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61. 发明授权

KR102313946B1 4H-SiC를 기반으로 한 높은 홀딩 전압을 갖는 정전기 방전 보호소자 有权
公开(公告)号：KR102313946B1
公开(公告)日：2021-10-18
申请号：KR1020200094937
申请日：2020-07-30
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/74 , H01L29/735
摘要： 높은홀딩전압을통하여스냅백특성을개선한 4H-SiC를기반으로한 높은홀딩전압을갖는정전기방전보호소자가개시된다. 이는 N-에피영역을 4H-실리콘카바이드(SiC)를사용함으로서보호소자가최대 600JPEG112020079857608-pat00004.jpg33의고온에서동작가능하고, 빠른스위칭속도및 낮은 ON 저항을가질수 있다. 또한, N-에피영역상에 N-드리프트영역을형성함으로서기생바이폴라트랜지스터의확장된베이스영역을가질수 있으며, P+교차영역과 N+교차영역을다수교차되도록형성하여단자와연결되도록함으로써기생바이폴라트랜지스터의이미터전류를감소시켜낮아진전류이득에의해홀딩전압을상승시킬수 있다.

62. 发明公开

KR20180015956A 이차원 물질층을 포함하는 전자 소자 审中-公开
标题翻译：包含二维材料的电子器件
公开(公告)号：KR20180015956A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR20160099620
申请日：2016-08-04
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/73 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78681 , H01L29/78696
摘要： 이차원물질층을포함하는전자소자가개시된다. 전자소자는이차원물질층의측단부와직접접촉하는전극층을포함할수 있다. 전극층은높은일함수를지닌전도성물질을포함하는형성되거나, 높은일함수는지닌전도성물질로형성된전극층및 낮은일함수를지닌전도성물질로형성된전극층을포함하는구조로형성될수 있다.
摘要翻译：提供具有二维（2D）材料层的电子器件。电子器件包括直接接触2D材料层的边缘的电极层。电极层可以包括具有高功函数的导电材料或者可以具有其中电极层包括具有高功函数的导电材料并且电极层包括具有低功函数的导电材料的结构。

63. 发明公开

KR1020170123719A 사이리스터 랜덤 액세스 메모리 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：晶闸管随机存取存储器件和方法
公开(公告)号：KR1020170123719A
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020177031232
申请日：2011-06-28
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 탕,산흐,디. , 자흐락,존,케이. , 비오레테,마이클,피.
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/66363 , H01L27/1027 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L2924/1301
摘要： 메모리장치들을제작하는메모리장치들및 방법들이도시된다. 도시된방법들및 구성들은증가된메모리밀도를위한접힌수직의메모리장치들을제공한다. 제공된방법들은깊은도펀트주입(deep dopant implant)들과같은제조방법들에대한요구를감소시킨다.
摘要翻译：示出了用于制造存储器件的存储器件和方法。所说明的方法和配置提供了用于增加存储密度的折叠垂直存储器件。所提供的方法减少了制造方法如深掺杂剂植入物的需要。

