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61. 发明公开

KR1020120101326A 방향족 술포늄염 화합물 有权
标题翻译：芳香磺酸盐化合物
公开(公告)号：KR1020120101326A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：KR1020127002072
申请日：2010-11-17
申请人： 가부시키가이샤 아데카
发明人： 마카베요시에 , 오쿠야마유타
IPC分类号： C07D219/06 , G03F7/004 , C08G59/68
CPC分类号： C07D219/06 , C08F2/50 , C08G59/68 , C08L63/00 , G03F7/0045 , C08G59/681 , G03F7/0041 , G03F7/20 , G03F7/2004
摘要： 본 발명은 현상성이 높은 광산 발생제 및 경화성이 높은 양이온 중합 개시제를 제공하는 것이며, 또한 이들을 사용한 레지스트 조성물 및 양이온 중합성 조성물을 제공하는 것이다.
구체적으로는 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규 방향족 술포늄염 화합물, 상기 화합물을 사용한 광산 발생제, 양이온 중합 개시제, 레지스트 조성물 및 양이온 중합성 조성물을 제공하는 것이다.

(식(Ⅰ) 중 R
1 ~R
10 은 무치환의 혹은 치환기를 가지는 탄소원자수 1~18의 알킬기 등을 나타내고, R
11 ~R
17 은 무치환의 혹은 치환기를 가지는 탄소원자수 1~18의 알킬기 등을 나타내며, R
18 은 무치환의 혹은 치환기를 가지는 탄소원자수 1~18의 알킬기 등을 나타내고, X
1
- 은 1가의 음이온을 나타낸다.)

62. 发明授权

KR101166148B1 포토리소그래피를 이용한 입체 패턴 구조를 갖는 알루미늄 집전체의 제조방법 및 이를 포함하고 있는 초고용량 커패시터의 제조방법 有权
标题翻译：通过光刻技术的CUBIC模式的电流收集器的方法和使用它的电容器
公开(公告)号：KR101166148B1
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020110017559
申请日：2011-02-28
申请人： 한국제이씨씨(주)
发明人： 이문수 , 김성한 , 신달우 , 신진식 , 오영희 , 류장현
IPC分类号： H01G9/045 , H01G9/058 , G03F7/004
CPC分类号： H01G9/045 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0045 , Y02E60/13
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an aluminum current collector having a three-dimensional pattern structure using photolithography and a method for manufacturing an ultra-high capacity capacitor comprising the aluminum current collector are provided to effectively increase the contact area between an aluminum current collector and an active material. CONSTITUTION: A method for manufacturing an aluminum current collector having a three-dimensional pattern structure comprises the steps of: washing and drying an aluminum foil current collector, spreading a photoresist solution on the surface of the aluminum foil current collector, spreading a development solution on the entire surface of the aluminum current collector, etching the aluminum foil current collector, and washing and drying the etched aluminum foil current collector.
摘要翻译：目的：提供一种使用光刻法制造具有三维图案结构的铝集电器的方法和包括铝集电器的制造超高容量电容器的方法，以有效地增加铝集电器和活性物质构成：具有三维图案结构的铝集电体的制造方法包括以下步骤：将铝箔集电体进行洗涤和干燥，将光致抗蚀剂溶液涂布在铝箔集电体的表面上，将显影溶液铺展在铝集电器的整个表面，蚀刻铝箔集电器，并洗涤和干燥蚀刻的铝箔集电器。

63. 发明公开

KR1020110089864A 감광성 수지 조성물 및 그 적층체 有权
标题翻译：光敏树脂复合材料及其层压材料
公开(公告)号：KR1020110089864A
公开(公告)日：2011-08-09
申请号：KR1020117012560
申请日：2010-03-16
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 히메다유카리 , 이데요우이치로
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/033 , H01L21/027 , H05K3/06
CPC分类号： G03F7/033 , G03F7/027 , G03F7/0041 , G03F7/029 , H01L21/0274 , H05K3/061
摘要： (A) 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖는 카르복실산 또는 카르복실산 무수물인 제 1 단량체와 분자 중에 중합성 불포화기를 1 개 갖고, 또한 비산성인 제 2 단량체를 적어도 공중합시킴으로써 얻어진 중량 평균 분자량 5,000 ∼ 100,000 인 공중합체인 바인더 폴리머 : 20 ∼ 90 중량％, (B) 분자 중에 적어도 1 개의 말단 에틸렌성 불포화기를 갖는 부가 중합성 모노머인 광 중합성 화합물 : 5 ∼ 75 중량％, 및 (C) 광 중합 개시제 : 0.01 ∼ 30 중량％ 를 함유하고, 소정의 조건하에서 현상을 실시한 후에 얻어진 감광성 수지층의 물접촉각이 60°이상이며 또한 영모듈러스가 4 ㎬ 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.

