专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明授权

KR100261334B1 누설 전류를 최소화한 액티브 픽셀 센서 셀 失效
标题翻译：主动像素传感器电池最小化泄漏电流
公开(公告)号：KR100261334B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970023767
申请日：1997-06-10
申请人： 포베온, 인크.
发明人： 메릴리차드빌링스
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L31/103 , H01L27/14603
摘要： 액티브 픽셀 센서 셀의 실리콘과 실리콘 산화물간의 인터 페이스에서의 누설 전류는 셀로부터 필드 산화물을 제거하고, 집적하는 동안에, 고농도로 도프되지 않은 셀의 표면 영역을 축적으로 바이어스 시키거나 또는 반전으로 바이어스 시킴으로서 대부분 감소된다. 다음에, 이들 상태 각각은 누설 전류에 영향을 줄수 있는 표면에서 열적으로 생성된 전자 정공 쌍으로부터 전자의 수를 대부분 제한한다.

62. 发明授权

KR100253770B1 수광소자 失效
标题翻译：灯接收装置
公开(公告)号：KR100253770B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019960043415
申请日：1996-09-25
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 후쿠나가나오키 , 구보마사루
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/14
CPC分类号： H01L31/103 , H01L27/1446 , H01L31/035281 , H01L31/1876 , Y02E10/50
摘要： 본 발명의 수광소자는: 제1도전형의 반도체기판; 상기 제1도전형의 반도체기판의 표면의 소정영역에 형성된 제2도전형의 제1반도체층; 및 상기 제2도전형의 제1반도체층의 상부면에서 상기 제1도전형의 반도체기판의 표면으로 연장하도록 형성되어, 상기 제2도전형의 제1반도체층을 제2도전형의 다수의 반도체 영역들로 분할하는 적어도 하나의 제1도전형의 반도체영역을 포함한다. 상기 수광소자에서, 제1도전형의 반도체기판의 비저항이, 역바이어스의 인가에 따라 제1도전형의 반도체기판에 형성될 공핍층의 깊이 Xd와 상기 제1도전형의 반도체영역의 제1도전형의 반도체기판으로의 확산 깊이 Xj 사이에서 Xd≥Xj의 조건을 만족하도록 소정범위내로 설정된다.

63. 发明授权

KR1019960001190B1 수광장치 失效
标题翻译：光电探测器
公开(公告)号：KR1019960001190B1
公开(公告)日：1996-01-19
申请号：KR1019930002536
申请日：1993-02-24
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 후지무라야스시
IPC分类号： H01L31/101
CPC分类号： H01L31/0203 , H01L31/022416 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , Y10S257/914 , H01L2924/00014
摘要： This invention relates to a photodetector including a package having a window disposed in a light incident part, and a light detecting element installed in the package. The light detecting element comprises a first region (23) formed of second conduction-type semiconductor and embedded in a first conduction-type semiconductor crystal layer (22); a second region (24) formed of second conduction-type semiconductor and embedded so as to be spaced from and surround the first region (23); and a conductor layer (31) provided both on at least one part of top surface of the first conduction-type semiconductor layer (22) and on at least one part of top surface of the second region (24). The first region (23) is surrounded by the second conduction-type second region (24). On the surface of the semiconductor crystal layer (22), an electrode (25) is formed on the first region (23), and a reflection preventing layer (26) is formed on that part of the first region (23) inside the electrode (25), and a device protecting film (27) is formed on that part of the first region (23) outside the electrode (25). On the semiconductor crystal layer (22), a metal film (31) is formed in contact both with the semiconductor crystal layer (22) and with the second region (24). This structure enables the second region (24) to capture unnecessary charges and further to recombine and extinguish them.

64. 发明授权

KR101867337B1 이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101867337B1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR1020120009154
申请日：2012-01-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이하라
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/14612 , H01L27/14638 , H01L27/14647 , H01L27/14689 , H01L27/14692 , H01L27/14812 , H01L29/66666 , H01L31/103
摘要： 이미지센서및 그제조방법에서, 이미지센서는광전트랜스퍼게이트형성용리세스부를포함하는기판이구비된다. 상기기판내부에수직방향으로배치되는복수의포토다이오드들이구비된다. 상기리세스부및 상기리세스부와접하는기판상에는게이트절연막및 게이트전극이구비된다. 상기게이트전극은상기리세스부중심에패여진형상을갖는제1 상부면과평탄한부위인제2 상부면을포함한다. 상기게이트전극은불순물이도핑된폴리실리콘을포함한다. 상기이미지센서는트랜스퍼트랜지스터의특성향상으로인해포화웰 커패시터가증가된다.