64. 发明授权

KR101749671B1 역-도통 전력 반도체 디바이스 有权
标题翻译：反向传导功率半导体器件
公开(公告)号：KR101749671B1
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020137007778
申请日：2011-09-29
申请人： 에이비비 슈바이쯔 아게
发明人： 라히모무나프 , 아놀드마르틴 , 스샤스니토마스
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/747 , H01L29/0692 , H01L29/0834 , H01L29/7416 , H01L29/7428 , H01L29/744
摘要： 제1 메인측면(11), 및제1 메인측면(11)에평행하게배열되는제2 메인측면(15)을구비한웨이퍼(10)를포함하는역-도통전력반도체디바이스(1)가제공된다. 본디바이스는복수의다이오드셀(96)과복수의 IGCT 셀(91)을포함하며, IGCT 셀각각은제1 및제2 메인측면(11, 15) 사이에다음의순서의레이어들: - 캐소드전극(2), - 제1 도전형의제1 캐소드레이어(4), - 제2 도전형의베이스레이어(6), - 제1 도전형의드리프트레이어(3), - 제1 도전형의버퍼레이어(8), - 제2 도전형의제1 애노드레이어(5), 및 - 제1 애노드전극(25)을포함한다. IGCT 셀(91) 각각은제1 캐소드레이어(4)에횡으로배열되고베이스레이어(6)에의해제1 캐소드레이어(4)로부터분리되는게이트전극(7)을더 포함한다. 다이오드셀(96) 각각은제1 메인측면(11)에제2 애노드전극(28), 제2 도전형의제2 애노드레이어(55), 및제2 메인측면(15)에제1 도전형의제2 캐소드레이어(45)를포함하는데, 제2 애노드전극(28)은제2 도전형의제2 애노드레이어(55)에접촉되고, 제2 도전형의제2 애노드레이어(55)는드리프트레이어(3)에의해베이스레이어(6)로부터분리되며, 제1 도전형의제2 캐소드레이어(45)는제1 애노드레이어(5)와교대로배열된다. 본디바이스는적어도하나의결합부(99)를포함하는데, 여기서다이오드셀들(96)의제2 애노드레이어들(55)은 IGCT 셀들(91)의제1 캐소드레이어들(4)과교호한다.
摘要翻译：具有15，其被布置成平行于第一主侧11，mitje第一主侧11第二主侧站，包括一个晶片10 - 电力用半导体装置（1）的导通被提供。本装置包括多个二极管单元96和多个IGCT单元（91），IGCT细胞，在以下的顺序中的每个层中的第一mitje第二主侧（11，15）： - 阴极（第一导电型第一阴极层4，第二导电型基极层6，第一导电漂移层3，第一导电型缓冲层 8，第二导电类型的第一阳极层5和第一阳极电极25。每个IGCT单元91包括在第一阴极层4中横向布置并且从释放1阴极层4与基极层6分离的栅电极7。每个二极管单元96包括在第一主侧面11上的第二阳极电极28，第二导电类型的第二阳极层55和第二阴极第二阳极电极28，与阳极层55，导电类型银的第二阳极层55相接的第二个是，第二导电型是漂移层（3）包括一个层（45）并且第一导电类型的第二阴极层45与第一导电类型的阳极层5交替布置。该器件包括至少一个耦合部分99，其中二极管单元96的第二阳极层55覆盖IGCT单元91的第一阴极层4。

65. 发明授权

KR101679108B1 국부적 에미터 쇼트 도트들의 개선된 패턴을 갖는 위상 제어 사이리스터 有权
标题翻译：具有改进的局部发射短路模式的相控制器
公开(公告)号：KR101679108B1
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020137001485
申请日：2011-06-21
申请人： 에이비비 슈바이쯔 아게
发明人： 슈트라이트페터
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/74 , H01L29/0839 , H01L29/42308 , H01L29/7428
摘要： 사이리스터의캐소드측 상에쇼트패턴으로배열된복수의국부적에미터쇼트도트들 (304) 및메인게이트구조 (306) 을포함하는새로운설계를갖는위상제어사이리스터가제시된다. 여기서, 메인게이트구조 (306) 는, 캐소드측의중심영역으로부터주변영역쪽으로연장하는, 길이방향의, 바람직하게테이퍼된, 메인게이트빔들 (316) 을포함한다. 이웃하는메인게이트빔들 (316) 은연관되는중간의중앙라인 (314) 에대하여거리를두고배열된다. 쇼트패턴은연관되는중앙라인 (314) 에인접한영역 (312) 에서보다메인게이트빔 (316) 에인접한영역 (310) 에서더 균일하다. 캐소드측 표면의이웃하는세그먼트들에쇼트패턴들을매치하는것이필요할수도있는적응들이, 메인게이트빔들 (316) 로부터떨어진영역들 (312) 에서이루어져서, 메인게이트빔 (316) 으로부터확산하는전자정공플라즈마가쇼트도트들패턴의어떠한불균일성에의해서도간섭받지않는다. 제시된설계룰들은특히대면적위상제어형사이리스터들을위한사이리스터동작특성들의개선을가능하게한다.

66. 发明授权

KR101624063B1 베이스 폭이 결정된 래칭 및 비-래칭 상태를 갖는 ＭＣＴ 소자 有权
标题翻译： - 具有基准宽度测量和非锁定状态的MCT器件
公开(公告)号：KR101624063B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020147011565
申请日：2012-10-01
申请人： 파칼 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 블란차드,리차드에이. , 아끼야마,히데노리 , 트워르지들로,보이텍
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/42308 , H01L29/66363
摘要： ON 상태의협-베이스동작과 OFF 상태의광-베이스동작사이에서스위칭하고협-베이스 ON 상태에서만래치-업을유지할수 있는게이트-제어형사이리스터를위한방법및 시스템이개시된다.

67. 发明公开

KR1020140074971A 베이스 폭이 결정된 래칭 및 비-래칭 상태를 갖는 ＭＣＴ 소자 有权
标题翻译：具有基准宽度测量和非锁定状态的MCT器件
公开(公告)号：KR1020140074971A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020147011565
申请日：2012-10-01
申请人： 파칼 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 블란차드,리차드에이. , 아끼야마,히데노리 , 트워르지들로,보이텍
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/42308 , H01L29/66363 , H01L29/74 , H01L21/326 , H01L29/78
摘要： ON 상태의 협-베이스 동작과 OFF 상태의 광-베이스 동작 사이에서 스위칭하고 협-베이스 ON 상태에서만 래치-업을 유지할 수 있는 게이트-제어형 사이리스터를 위한 방법 및 시스템이 개시된다.

