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61. 发明公开

KR1020110138404A 단결정 실리콘 연속성장 시스템 및 방법 有权
标题翻译：单晶硅连续生长系统
公开(公告)号：KR1020110138404A
公开(公告)日：2011-12-27
申请号：KR1020117026631
申请日：2005-02-25
申请人： 솔라익스 인코퍼레이티드
发明人： 벤더데이비드엘.
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/10 , C30B29/06 , H01L21/20
CPC分类号： C30B15/12 , C30B15/002 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 단결정 잉곳을 연속성장시키기 위한 쵸크랄스키법에 기초한 개선된 시스템에 관한 것으로서, 낮은 가로세로비, 대직경 및 실질적으로 평탄한 도가니를 포함하며, 상기 도가니는 선택적으로 결정을 둘러싸는 웨어를 포함하고, 대직경, 낮은 가로세로비 도가니는 대류유동을 실질적으로 제거하며, 최종 단결정 실리콘 잉곳 내의 산소 함량을 감소시킨다. 성장 도가니에 용융 실리콘의 연속공급을 제공하는 개별적으로 레벨 제어된 실리콘 예비용융 챔버는 결정인상처리 동안 수직 이동의 필요성과 도가니 상승시스템을 효과적으로 제거하며, 도가니 아래의 복수의 가열기는 용탕을 가로지르는 대응 열구역을 형성하고, 가열기의 열출력은 개선된 결정 성장을 위해 용탕을 가로질러 결정/용탕 계면에 최적 열분배를 제공하기 위해 개별적으로 제어되며, 복수의 인상 챔버는 연속처리 및 고효율을 위해 제공되는 것을 특징으로 한다.

62. 发明授权

KR101045309B1 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템 有权
标题翻译：制造半导体晶圆的方法和确定半导体芯片切割位置的系统
公开(公告)号：KR101045309B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020067015109
申请日：2005-01-20
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/78
CPC分类号： C30B29/06 , B28D5/022 , B28D5/04 , C30B33/00 , Y10T117/1004
摘要： 반도체 잉곳에서 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 잉곳 상태에서 성장축 방향의 산소 농도 분포를 측정하고(F2), 이 측정 결과에 기초하여, 소정 길이 범위 내에서 산소 농도가 최대치 또는 최소치가 되는 위치를 절단 위치로 정하고(F3), 이 절단 위치에서 상기 성장축에 수직인 방향으로 상기 잉곳을 절단하는 것에 의해, 산소 농도가 양단에서 최대치 및 최소치가 되는 블록으로 절단하고(F4), 이 블록을 슬라이스 하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
이에 이해, 반도체 잉곳으로 반도체 웨이퍼를 제조할 때, 산소 농도가 소정 규격 범위 내가 되는 웨이퍼를 확실히 제조할 수 있는 기술이 제공된다.
반도체, 웨이퍼, 산소농도, 절단, 최대치, 최소치

63. 发明公开

KR1020100125285A 비접촉 재료 특성을 일괄적으로 분석하기 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：非接触材料表征的装置和方法
公开(公告)号：KR1020100125285A
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：KR1020107019614
申请日：2009-02-13
申请人： 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 퀸윌리암이. , 벨로소프미하일 , 이동승 , 아모르에릭에이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/6875 , G01N21/645 , G01N21/6489 , G01N2021/6417 , H01L21/68764 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 비접촉 재료 특성 분석을 수행하는 장치는 다수의 기판(12)을 유지하도록 된 웨이퍼 캐리어(10)와 광 발광 분광법을 수행하기 위한 장치와 같은 재료 특성 분석 장치(20)를 포함한다. 본 발명의 장치는 기판(12)을 포함해서 웨이퍼 캐리어(10)의 적어도 일부에 대하여 비접촉 재료 특성 분석을 수행하도록 되어 있다.

64. 发明授权

KR100979071B1 이중 배향 다결정성 재료의 화학 기계적 연마 失效
标题翻译：双取向多晶材料的化学机械抛光
公开(公告)号：KR100979071B1
公开(公告)日：2010-08-31
申请号：KR1020030011008
申请日：2003-02-21
申请人： 에이저 시스템즈 엘엘시
发明人： 안토넬마이클 , 안토넬제니퍼에이. , 하우즈에릭초 , 메이나드라이언케이쓰 , 심슨다렐엘.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01J37/26 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L22/12 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 본 발명은 연마되는 다결정 표면의 결정면들 각각의 상대적인 산화율들에 대해 영향을 주도록 선택된 극성을 갖는 화학적 활성 슬러리를 사용하는 화학 기계적 연마(CMP) 방법에 관한 것이다. 슬러리 극성은 CMP 공정 동안 결정면들 각각으로부터의 재료 제거 속도들이 균형을 이루도록 제어된다. 목적하는 극성을 달성하기 위해 극성 용질을 기본 용매에 가할 수 있다. 텅스텐 필름에 대한 CMP 공정은 마모재, 산화제 및 물보다 극성이 작은 용질을 함유하는 수성 슬러리를 사용할 수 있다. 마모재는 콜로이드성 실리카일 수 있고 산화제는 과산화수소일 수 있으며 용질은 벤젠일 수 있다.
다결정성 재료, 화학 기계적 연마방법, 주요 캐리어 성분, 산화 성분, 극성 영향 성분