65. 发明公开

KR20180054551A 태양 전지 审中-公开
公开(公告)号：KR20180054551A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR20180056484
申请日：2018-05-17
申请人： LG ELECTRONICS INC
发明人： SUNGHYUN HWNAG , JINSUNG KIM , DONGHAE OH , HYUNHO LEE , HAEJONG CHO
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/103
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/103
摘要： 본발명의태양전지는제1 도전성기판과, 상기기판의일 면에서로나란하게형성되는복수의제1 전극과, 상기복수의제1 전극각각에대응하게만형성되고, 상기제1 도전성불순물이상기기판보다높은농도로도핑된후면전계부를포함하고, 상기후면전계부는상기제1 전극의길이방향에서불연속구간을포함하고, 상기불연속구간의불순물농도는상기후면전계부의불순물농도보다낮게구성된다.

66. 发明公开

KR20180033070A Ge 디바이스 및 SiGe 디바이스에서의 품질 개선을 위한 유전체 측벽 구조체 审中-公开
标题翻译：葛锗锗GE和SIGE器件质量改进的介电侧壁结构
公开(公告)号：KR20180033070A
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR20170118638
申请日：2017-09-15
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/08
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/02019 , H01L31/02161 , H01L31/028 , H01L31/0312 , H01L31/103 , H01L31/1037 , H01L31/105 , H01L31/1808 , H01L31/1812
摘要： 일부실시예는, 실리콘기판상에배치되는집적회로(IC)에관한것이며, 상기실리콘기판은제1 전도유형을갖는웰 영역을포함한다. 유전체층이상기실리콘기판의상위표면위에배치되며, 상기웰 영역의외측에지위에연장되고, 웰영역의내측부분을노출된상태로남기는개구를포함한다. SiGe 또는 Ge의에피텍셜필러가상기웰 영역의내측부분으로부터상방으로연장된다. 상기에피텍셜필러는, 제1 전도유형을나타내는하위에피텍셜영역및 제1 전도유형과반대되는제2 전도유형을나타내는상위에피텍셜영역을포함한다. 유전체측벽구조체가상기에피텍셜필러를둘러싸며, 유전체층의상위표면상에안착하는바닥표면을갖는다.
摘要翻译：一些实施例涉及设置在硅衬底上的集成电路（IC），其包括具有第一导电类型的阱区。电介质层布置在硅衬底的上表面上方，并且延伸越过阱区的外边缘并且包括使阱区的内部暴露的开口。 SiGe或Ge的外延柱从阱区的内部向上延伸。外延柱包括具有第一导电类型的下外延区域和具有与第一导电类型相反的第二导电类型的上外延区域。介电侧壁结构围绕外延柱并具有搁置在介电层的上表面上的底表面。

67. 发明公开

KR1020170133322A 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170133322A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020177023209
申请日：2016-03-31
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 호소카와노부로 , 이노우에나오 , 시바야마가츠미
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L2224/0233 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/10126 , H01L2224/11 , H01L2224/12105 , H01L2224/13009 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/351
摘要： 반도체장치의제조방법은, 반도체기판(2)의제1 표면(2a)에제1 배선(3)을마련하는제1 공정과, 제1 표면(2a)에광 투과기판(5)을장착하는제2 공정과, 반도체기판(2)의두께가광 투과기판(5)의두께보다도작아지도록반도체기판(2)을박형화하는제3 공정과, 반도체기판(2)에관통공(7)을형성하는제4 공정과, 제1 수지재료를이용하여딥 코트법을실시함으로써수지절연층(10)을마련하는제5 공정과, 수지절연층(10)에컨택트홀(16)을형성하는제6 공정과, 수지절연층(10)의표면(10b)에제2 배선(8)을마련하고, 컨택트홀(16)에있어서제1 배선(3)과제2 배선(8)을전기적으로접속시키는제7 공정을구비한다.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底（2）的第一表面（2a）上提供第一布线（3）的第一步骤，安装光透射衬底（5）的第二步骤，以使半导体基板2的厚度比透光性基板5的厚度薄且在半导体基板2上形成贯通孔7的第四工序，使半导体基板2变薄的第三工序，第五步骤，通过使用第一树脂材料执行浸涂法来提供树脂绝缘层10;第六步骤，在树脂绝缘层10中形成接触孔16; 第七步，在树脂绝缘层10的表面10b上设置第二布线8，并将第一布线3和第二布线8电连接到接触孔16中的。