68. 发明授权

KR101276033B1 고전류 전기 스위치 및 방법 有权
标题翻译：高电流开关及方法
公开(公告)号：KR101276033B1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020077029912
申请日：2005-12-09
申请人： 퍼팩트 스위치, 엘엘씨
发明人： 포글먼에이치프랭크
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L25/115 , H01L2924/0002 , H03K17/122 , H03K17/6871 , H01L2924/00
摘要： 고전류 전기 스위치를 위하여 방법과 시스템이 개시된다. 스위치는 모듈 또는 어셈블리당 1 내지 1000 암페어 범위의 직류 전류를 스위칭(switching), 정류 또는 차단하는 데에 적절할 수 있다. 비교적 작은 열을 생성할 정도의 효율을 가진다는 점에서 적절하다; 대류나 복사에 의한 냉각을 거의 필요로 하지 않거나 전혀 필요로 하지 않는 정도의 크기의 효율이라는 점에서 적절하다. 공정 중에 생성되는 비교적 작은 열은 소자에 연결된 전기 케이블들에 의해 매우 효율적으로 멀리 전도되어 버린다.
고전류 전기 스위치, 열, 스위칭 요소, 유효 저항, MOSFET.

69. 发明公开

KR1020130006584A 기판상에 형성된 전자 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：在基片上形成的电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130006584A
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：KR1020120151998
申请日：2012-12-24
申请人： 카토다 타카시
发明人： 카토다타카시
IPC分类号： H01L29/80 , H01L29/74 , H01L29/72 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/267 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/812
摘要： PURPOSE: An electronic device formed on a substrate and a manufacturing method thereof are provided to easily implement a power device composed of a wide gap semiconductor. CONSTITUTION: A substrate(101) is made of silicon. A molybdenum oxide layer(102) is formed on the substrate. An n type molybdenum oxide layer(103) is formed on the molybdenum oxide layer. A schottky electrode(110) is formed on the n type molybdenum oxide layer. A source electrode(111) and a drain electrode(112) are formed on the n type molybdenum oxide layer.
摘要翻译：目的：提供一种形成在基板上的电子器件及其制造方法，以容易地实现由宽间隙半导体构成的功率器件。构成：衬底（101）由硅制成。在基板上形成氧化钼层（102）。在氧化钼层上形成n型氧化钼层（103）。在n型钼氧化物层上形成肖特基电极（110）。源极电极（111）和漏电极（112）形成在n型钼氧化物层上。

70. 发明授权

KR101193904B1 양방향 레벨 시프트 회로를 구비한 파워 소자 有权
标题翻译：具有双向电平转换电路的电源设备
公开(公告)号：KR101193904B1
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020040098457
申请日：2004-11-29
申请人： 익시스 코포레이션
发明人： 오치,삼세이이치로
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L27/0682 , H01L27/0805 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48463 , H01L2224/48464 , H01L2224/49175 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M1/08 , H02M1/088 , H03K17/06 , H03K17/063 , H03K17/162 , H03K17/6871 , H01L2924/00
摘要： 제1 입력을 가지고 파워 반도체 스위치에 게이트 제어신호를 출력하도록 배열된 제어신호 발생기를 포함하는 게이트 드라이버가 개시된다. 이 게이트 제어신호 발생기는 게이트 드라이버의 고측 근처에 제공된다. 제1 부회로는 신호들을 전송하기에 적합한 제1 신호통로 및 제2 신호통로를 갖는다. 제1 및 제2 신호통로들은 게이트 제어신호 발생기의 제1 입력에 결합된다. 제2 신호통로는 경감된 신호 지연으로 제1 입력에 신호를 제공하도록 배열된다. 비교기가 고측으로부터의 신호들을 수신하도록 배열된다. 이 비교기는 게이트 드라이버의 저측 근처에 제공된다.
게이트 드라이버, 제어신호 발생기, 부회로(sub-circuit), 비교기(comparator)
摘要翻译：驱动器具有两个子电路（316,328），每个子电路具有发送信号的信号路径并耦合到门控制信号发生器（338）的输入端（340,342）。后一路径为信号提供减少的延迟。发生器向半导体开关提供门控制信号，并且设置在驾驶员的高侧附近。靠近低端的比较器接收来自高侧的信号。对于具有高侧装置和低侧装置的电力模块，还包括独立权利要求。

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