65. 发明授权

KR100967240B1 결정화 장치, 결정화 방법, 디바이스 및 위상변조소자 失效
标题翻译：结晶装置，结晶方法，装置和相位调制元件
公开(公告)号：KR100967240B1
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：KR1020040077288
申请日：2004-09-24
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 타니구치유키오 , 마츠무라마사키요 , 아기타노리타카
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/073 , C30B13/24 , G02B27/0927 , G02B27/0961 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 본 발명의 광변조 광학계는, 입사광에 의거하여 광 강도 기울기분포를 형성하는 패턴을 가지는 제1소자(1)와, 입사광에 의거하여 역피크형상의 광 강도 최소분포를 형성하는 패턴을 가지는 제2소자(2)와, 상기 광변조 광학계와 다결정 반도체막 또는 비정질 반도체막을 가지는 기판(5)과의 사이에 설치된 결상광학계(4)를 구비하고, 다결정 반도체막 또는 비정질 반도체막에 상기 결상광학계(4)를 통하여 광 강도 기울기분포와 광 강도 최소분포가 형성된 입사광을 조사하여 결정화 반도체막을 생성한다. 제1소자의 패턴면과 제2소자의 패턴면이 대향하고 있다.

66. 发明公开

KR1020070115711A 실리콘 단결정의 육성 프로세스에 있어서의 융액의 액면위치 감시 장치 有权
标题翻译：硅酸盐晶体生长过程中熔体的液位位置监测装置
公开(公告)号：KR1020070115711A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020070052648
申请日：2007-05-30
申请人： 가부시키가이샤 섬코
发明人： 하야카와히로시 , 마에다도쿠지
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072
摘要： An apparatus for monitoring a position of melt surface in a silicon single crystal growth process is provided to control accurately a gap between the melt and a heat shielding plate of a water cooling apparatus by calculating a liquid surface position according to all situations. A quasi-upper limit position, namely the reference position is set as a level between the liquid surface position of the melt(3) on the occasion of immersion of the seed(1). An upper limit position is determined between a lower portion of the heat shield plate and a water cooling apparatus(5), and shows a elevation limit of a chamber(6). The chamber is stopped forcibly, when exceeding the elevation limit.
摘要翻译：提供了一种用于在硅单晶生长工艺中监测熔体表面的位置的装置，以通过根据所有情况计算液面位置来精确地控制熔体与水冷却装置的隔热板之间的间隙。将准上限位置即基准位置设定为在种子（1）浸渍时熔体（3）的液面位置之间的高度。在隔热板的下部和水冷却装置（5）之间确定上限位置，并且示出了室（6）的高度限制。超过极限时，房间被强制停止。

67. 发明公开

KR1020070102593A 반도체 재료로 방향성 고형화 블록을 제조하는 방법 및장치 有权
标题翻译：用于生产半导体材料的定向固化块的方法和装置
公开(公告)号：KR1020070102593A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020077020137
申请日：2006-02-03
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 휴고,프란츠
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： The invention relates to a method for producing oriented solidified blocks made of semi-conductor material, in addition to a device. Said device comprises a crucible, wherein melt is received, and has an insulation which surrounds the crucible at least from the top and from the side and which is arranged at a distance therefrom at least above the crucible, and at least one heating device which is arranged above said crucible. The region inside the insulation above the crucible is divided by an intermediate cover in a process chamber and a heating chamber is arranged there above, wherein at least one heating element is arranged.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产由半导体材料制成的取向固化块的方法，以及装置。所述装置包括坩埚，其中熔体被容纳，并且具有至少从顶部和从侧面围绕坩埚的绝缘体，并且至少在坩埚上方设置有一定距离的坩埚，以及至少一个加热装置，布置在坩埚上方。在坩埚上方的绝缘体内部的区域被处理室中的中间盖分隔，并且在上方布置有加热室，其中布置有至少一个加热元件。

