：KR1020037010178
申请日：2002-12-02
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 미노슈지 , 나카모토노보루 , 하라다츠토무
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： B22F3/02 , B22F2999/00 , H01F41/0273 , B22F3/004 , B22F2202/05
摘要： 본 발명은 잔류자화에 의한 문제를 회피하고, 저코스트로 이방성 본드자석을 제조하고자 한다.
프레스장치의 캐비티 내에 자성분말(HDDR분말)을 공급하고, 성형하는 이방성 본드자석을 제조할 수 있다. 정상적으로 자화된 상태에 있는 자성부재를 이용하여, 캐비티를 포함하는 공간에 정자계로 되는 약자계를 형성하고, 자성분말을 약자계의 방향에 평행한 방향으로 배향시키면서 자성분말을 캐비티의 내부로 이동시킨다. 다음에 캐비티 내에서 자성분말을 압축하고, 성형체를 제조한다.

80. 发明授权

KR100371786B1 고내식성 Ｒ-Ｆｅ-Ｂ계 본드 자석의 제조 방법 有权
标题翻译： 고내식성R-Fe-B계드자석의제조방법
公开(公告)号：KR100371786B1
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：KR1020007004639
申请日：1998-10-19
申请人： 가부시키가이샤 네오맥스
发明人： 요시무라고시 , 기쿠이후미아키 , 니시우치다케시
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： B24B31/14 , H01F41/026
摘要： A method of manufacturing R-Fe-B bonded magnets, capable of forming various corrosion resisting films on a R-Fe-B bonded magnet uniformly with a very high bonded strength so as to attain such a very high corrosion resistance thereof that prevents the bonded magnet from being rusted even in a long-period high-temperature high-humidity test; comprising barrel-polishing a porous R-Fe-B bonded magnet by a dry method using as media an abrasive stone formed by sintering inorganic powder of Al2O3, SiC, ZrO and MgO, or a mixture of an abrasive for metal balls and vegetable media, such as vegetable skin chips, sawdust, rind of a fruit and a core of corn, or a mixture of vegetable media the surfaces of which are modified by the above-mentioned abrasive and the above-mentioned inorganic pulverized bodies, so as to enable a surface of the magnet to be smoothed and sealed; or immersing a magnet material in a neutral or alkali bath so as to enable a layer of electroless plating to be formed thereon; or subjecting a magnet material to electrolytic plating so as to enable a film of markedly high bonded strength and dimensional accuracy to be formed thereon, whereby an object R-Fe-B bonded magnet of a high dimensional accuracy and a high corrosion resistance is obtained.
摘要翻译：一种制造R-Fe-B粘结磁体的方法，该方法能够在R-Fe-B粘结磁体上以非常高的粘结强度均匀地形成各种耐腐蚀膜，从而获得非常高的耐腐蚀性，从而防止粘结即使在长时间的高温高湿试验中也不会生锈; 该方法包括使用通过烧结Al2O3，SiC，ZrO和MgO的无机粉末或者用于金属球和植物介质的磨料的混合物形成的磨石作为介质，通过干法对多孔R-Fe-B粘结磁体进行滚筒抛光，例如蔬菜皮屑，木屑，水果皮和玉米芯，或其表面被上述磨料和上述无机粉碎体改性的植物培养基的混合物，以使得平滑和密封磁体的表面; 或将磁性材料浸入中性或碱性浴中以便在其上形成无电镀层; 或者对磁体材料进行电解电镀，以便能够在其上形成具有明显高的结合强度和尺寸精度的膜，从而获得高尺寸精度和高耐腐蚀性的目标R-Fe-B粘结磁体。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式