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61. 发明公开

KR1020170068719A 반도체장치 및 반도체시스템 审中-实审
标题翻译：半导体器件和半导体系统
公开(公告)号：KR1020170068719A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020150175454
申请日：2015-12-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 현상아 , 황정태
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/10 , G11C7/22 , G11C8/12 , G11C29/00
CPC分类号： G11C11/4094 , G11C7/1045 , G11C7/12 , G11C11/406 , G11C11/4076 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/14 , G11C29/18 , G11C29/46
摘要： 반도체시스템은커맨드, 테스트어드레스, 어드레스및 프리차지신호를출력하는제1 반도체장치; 및상기커맨드의조합에따라리드동작또는라이트동작이후오토프리차지동작에진입하고, 상기테스트어드레스및 상기프리차지신호에응답하여상기어드레스에의해다수의뱅크중 선택된뱅크의프리차지동작을수행하는제2 반도체장치를포함한다.
摘要翻译：半导体系统包括用于输出命令，测试地址，地址和预充电信号的第一半导体器件; 和进入的读取操作或根据命令的组合的自动预充电操作之后的写操作，以及测试地址和预充电信号的响应由地址来执行所述多个银行中的所述选定组的一个预充电操作 2半导体器件。

62. 发明授权

KR101746701B1 저항성 메모리에서의 비트 결함의 실시간 정정 有权
标题翻译：实时修正电阻式存储器中的位缺陷
公开(公告)号：KR101746701B1
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020167020441
申请日：2014-12-12
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 김,태현 , 김,성렬 , 김,정필
IPC分类号： G11C29/00 , G11C11/16 , G06F11/10 , H03M13/05
CPC分类号： G06F11/0766 , G06F11/1008 , G11C29/808 , G11C29/814 , G11C2029/0411 , H03M13/05
摘要： 저항성메모리디바이스에서비트결함들을정정하기위한시스템들및 방법들은메모리디바이스를제 1 메모리뱅크및 제 2 메모리뱅크로분할하는것을포함한다. 제 1 SBR(single bit repair) 어레이는제 2 메모리뱅크에저장되고, 제 1 SBR 어레이는제 1 메모리뱅크의제 1 행에서의제 1 결함비트에서의결함의제 1 표시를저장하도록구성된다. 제 1 메모리뱅크및 제 1 SBR 어레이는메모리액세스동작동안병렬로액세스되도록구성된다. 유사하게, 제 1 메모리뱅크에저장된제 2 SBR 어레이는제 2 메모리뱅크에비트들의결함들의표시들을저장할수 있고, 제 2 SBR 어레이및 제 2 메모리뱅크는병렬로액세스될수 있다. 따라서, 제 1 및제 2 메모리뱅크들에서의비트결함들은실시간으로정정될수 있다.
摘要翻译：用于纠正电阻式存储器装置中的位缺陷的系统和方法包括将存储器装置分成第一存储体和第二存储体。第一单个位修复（SBR）阵列被存储在第二存储体中，并且第一SBR阵列被配置为在第一存储体的第一行中的第一有缺陷位中存储缺陷的第一指示。第一存储体和第一SBR阵列被配置为在存储器访问操作期间并行访问。类似地，存储在第一存储体中的第二SBR阵列可以存储第二存储体中的比特缺陷的指示，并且可以并行访问第二SBR阵列和第二存储体。因此，可以实时校正第一和第二存储体中的位缺陷。

63. 发明授权

KR101732238B1 감지 증폭기를 위한 트리밍 가능한 레퍼런스 발생기 有权
标题翻译：用于读出放大器的可调参考发生器
公开(公告)号：KR101732238B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020147030479
申请日：2013-03-15
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
发明人： 조우야오 , 치안샤오조우 , 유에카이만 , 린광밍
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/14 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/026 , G11C29/028
摘要： 감지증폭기에서사용하기위한트리밍가능한전류레퍼런스발생기(trimmable current reference generator)가개시된다.
摘要翻译：用于读出放大器的可调整电流基准发生器打开。

64. 发明公开

KR1020170051843A 호스트 장치가 스토리지 장치를 제어하는 방법 및 호스트 장치와 스토리지 장치를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：一种用于主机设备控制存储设备和包括主机设备和存储设备的存储器系统的方法
公开(公告)号：KR1020170051843A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153278
申请日：2015-11-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김철민 , 이지용
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/34 , G11C16/04 , G11C29/00
CPC分类号： G11C16/32 , G06F3/0611 , G06F3/0653 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/3431
摘要： 본발명의실시예에따른호스트장치가스토리지장치를제어하는방법은호스트장치가스토리지장치를제어하여선택된메모리영역들에읽기데이터단위의읽기동작을수행하는단계, 호스트장치가스토리지장치에서수행된상기읽기동작에대응된읽기레이턴시를읽기레이턴시테이블로저장하는단계, 읽기레이턴시테이블로저장된읽기레이턴시를기반으로레이턴시변화량이문턱값을초과하는지여부를판단하는단계및 레이턴시변화량이문턱값을초과하는경우, 호스트장치가리텐션커맨드를통해스토리지장치에데이터리텐션동작(Data retention operation)을요청하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的用于控制主机装置中的存储装置的方法包括以下步骤：主机装置控制存储装置以所选存储区中的读取数据为单位执行读取操作; 将对应于读取操作的读取等待时间存储在读取等待时间表中;基于存储在读取等待时间表中的读取等待时间确定等待时间改变量是否超过阈值;以及如果等待时间改变量超过阈值，并通过主机设备的位置命令向存储设备请求数据保留操作。