68. 发明公开

KR1020070085229A 반송 검사 장치 및 반송 장치 有权
标题翻译：输送/检查装置和输送装置
公开(公告)号：KR1020070085229A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077005987
申请日：2004-08-27
申请人： 쓰쿠바 세이코 가부시키가이샤
发明人： 우부카타다마야 , 포흐파우-라이 , 야구치마사히로
IPC分类号： B65G49/06 , G01N21/84
CPC分类号： G01N21/86 , B65G49/063 , B65G2201/0294 , B65G2249/02 , B65G2249/045 , G01N2021/9513 , G02F1/1303 , G02F2203/69 , Y10S117/901 , Y10T117/1004 , Y10T117/1012
摘要： Even if an object to be conveyed is a transparent material, a conveying/inspecting apparatus capable of performing inspection of defect of the object while it is conveyed without contact. The conveying/inspecting apparatus has a conveying apparatus (2) for conveying without contact a thin member (5) by controlling a voltage applied to an electrode surface, and has a defect inspecting apparatus (3) for inspecting defect of the thin member (5) during the conveyance. In the conveying apparatus (2) is provided, at a part of the electrode surface, a light beam transmitting section (cutout section) (15) for transmitting a light beam. By use of the light beam transmitting section (15), the defect inspecting apparatus (3) can perform inspection of defect of an object while it is conveyed without contact even if the object is a transparent material.
摘要翻译：即使要被输送的物体是透明材料，也可以在不接触的情况下进行物体的缺陷检查的输送/检查装置。输送/检查装置具有输送装置（2），用于通过控制施加到电极表面的电压而不接触薄构件（5），并且具有用于检查薄构件（5）的缺陷的缺陷检查装置（3））。在输送装置（2）中，在电极表面的一部分设置有用于透射光束的光束透射部（切口部）（15）。通过使用光束透射部（15），即使物体是透明材料，缺陷检查装置（3）也可以在没有接触的情况下进行物体的缺陷检查。

69. 发明公开

KR1020060130415A 결정 성장된 잉곳의 품질평가 방법 有权
标题翻译：质量评估方法，用于生产单晶
公开(公告)号：KR1020060130415A
公开(公告)日：2006-12-19
申请号：KR1020050051082
申请日：2005-06-14
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김진근 , 조현정 , 김유전
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： C30B15/26 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： A quality estimating method for cropping a single crystal ingot is provided to improve excess of a sampling number by making a sampling rule for determining a cropping position and a sampling position and the sampling number of the single crystal ingots. An input process is performed to input basic information for determining a cropping position, a sampling position, and a prime position(a). A setting process is performed to set the cropping position, the sampling position, and the prime position according to the basic information(b). A monitoring, analyzing, and storing process is performed to monitor an ingot growth process and analyze and store an X factor(c). A confirmation process is performed to confirm the cropping position and the sampling position by using the cropping position and the sampling position(d).
摘要翻译：提供了用于裁剪单晶锭的质量估计方法，以通过制定用于确定裁剪位置和采样位置的采样规则以及单晶锭的采样数来改善采样数量的过剩。执行输入处理以输入用于确定裁剪位置，采样位置和素数位置（a）的基本信息。执行设置处理以根据基本信息（b）设置裁剪位置，采样位置和素数位置。执行监测，分析和存储过程以监测锭生长过程并分析和存储X因子（c）。执行确认处理，以通过使用裁剪位置和采样位置（d）确认裁剪位置和采样位置。

70. 发明公开

KR1020060127757A 레이저 어닐링용 위상시프터 无效
标题翻译：用于激光退火的相变器
公开(公告)号：KR1020060127757A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：KR1020060049790
申请日：2006-06-02
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 쥬몬지마사유키
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/786
CPC分类号： B23K26/066 , H01L21/02678 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/1004 , G03F1/48 , G03F1/34
摘要： A laser annealing phase shifter is provided to restrain effectively the attachment of particles by forming a second layer between first and third layers using an inactive gas. A laser annealing phase shifter comprises a first layer(1) with a first refractive index on a predetermined laser beam, a second layer(2) with a second refractive index on the predetermined laser beam on the first layer, a third layer(3) with the first refractive index on the second layer, a spacer, and a fine stepped portion. The spacer(4) is formed along an edge portion between the first and the third layer. The fine stepped portion(6) is formed at a first interface between the first and the second layer or at a second interface between the second and the third layer. The second layer is made of an inactive gas.
摘要翻译：提供激光退火移相器，以通过使用惰性气体在第一和第三层之间形成第二层来有效地抑制颗粒的附着。激光退火移相器包括在预定激光束上具有第一折射率的第一层（1），在第一层上的预定激光束上具有第二折射率的第二层（2），第三层（3）在第二层上具有第一折射率，间隔物和细小阶梯部分。间隔件（4）沿第一和第三层之间的边缘部分形成。微细台阶部分（6）形成在第一和第二层之间的第一界面处或第二和第三层之间的第二界面处。第二层由惰性气体制成。

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