64. 发明授权

KR101016443B1 알루미늄 박막의 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：形成铝合金薄膜的方法
公开(公告)号：KR101016443B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020100093157
申请日：2010-09-27
申请人： 주식회사 조양이에스
发明人： 김형수 , 전찬규 , 조성균
IPC分类号： C23F1/02 , C23F1/20
CPC分类号： C23F1/02 , C09K13/04 , C23F1/20 , G03F7/0041
摘要： PURPOSE: A pattern forming method for an aluminum thin film is provided to quickly remove an oxide film of an aluminum thin film using primary etchant and consecutively form a pattern using secondary etchant. CONSTITUTION: A pattern forming method for an aluminum thin film is as follows. Pretreatment, coating, exposure, photolithography, and baking are successively carried out on an aluminum thin film(100,200,300,400,500). The aluminum thin film is etched with primary etchant. The aluminum thin film is etched with secondary to form a pattern on the aluminum thin film(600). Stripping and drying are successively carried out on the surface of the aluminum thin film(700,800). The primary etchant comprises deionized water filtrate(H2O), sulfuric acid(H2SO4), and hydrogen peroxide(H2O2) at the volume ratio of 50:1:1. The secondary etchant comprises deionized water filtrate(H2O) and ferric chloride(FeCl3).
摘要翻译：目的：提供一种用于铝薄膜的图案形成方法，以使用一次蚀刻剂快速去除铝薄膜的氧化膜，并使用二次蚀刻剂连续地形成图案。构成：铝薄膜的图案形成方法如下。在铝薄膜（100,200,300,400,500）上依次进行预处理，涂布，曝光，光刻和烘烤。用初级蚀刻剂蚀刻铝薄膜。铝薄膜被蚀刻以在铝薄膜（600）上形成图案。在铝薄膜表面依次进行剥离和干燥（700,800）。初级蚀刻剂以50:1:1的体积比包括去离子水滤液（H 2 O），硫酸（H 2 SO 4）和过氧化氢（H 2 O 2）。二次蚀刻剂包括去离子水滤液（H 2 O）和氯化铁（FeCl 3）。

65. 发明公开

KR1020100120974A 무기물층의 형성방법 有权
标题翻译：形成无机材料层的方法
公开(公告)号：KR1020100120974A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090039886
申请日：2009-05-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 차승남 , 송병권 , 장재은 , 강대준 , 이수옥
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0047 , G03F7/20 , G03F7/2002
摘要： PURPOSE: A method for forming inorganic layer is provided to perform additional process(annealing) at low temperature in a short time and to save preparation cost. CONSTITUTION: A method for forming inorganic material layer comprises: a step of forming source layer of inorganic material on a substrate; a step of patterning the source layer; and a step of annealing the source layer by laser to change into inorganic layer. The source layer contains inorganic material precursor, solubilizing agent, and solvent. The substrate is a glass substrate.
摘要翻译：目的：提供一种形成无机层的方法，以在短时间内在低温下进行附加工艺（退火）并节省制备成本。构成：形成无机材料层的方法包括：在基材上形成无机材料源层的步骤; 图案化源层的步骤; 以及通过激光将源层退火以变成无机层的步骤。源层含有无机材料前体，增溶剂和溶剂。基板是玻璃基板。

66. 发明公开

KR1020070018579A 광도파로 몰드 제작방법 失效
标题翻译：波导模具制造方法
公开(公告)号：KR1020070018579A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050073407
申请日：2005-08-10
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 이일항 , 이현식 , 안신모
IPC分类号： G02B6/02
CPC分类号： G02B6/3696 , G02B6/428 , G03F7/0041 , H05K1/0274
摘要： 본 발명은 O-PCB용 광도파로 제작에 있어 실리콘은 결정방향에 따라 다양한 각도로 습식 식각할 수 있음을 바탕으로 45도 거울면을 가진 광도파로 몰드를 이차에 걸친 습식 식각에 의해 제작함으로써 제작 공정을 단순화할 수 있도록 한 광도파로 몰드 제작방법을 제공한다.
이러한 본 발명은 실리콘 기판 상에 일차 식각을 통해 직사각형 몰드 구조물을 형성하는 제1 과정 및 상기 실리콘 기판 상의 직사각형 몰드 구조물의 양끝 부분을 습식 식각하여 45도 경사면을 형성하는 제2 과정을 수행하여 달성할 수 있으며, 본 발명은 O-PCB에서 수직 광결합을 위한 광도파로 양끝단의 45도 거울면 형성을 위한 실리콘 몰드를 일차 및 이차 습식 식각 과정을 통해 간단히 제조할 수 있게 됨에 따라 몰드 제작을 간소화할 수 있게 됨은 물론 이에 따라 제작 단가를 절감할 수 있게 된다.
O-PCB, 거울면, 광도파로, 실리콘 몰드, 습식 식각, 실리콘 방향성

