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61. 发明公开

KR1020090100506A 유기 금속 착물 및 칼코겐 원소를 이용하여 나노크기의금속 칼코게나이드를 제조하는 방법 有权
标题翻译：使用有机复合物和氯化铝制备纳米尺寸金属氯化铝材料的方法
公开(公告)号：KR1020090100506A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR1020080025719
申请日：2008-03-20
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 정택모 , 이영국 , 안기석 , 이선숙 , 성기환
IPC分类号： C07F1/08 , C07F15/04 , B82B3/00
CPC分类号： C07F1/08 , B82B3/00 , C07F15/045
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a metal chalcogenide of nano size using an organic metal complex and chalcogen atom is provided to produce the metal chalcogenide without separate reductant. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal chalcogenide of nano size using an organic metal complex and chacogen atom comprises a step of reacting a metal aminoalkoxide and chalcogenide atom. The metal aminoalkoxide and the chalcogenide are denoted by the chemical formulas 1 and 2 (MaX), respectively. In the chemical formulas 1 and 2, M is transition metal atom, m is 1-3 of integer, R1 to R4 is independently linear or branched alkyl group of C1-C5.
摘要翻译：目的：提供使用有机金属络合物和硫属原子制造纳米尺寸的金属硫族化物的方法，以制备金属硫属元素化物，而不需要分离的还原剂。构成：使用有机金属络合物和chacogen原子制造纳米尺寸的金属硫族化物的方法包括使金属氨基烷氧化物和硫族化物原子反应的步骤。金属氨基烷氧化物和硫族化物分别由化学式1和2（MaX）表示。在化学式1和化学式2中，M为过渡金属原子，m为整数1-3，R1至R4独立为C1-C5的直链或支链烷基。

62. 发明公开

KR1020090048751A 원자층 증착법을 이용한 금속 나노입자의 제조방법 失效
标题翻译：通过原子层沉积制备金属纳米颗粒的方法
公开(公告)号：KR1020090048751A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070114771
申请日：2007-11-12
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 이선숙
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01P2004/64
摘要： 본 발명은 금속 나노입자를 원자층 증착법으로 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 종래의 방법으로 제조하는 나노입자에 비하여 어떠한 기질 상에서도 그 크기와 분포 조절이 용이하여 나노 촉매 또는 자성 그리고 나노부유게이트 메모리 소자 용 금속 전하 저장층 등의 다양한 나노 기능 재료로 잘 응용할 수 있다.
나노입자, 나노점 크기 제어, 원자층 증착법, 나노튜브

63. 发明授权

KR100816543B1 신규의 헵타 코발트 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법 失效
标题翻译：新型羟丙基氨基氧化铝复合物及其制备方法
公开(公告)号：KR100816543B1
公开(公告)日：2008-03-25
申请号：KR1020060100399
申请日：2006-10-16
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 이선숙 , 박민정
IPC分类号： C07F15/06 , B82B1/00
CPC分类号： C07F15/06 , B82B1/00 , C01G51/04 , C01G51/42 , C01P2004/64 , C22B23/00 , C22C19/07 , C22C38/10 , C23C16/18 , C23C16/40
摘要： A cobalt precursor material, which is existent in very stable black solid state and is used to prepare cobalt and a cobalt oxide nano-material and an alloy including the cobalt, is provided to prepare a cobalt and a cobalt oxide thin films through various deposition methods. A cobalt amino alkoxide compound is represented by the formula(1) of Co7[O-A-NR^1R^2]6(H2O)3(OH)6O6, wherein A is linear or branched C2-4 alkylene substituted or unsubstituted by halogen; and each R^1 and R^2 is independently linear or branched C1-4 alkyl substituted or unsubstituted by halogen. A method for preparing the cobalt amino alkoxide compound of the formula(1) comprises a step of reacting a cobalt compound represented by the formula(3) of [Co(NH3)5X]X2 with an amino alkoxide alkali metal salt compound represented by the formula(4) of MO-A-NR^1R^2, wherein X is Cl, Br or I; M is Li, Na, or K; and A, each R^1 and R^2 is independently linear or branched C1-4 alkyl substituted or unsubstituted by halogen. Further, the method additionally comprises a step of performing work-up in air.
摘要翻译：提供以非常稳定的黑色固态存在并用于制备钴和钴氧化物纳米材料的钴前体材料和包含钴的合金，以通过各种沉积方法制备钴和氧化钴薄膜。钴氨基烷氧基化合物由式（1）表示为Co7 [O-A-NR] 1R ^ 2] 6（H2O）3（OH）6O6，其中A为被卤素取代或未取代的直链或支链C 2-4亚烷基; 并且每个R 1和R 2独立地是被卤素取代或未取代的直链或支链C 1-4烷基。制备式（1）的氨基钴酸钴化合物的方法包括使[Co（NH 3）5 X] X 2的式（3）表示的钴化合物与由式（4）的MO-A-NR ^ 1R ^ 2，其中X为Cl，Br或I; M为Li，Na或K; 和A，每个R 1和R 2独立地是被卤素取代或未取代的直链或支链C 1-4烷基。此外，该方法还包括在空气中进行后处理的步骤。