68. 发明授权

KR101799249B1 반도체 광 검출 소자 有权
标题翻译：半导体光电探测器元件
公开(公告)号：KR101799249B1
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：KR1020177002558
申请日：2010-02-09
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 야마무라가즈히사 , 사카모토아키라 , 나가노데루마사 , 미야자키야스히토 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L27/146 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
摘要： 반도체광 검출소자(SP)는제1 도전형반도체로이루어지고, 서로대향하는제1 주면(21a) 및제2 주면(21b)를가짐과아울러제1 주면(21a) 측에제2 도전형반도체층(23)이형성된실리콘기판(21)과, 제1 주면(21a)상에마련되어발생한전하를전송하는전하전송전극(25)을구비하고있다. 실리콘기판(21)에는제2 주면(21b) 측에실리콘기판(21)보다도높은불순물농도를가지는제1 도전형어큐뮬레이션층(31)이형성되어있음과아울러, 제2 주면(21b)에서적어도반도체영역(23)에대향하는영역에불규칙한요철(10)이형성되어있다. 실리콘기판(21)의제2 주면(21b)에서불규칙한요철(10)이형성된영역은, 광학적으로노출되어있다.
摘要翻译：半导体受光元件（SP）是半导体，所述第一主表面（21a）和第二主表面（21B）和具有加成，（21a）的相反侧上的第一主表面上的第二导电型半导体彼此形成的第一导电类型其上形成有层23的硅基板21和用于转移在第一主表面21a上产生的电荷的电荷转移电极25。硅衬底21具有比具有高杂质浓度的第二主表面（21B）在第一导电型积累层（31），在硅衬底21的一侧形成有与，同时，所述第二主表面（21B）的至少在面向半导体区域23的区域中形成不规则不规则部10。在硅衬底21的第二主表面21b上形成不规则凸起和凹陷10的区域被光学暴露。

69. 发明授权

KR101745638B1 광대역 갭 물질층 기반의 포토 다이오드 소자, 및 그 포토 다이오드 소자를 포함하는, 후면 조명 씨모스 이미지 센서 및 태양 전지 有权
公开(公告)号：KR101745638B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020110003156
申请日：2011-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이하라히사노리
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L27/146 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/103 , H01L27/1461 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/02161 , H01L31/02162 , H01L31/02327 , Y02E10/52
摘要： 본발명의사상은블루광에대한광전변환효율을향상시킬수 있는포토다이오드소자, 상기포토다이오드소자를구비하여, 블루광에대한감도향상및 크로스토크를방지하여혼색을방지할수 있는후면조명씨모스이미지센서및 상기포토다이오드소자를구비하여, 블루광에대한수광효율을향상시켜, 전기생성능력을향상시킬수 있는태양전지를제공한다. 그포토다이오드소자는서로대향하는제1 면과제2 면을갖는반도체기판; 상기반도체기판내에형성되고, 입사된광을전기로변환하는포토다이오드; 및상기광이입사되는방향인상기기판의제2 면상에형성되고, 넓은에너지밴드갭을갖는광대역갭(wide band-gap) 물질층;을포함한다. 또한, 그후면조명씨모스이미지센서는상기포토다이오드소자; 상기반도체기판의상기제1 면상에형성된금속배선층; 상기광대역갭 물질층상에형성되고, 상기광의반사를방지하는반사방지층(Anti-Reflective Layer: ARL); 상기반사방지층상에형성된컬러필터; 및상기컬러필터상에형성된마이크로렌즈;를포함한다.

70. 发明授权

KR101738532B1 상부 고농도 Ｐ 영역을 포함하는 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包括上部高浓度P区域的背面照射型图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101738532B1
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020100048600
申请日：2010-05-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권두원
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/062
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/1463 , H01L27/14654 , H01L27/14656 , H01L27/14672 , H01L27/14674 , H01L31/062 , H01L31/103
摘要： N 영역의상부및 하부에형성된고농도 P 영역을포함하는후면조사형이미지센서가제안된다. 후면조사형이미지센서는상부표면및 하부표면을가진반도체기판, 상기반도체기판내에형성된포토다이오드들, 및상기반도체기판의하부에형성된금속배선들을포함하고, 상기포토다이오드들은, 각각, N 영역, 상기 N 영역의하부에형성된하부 P 영역, 및상기 N 영역의상부에형성된상부 P 영역을포함한다.
摘要翻译：并且在N区域的上部和下部形成高浓度的P区域。包括形成在半导体基板上，在光电二极管，以及所述半导体衬底的下侧部分的金属互连的背照式图像传感器，其具有上表面和下表面，并且所述光电二极管分别是N区域，在所述半导体基板上形成形成在N区域的下部下P区，以及形成在N结构域的上部的上部P区。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式