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61. 发明授权

KR102327013B1 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102327013B1
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：KR1020170033721
申请日：2017-03-17
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 기판처리방법에관한기술이다. 본실시예의기판처리방법은, 반응기내부를제 1 온도에서클리닝하는단계, 상기반응기내부를제 1 온도보다높은제 2 온도까지승온하는승온단계, 상기제 2 온도에서상기반응기내부에시즈닝박막을증착하는시즈닝단계, 및상기반응기내부에서메인공정을진행하는단계를포함한다. 이때, 상기승온단계중 상기반응기내부의불순물을제거하기위해, 상기반응기내부에플라즈마를인가하여처리하는플라즈마트리트먼트단계를포함한다.

62. 发明授权

KR102327416B1 플라즈마 식각 방법 有权
公开(公告)号：KR102327416B1
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：KR1020190101473
申请日：2019-08-20
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , C09K19/00 , C09K13/00
摘要： 본발명의플라즈마식각방법은식각대상이배치된플라즈마챔버에증기화된하기화학식 1의또는화학식 2 중에서선택된어느하나의분자구조를갖는증기및 아르곤가스를포함하는혼합가스를제공하는제1 단계; 및상기혼합가스로부터생성된플라즈마를이용하여상기식각대상을식각하는제2 단계를포함한다. JPEG112019085129874-pat00007.jpg4343 JPEG112019085129874-pat00008.jpg2866

63. 发明授权

KR102323320B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102323320B1
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：KR1020150066823
申请日：2015-05-13
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
摘要： 본발명은기판처리장치및 방법에관한것으로, 보다상세하게는플라즈마를이용한기판처리장치및 방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는내부에공간을가지는챔버, 상기공간에서기판을지지하는지지유닛, 상기공간으로공정가스를공급하는가스공급유닛및 상기챔버의측벽에제공되는온도조절유닛을포함한다.

64. 发明授权

KR102323250B1 반도체 발광소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102323250B1
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：KR1020150073728
申请日：2015-05-27
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/22 , H01L21/3065
摘要： 본발명은기판상에제1 도전형반도체층, 활성층, 제2 도전형반도체층을구비하는발광구조물을적층하는단계; 상기제1 및제2 도전형반도체층에각각제1 전극및 제2 전극을형성하는단계; 상기제1 및제2 전극을덮으며, 상기제1 및제2 전극을각각부분적으로노출시키는제1 및제2 개구를갖는절연층을형성하는단계; 및상기절연층및 상기제1 및제2 개구를통해노출된제1 및제2 전극의표면을플라즈마처리하여, 상기절연층의표면에요철을형성하고, 상기제1 및제2 전극의표면에산소결핍층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자제조방법을제공한다.

65. 发明授权

KR102322247B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102322247B1
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：KR1020140194757
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판처리장치에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는, 플라즈마를이용하여공정을처리하는공정챔버, 상기공정챔버내부에위치하며, 기판을지지하는지지유닛, 상기공정챔버내부로공정가스를공급하는가스공급유닛, 그리고상기공정챔버내부에공급된상기공정가스를여기시키는플라즈마생성유닛을포함하되, 상기지지유닛은, 상기지지유닛의상면으로가스를분사하여상기지지유닛을세정하는세정유닛을포함하되, 상기세정유닛은, 가스공급부, 상기가스공급부에서상기지지유닛으로상기가스를공급하는가스공급라인부, 상기가스공급부및 상기가스공급라인부를제어하는제어기를포함할수 있다.

66. 发明公开

KR1020210131928A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210131928A
公开(公告)日：2021-11-03
申请号：KR1020210139103
申请日：2021-10-19
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/28
摘要： 본발명은, 반도체장치를제조하기위해서기판상에형성된막의대미지를억제하는것이다. 층간절연막으로서다공질의 SiCHO막인저유전율막(20)에대하여, 플라스마처리를행해서비아홀(201) 및트렌치(202)를형성하기전에, 사전에저유전율막(20)의구멍부(21) 내에폴리요소를매립해서보호층을형성해둔다. 또한, 보호층상(저유전율막(20))에, 도중의고온프로세스에대하여당해보호층의내열성을향상시키기위해서밀봉막(60)을형성해둔다. 저유전율막(20)에플라스마처리를행했을때, 보호층의존재에의해저유전율막(20)의대미지를억제할수 있다. 보호층은그 후예를들어 250℃에서해중합되어제거된다. 보호층의다른적용예로서는, 메모리소자의전극형성시의오버에칭에의한대미지의방지를위해서, 보호층을이용하는예를들 수있다.