67. 发明授权

KR1019960015787B1 전자부품 등을 제조하기 위해 레이저를 사용하는 리소그래피 방법 失效
标题翻译：使用激光制作电子元件和类似的光刻技术
公开(公告)号：KR1019960015787B1
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019870008699
申请日：1987-08-08
申请人： 퀀텀 코포레이션
发明人： 시암다스
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： G03F7/70875 , G03F7/0041 , H01F41/34

68. 发明公开

KR1020160126900A 레지스트 하층막 형성 방법 및 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：电阻膜形成方法和图案形成方法
公开(公告)号：KR1020160126900A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020160049099
申请日：2016-04-22
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 마츠무라,유시 , 와카마츠,고지 , 노사카,나오야 , 아베,츠바사 , 다키모토,요시오
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/09 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/22 , C08G8/30 , C09D161/14 , G03F7/0041 , G03F7/094 , H01L21/0271
摘要： [과제] 에칭내성이우수한레지스트하층막을형성할수 있는레지스트하층막형성방법을제공한다. [해결수단] 본발명은, 레지스트하층막형성용조성물을기판에도포하는도포공정과, 얻어진도막을산소농도가 1용량% 미만인분위기중, 450℃초과 800℃이하의온도에서가열하는가열공정을구비하고, 상기레지스트하층막형성용조성물이방향환을갖는화합물을함유하는레지스트하층막형성방법이다. 상기산소농도는 0.1용량% 이하인것이바람직하다. 상기온도는 500℃이상 600℃이하인것이바람직하다. 상기방향환을갖는화합물은주쇄에방향환을갖는수지, 분자량이 600 이상 3,000 이하인방향환함유화합물또는이들의조합인것이바람직하다. 상기주쇄에방향환을갖는수지는중축합화합물인것이바람직하다.
摘要翻译：一种方法包括在基底上施加组合物以在基底上形成涂膜。在氧气浓度小于1体积％且温度高于450℃和800℃以下的气氛中加热涂膜，以在基材上形成膜。该组合物包含包含芳环的化合物。涂膜加热时的气氛中的氧浓度优选为0.1体积％以下。涂膜加热时的气氛温度优选为500℃以上且600℃以下。

69. 发明公开

KR1020160083034A 변성 레지스트의 박리 방법, 이것에 이용하는 변성 레지스트의 박리액 및 반도체 기판 제품의 제조 방법 有权
标题翻译：改性抗剥落方法，其使用的改性剥离器及其制造半导体基材产品的方法
公开(公告)号：KR1020160083034A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020167014468
申请日：2014-11-14
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 스기시마야스오 , 카미무라테츠야 , 미즈타니아츠시
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311 , H01L21/8238 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/425 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , G03F7/42 , G03F7/0041 , G03F7/2043 , H01L21/02068 , H01L21/823864 , H01L2924/35121
摘要： 반도체기판에에칭액을적용하여, 상기반도체기판상의변성레지스트를박리하는박리방법으로서, 상기에칭액이, 알코올화합물과수산화제4급암모늄을함유하고, 상기수산화제4급암모늄화합물이수산화테트라에틸암모늄및 수산화테트라뷰틸암모늄중 적어도한쪽인박리방법이다.

70. 发明公开

KR1020160069522A 광변색성 화합물 및 조성물 无效
标题翻译：光敏化合物和组合物
公开(公告)号：KR1020160069522A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020167014820
申请日：2012-02-02
申请人： 트랜지션즈 옵티칼 인코포레이티드
发明人： 히멩 , 다비딘다린알 , 다이지아오-맨 , 지아오웬징 , 주루이송 , 몬달수지트 , 쿠마르아닐 , 쵸프라아누
IPC分类号： C07D311/78 , G03F7/038 , G03F7/028 , G03F7/004
CPC分类号： C07D311/92 , C07D311/94 , C07D311/78 , G03F7/0041 , G03F7/0047 , G03F7/028 , G03F7/0387
摘要： 본발명은일반적으로인데노[2',3':3,4]나프토[1,2-b] 피란구조를포함하는화합물에관한것이다. 이러한화합물은이의광변색성특성에유용할수 있고, 특정광변색성조성물에사용될수 있다. 이러한조성물은다른광변색성조성물및/또는물질을추가로포함할수 있다. 또한, 이러한화합물및/또는조성물은특정광변색성제품의제조에적합할수 있다. 특정광변색성화합물, 조성물및 제품의제조방법이또한본원에기술된다.

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