65. 发明公开

KR1020170040839A 반도체장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170040839A
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020150139723
申请日：2015-10-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김민창 , 김창현 , 이도윤 , 이재진 , 정헌삼
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/00 , G11C7/10
CPC分类号： G11C29/1201 , G11C7/106 , G11C7/1063 , G11C7/1087 , G11C7/109
摘要： 반도체장치는제1 동작구간동안제1 패드로입력된테스트데이터를입력받아메모리셀어레이에저장되는셀입력데이터를생성하기위한제1 입력제어데이터를생성하는제1 데이터입력부및 상기제2 동작구간동안상기메모리셀어레이에서출력되는셀출력데이터로부터생성된제1 출력제어데이터를입력받아제2 패드로출력하는제1 데이터출력부를포함한다.
摘要翻译：该半导体器件包括：第一数据输入单元，用于在第一操作时段期间接收输入到第一焊盘的测试数据，并且生成用于生成存储在存储器单元阵列中的单元输入数据的第一输入控制数据; 以及第一数据输出单元，用于接收从存储单元阵列输出的单元输出数据产生的第一输出控制数据，并将第一输出控制数据输出到第二焊盘。

66. 发明授权

KR101727349B1 비휘발성 메모리 및 오류들을 관리하기 위한 가속화된 기입후 판독을 사용한 방법 有权
标题翻译：使用加速写入读取来管理非易失性内存和错误
公开(公告)号：KR101727349B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020127012746
申请日：2010-10-22
申请人： 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 첸,지안 , 가벤스,리엠.
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10 , G11C11/56 , G11C29/00
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C29/00 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641
摘要： 비휘발성메모리에서데이터오류들은사용에따라그리고셀당저장되는고밀도의비트들에따라불가피하게증가한다. 메모리는적은오류로동작하지만저밀도저장의제 1 부분, 및고밀도이지만덜 확실한저장을갖고동작하는제 2 부분을갖게구성된다. 오류관리는제 2 부분에카피한후에카피를판독하고체크하는것을제공한다. 카피가과잉의오류비트들을갖는다면, 제 2 또는제 1 부분에다른위치에서반복된다. 카피의판독및 체크는이의샘플만을판독함으로써가속화된다. 샘플은이의자신의 ECC를가지며샘플링된카피중에서최악의오류율을나타내는것으로추정된카피의부분에서선택된다. 일실시예는그룹의각각의복수-비트메모리셀의한 비트로부터취해진샘플을갖는다.
摘要翻译：在非易失性存储器中，数据错误不可避免地随使用情况和每单元存储高密度位而增加。存储器以较少的错误操作，但被配置为具有低密度存储的第一部分和以高密度但较少确定的存储操作的第二部分。故障管理提供了在复制到第二部分之后读取和检查副本的能力。如果副本具有过量的错误位，则在不同位置的第二或第一部分重复该副本。通过只读取这些样本，可以加速读取和检查副本。样本具有其自己的ECC，并且从被估计为表示样本副本中最差错误率的拷贝部分中选择。一个实施例具有取自该组的每个多位存储器单元的一位的采样。

67. 发明公开

KR1020170031758A 역방향 메모리 스페어링을 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于反向存储器节省的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170031758A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020177004333
申请日：2015-09-10
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 황,조지,에이치. , 다스,데발리나 , 모리스,브라이언,에스. , 아가왈,라자트
IPC分类号： G06F11/07 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/883 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F11/0793 , G06F11/1666 , G06F11/2094
摘要： 순방향및 역방향메모리스페어링동작을수행하는장치및 방법이설명된다. 예를들어, 프로세서의일 실시예는메모리고장을검출하는것에응답하여제1 그래뉼래리티레벨에서제1 순방향메모리스페어링동작을수행하는메모리스페어링로직; 제2 그래뉼래리티레벨을갖는개선된스페어링상태의결정에응답하여역방향메모리스페어링동작을수행하는메모리스페어링로직; 및제2 그래뉼래리티레벨에서제2 순방향메모리스페어링동작을응답적으로수행하는메모리스페어링로직을포함한다.
摘要翻译：描述了用于执行正向和反向存储器配对操作的装置和方法。例如，处理器的一个实施例可以包括存储器配对逻辑，其响应于检测到存储器故障而以第一粒度级执行第一前向存储器配对操作; 存储器配对逻辑，其响应于确定具有第二粒度级的改进的备用状态而执行反向存储器配对操作; 以及响应于在第二粒度级执行第二前向存储器配对操作的存储器配对逻辑。