67. 发明授权

KR102316179B1 기판 처리 방법 및 기억 매체 有权
公开(公告)号：KR102316179B1
公开(公告)日：2021-10-25
申请号：KR1020197028046
申请日：2018-03-19
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02
摘要： [과제] 웨이퍼에형성된 SiGe층을, Si층, SiO2층및 SiN층중의적어도 1종에대하여선택적으로에칭하는데 있어서, 에칭양을고르게하는기술을제공하는것. [해결수단] 교대로적층된 SiGe층(100)과 Si층(101)이오목부(103) 내에노출된웨이퍼 W에있어서 SiGe층(100)을사이드에칭에의하여에칭하는데 있어서, 웨이퍼 W에 ClF3 가스와 HF 가스를동시에공급하고있다. 그때문에각 SiGe층(100)의에칭속도가균일해져각 SiGe층(100)의에칭양을고르게할 수있다.

68. 发明授权

KR102316425B1 픽셀화된 캐패시턴스 제어형 ESC 有权
公开(公告)号：KR102316425B1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：KR1020177013645
申请日：2015-02-09
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/285 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/265
摘要： 본원에서설명되는구현예들은, 정전척과그 위에배치된기판간의 RF 커플링(coupling)의측방향(lateral) 및방위각방향(azimuthal) 모두에서의튜닝(tuning)을가능하게하는픽셀화된(pixelated) 정전척을제공한다. 일실시예에서, 픽셀화된정전척(ESC)은, 상부에기판을수용하도록(accept) 구성된워크피스지지표면을갖는유전체본체(dielectric body), 픽셀화된 ESC 내에배치되는하나또는그 초과의척킹전극들, 및복수의픽셀전극(pixel electrode)들을포함할수 있다. 복수의픽셀전극들은플로팅상태(floating state)와접지상태(grounded state) 사이에서스위칭가능하며, 픽셀전극들은, 접지또는접지와플로팅상태모두에대해가변캐패시턴스(variable capacitance)를갖는다. 픽셀전극들및 척킹전극들은, 워크피스지지표면에기판을정전기적으로척킹하도록동작가능한회로를형성한다.

69. 发明授权

KR102311907B1 전극의 산화막 제거 및 전극의 식각을 위한 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102311907B1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：KR1020180169064
申请日：2018-12-26
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01L21/768
摘要： 본발명은플라즈마및 가스를이용한전극의산화막제거및 전극의식각을위한처리방법에관한것으로, 더욱구체적으로채널이형성된전극에서전극상에형성된산화막을제거하는단계; 및상기산화막이제거된전극에식각공정을수행하는단계;를포함하는전극의산화막제거및 전극의식각을위한처리방법에관한것이다.

70. 发明公开

KR1020210124143A 플라즈마 처리 장치 및 제어 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210124143A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：KR1020210131573
申请日：2021-10-05
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 본발명은, 피처리체의에칭형상의정밀도를향상시키는것을목적으로한다. 처리용기와, 상기처리용기내에서피처리체를배치하는전극과, 상기처리용기내에플라즈마를공급하는플라즈마생성원과, 상기전극에바이어스파워를공급하는바이어스전원과, 상기피처리체의둘레부에배치되는에지링과, 상기에지링에직류전압을공급하는직류전원과, 상기직류전압이, 제1 전압치를갖는제1 상태와, 상기제1 전압치보다높은제2 전압치를갖는제2 상태를주기적으로반복하고, 상기전극의전위의각 주기내의부분기간에상기제1 전압치를인가하며, 상기제1 상태와상기제2 상태가연속하도록상기제2 전압치를인가하는제1 제어절차를포함하는프로그램을갖는기억매체와, 상기기억매체의프로그램을실행하는제어부를갖는플라즈마처리장치가제공된다.

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