64. 发明授权

KR100684993B1 신규의 네오디뮴 화합물 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 신규의네오디뮴화합물및그제조방법
公开(公告)号：KR100684993B1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020060031579
申请日：2006-04-06
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국 , 김창균 , 정택모 , 안기석 , 이선숙 , 박미현
IPC分类号： C01G55/00
摘要： A neodymium complex represented by specific formula as precursor of neodymium oxide thin film is provided to show thermal stability and increased volatile property advantageous to form the thin film of neodymium oxide with high quality by reacting neodymium compound with alkali metal salt compound then substitution reacting the reactive product with alcohol compound. The neodymium oxide precursor is represented by a formula of Nd[O-A-N(R^3)-B-NR(^1)R(^2)]3 wherein A is C2 to C5 alkylene; B is C1-C4 alkylene; A and B are substituted by at least one of linear or branched alkyl group; and R^1, R^2 and R^3 are independently H or C1 to C5 linear or branched alkyl group. More particularly, the neodymium oxide precursor is represented by a formula of Nd[OCR(^4)R(^5)(CH2)mN(R(^3))-(CH2)nNR(^1)R(^2)]3 wherein R^1,R^2,R^3,R^4 and R^5 are independently H or C1 to C5 linear or branched alkyl group, and m and n are integer of 1 to 4. The neodymium oxide precursor is grown into neodymium oxide by MOCVD or ALD.
摘要翻译：提供由具体化学式表示的钕络合物作为氧化钕薄膜的前体，以显示热稳定性和增加的挥发性，其有利于通过使钕化合物与碱金属盐化合物反应形成高质量的氧化钕薄膜，产品与酒精化合物。氧化钕前体由式[Nd-O-A-N（R 3）-B-NR（R 1）R（R 2）] 3表示，其中A是C 2至C 5亚烷基; B是C1-C4亚烷基; A和B被至少一个直链或支链烷基取代; 并且R 1，R 2和R 3独立地为H或C 1至C 5直链或支链烷基。更具体地说，氧化钕前体由式[Nd（O）（CH 2）m N（R（R 3）） - （CH 2）n NR（R 1）R（R 2） ] 3其中R 1，R 2，R 3，R 4和R 5独立地为H或C 1至C 5直链或支链烷基，并且m和n为1至4的整数。氧化钕前体通过MOCVD或ALD生长成氧化钕。

65. 发明公开

KR1020060093391A 실리콘 아미노알콕사이드 화합물 및 제조 방법 无效
标题翻译：硅（IV）氨基氧化物的复合物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020060093391A
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050014105
申请日：2005-02-21
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국 , 정택모 , 김창균 , 박미현
IPC分类号： C07F7/10 , C07F7/18
CPC分类号： C07F7/0818 , C23C16/24 , C23C16/401 , C23C16/45525
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 새로운 실리콘 화합물은 열적으로 안정하고, 공기 중에서도 안정하며, 휘발성이 향상되어 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다.
[화학식 1]
Si(OCR
1 R
2 CH
2 NR
3
2 )
4
상기 식에서, R
1 , R
2 및 R
3 는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬이다.
실리콘 화합물