68. 发明公开

KR1020170030215A 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：存储设备
公开(公告)号：KR1020170030215A
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020150127476
申请日：2015-09-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박민수 , 김재일
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/00 , G11C11/406 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/4091 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/18 , G11C29/50012 , G11C29/50016 , G11C2029/0409 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2029/4402 , G11C2029/5002
摘要： 메모리장치는다수의메모리셀; 어드레스저장회로; 리프레시어드레스를생성하는리프레시카운터; 검출구간에서리프레시커맨드에응답하여상기다수의메모리셀 중선택된메모리셀들의페일을검출하는페일검출부; 및상기리프레시커맨드에응답하여상기메모리셀들중 상기리프레시어드레스또는상기어드레스저장회로의어드레스에대응하는메모리셀들이리프레시되도록제어하되, 상기페일검출을수행하는경우상기리프레시가수행되지않도록제어하는리프레시제어부를포함할수 있다.
摘要翻译：存储器件包括多个存储单元; 地址存储电路; 刷新计数器，用于生成刷新地址; 失效检测单元，用于响应于检测时段中的刷新命令来检测所述多个存储器单元中的选定存储器单元的故障; 和用于进行控制使得以使得存储器单元被刷新的单元相对应的存储器的地址，其中，所述刷新地址或响应于刷新命令的地址存储电路，进行故障检测的刷新不如果进行，但控制的刷新控制器在可以包含。

69. 发明公开

KR1020170020851A 물리 대 물리 주소 재매핑을 갖는 비휘발성 저장 메모리 모듈 审中-实审
标题翻译：具有物理地址重新映射的非易失存储器模块
公开(公告)号：KR1020170020851A
公开(公告)日：2017-02-24
申请号：KR1020177000914
申请日：2015-06-04
申请人： 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 프레여,잭,에드워드 , 비디아부샨,모한
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/00 , G06F11/20 , G06F12/06
CPC分类号： G11C29/44 , G06F11/2094 , G06F12/0246 , G06F12/0623 , G06F2212/1032 , G06F2212/7209 , G11C29/765 , G11C29/785
摘要： 본명세서에기술되는다양한실시예들은저장모듈에서의물리대 물리주소재매핑을가능하게하는데 사용되는시스템들, 방법들및/또는디바이스들을포함한다. 일양태에서, 본방법은, 2개이상의비휘발성메모리유닛들의시퀀스의각각의비휘발성메모리유닛에대해, 각자의메모리유닛의유효성상태를결정하는단계를포함한다. 각자의메모리유닛의유효성상태가유효하지않은상태라는결정에따라, 본방법은각자의메모리유닛에할당된제2 주소를, 테이블에, 저장하는단계를포함한다. 제2 주소의적어도일부분은제2 메모리유닛의물리적위치에대응하는물리주소부분이다. 각자의메모리유닛의유효성상태가유효한상태라는결정에따라, 본방법은메모리유닛에대응하는제2 주소의할당을그만두는단계를포함한다.
摘要翻译：本文描述的各种实施例包括用于使能存储模块中的物理到物理地址重映射的系统，方法和/或设备。在一个方面，该方法包括对于两个或更多个非易失性存储单元的序列中的每一个，确定相应存储单元的有效性状态。根据存储器的相应单元的有效状态为无效状态的判定，该方法包括在表中存储分配给各单元存储器的第二地址。第二地址的至少一部分是对应于第二存储单元的物理位置的物理地址部分。根据存储器的相应单元的有效状态为有效状态的判断，该方法包括分配对应于存储单元的第二地址。

70. 发明公开

KR1020170010719A 비휘발성 메모리 장치에 포함된 페이지 버퍼의 스위칭 소자를 바이어싱 하기 위한 컨트롤러 및 이의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：用于非易失性存储器的页面缓冲器的偏移切换元件的控制器及其操作方法
公开(公告)号：KR1020170010719A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020160090872
申请日：2016-07-18
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 알레산드로사나시
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/30 , G11C29/00 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/04 , G11C7/1078 , G11C7/12 , G11C8/06 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/3418 , G11C29/028 , G11C29/42 , G11C2029/0403 , G11C2029/0411
摘要： 본기술은비트라인과그에대응되는페이지버퍼를결합하는스위칭요소를포함하는비휘발성메모리장치를위한제어블록으로, 복수의어드레스영역들을저장하도록구성된룩-업테이블; 및입력된로우(row) 어드레스를바탕으로상기복수의어드레스영역들중에서하나의어드레스영역을상기비휘발성메모리의리드동작을위한상기스위칭소자에매칭시키고, 상기어드레스영역을바탕으로바이어스전압을생성하도록구성된매칭로직을포함하는제어블록및 이를포함하는비휘발성메모리장치와이의동작방법을포함한다.
摘要翻译：本文公开了一种用于非易失性存储器件的控制块，其包括将位线耦合到相应的页缓冲器的开关元件，包括：查找表，其被配置为存储多个地址区：以及配置为基于所有输入的行地址来匹配多个地址区中的一个地址区，并且基于地址区产生用于读取非易失性存储器的操作的开关元件的偏置电压，其中多个地址区被定义通过对具有不同于前缀值的当前值而不同的具有IV特性的字线进行分组。

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