66. 发明授权

KR100609992B1 전자 주개-기능화된 아미노디올 화합물 및 이를 제조하는방법 失效
标题翻译：电子功能化氨基酸及其制备方法
公开(公告)号：KR100609992B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040042047
申请日：2004-06-09
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국 , 김윤수 , 김창균 , 정택모 , 김민찬
IPC分类号： C07C215/12 , C07C215/14
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한, 전자 주개로 기능화한 아미노디올 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화 아미노디올 화합물은 금속과 결합하여 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.

상기 식에서,
n은 1 내지 4의 정수이고,
R은 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬 기이고,
R'은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬 기 또는 알킬실릴 기이다.

67. 发明授权

KR100590051B1 란탄계 산화물 선구물질 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氧化镧前体及其制造方法
公开(公告)号：KR100590051B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040116259
申请日：2004-12-30
申请人： 한국화학연구원
发明人： 이영국 , 김윤수 , 김창균 , 정택모 , 김인정
IPC分类号： C07F5/00
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 란탄계 산화물 선구물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 란탄계 산화물 선구물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 개선되어 란탄계 산화물 박막 제조에 유리하게 사용될 수 있다.

상기 식에서,
M은 란탄(La), 에르븀(Er), 프라세오디뮴(Pr) 또는 세륨(Ce)이고,
R 및 R'은 각각 독립적으로 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬이며,
Y는 -OR" 또는 -NR"
2 (여기서, R"는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬임)이다.
摘要翻译：本发明涉及涉及一种氧化镧前体，和由下式表示的制造方法（1），根据本发明的氧化镧的前体是热稳定的并且波动得以改善氧化镧的薄膜可以在制造中有利地使用有。

68. 发明授权

KR100582920B1 아미노알콕사이드 리간드 함유 금속 화합물로부터 금속나노선 또는 나노막대의 제조방법 失效
标题翻译：从含有氨基氧化物配体的金属化合物制备金属纳米线或金属线
公开(公告)号：KR100582920B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020030071028
申请日：2003-10-13
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김창균 , 김윤수 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 이선숙 , 유승호 , 성기환 , 윤종욱
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물로부터 나노크기의 기공을 가지는 물질을 주형체로 사용하여 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.

69. 发明授权

KR100576932B1 휘발성 니켈 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조 방법 및이를 이용한 니켈 박막의 형성 방법 有权
标题翻译：挥发性镍类氨基氧化物复合物及其制备方法及使用其形成镍薄膜的方法
公开(公告)号：KR100576932B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030069585
申请日：2003-10-07
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김윤수 , 김창균 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 이선숙 , 유승호 , 성기환 , 정영숙 , 한기철
IPC分类号： C07F15/04
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 신규한 니켈 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 니켈 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 자성 물질 박막의 증착 또는 여러 가지 합금의 증착에 니켈의 원료 물질로서 유용하게 사용할 수 있다:

상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C
1 -C
4 의
선형 또는 분지형 알킬기이다.

70. 发明授权

KR100544355B1 4족 전이금속 산화물 선구 물질 및 이의 제조 방법 失效
标题翻译： IV族过渡金属氧化物的前驱体及其制备方法
公开(公告)号：KR100544355B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020030032469
申请日：2003-05-22
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김윤수 , 김창균 , 이영국 , 정택모 , 안기석 , 이선숙 , 장홍석
IPC分类号： C07F7/00
摘要： 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 산화물 선구 물질 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4족 전이금속 산화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 향상되어 양질의 4족 전이 금속 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다.
M[OCR
2 (CH
2 )
m Y]
x (NR"
2 )
(4-x)

상기 식에서, M은 티타늄, 지르코늄 또는 하프늄이고, R은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬이고, Y는 -OR' 또는 -NR'
2 (여기서, R'은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴이고, R"은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴이고, m은 1 내지 3 범위의 정수이며, x는 1 내지 4 범위의 정수이다.

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