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61. 发明公开

KR1020070036925A 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 无效
公开(公告)号：KR1020070036925A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020050091988
申请日：2005-09-30
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 조진희 , 이상조 , 전상호 , 안상혁 , 홍수봉 , 제병길
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/304 , H01J1/30 , H01J29/04 , H01J31/127
摘要： 본 발명은 구동 전극의 유효 폭을 넓혀 저항 증가를 줄이고 고해상도 구현에 유리한 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 기판과, 기판 위에 서로 절연되어 위치하는 캐소드 전극 및 게이트 전극과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부를 포함한다. 이때 캐소드 전극은 일 측면에 오목부를 구비하는 라인 전극과, 오목부에 의해 노출된 기판 위에서 라인 전극과 이격되어 위치하고 전자 방출부가 놓여지는 격리 전극들과, 라인 전극과 격리 전극들을 전기적으로 연결시키는 저항층을 포함한다.
저항층, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 전자방출부, 형광층, 애노드전극

62. 发明公开

KR1020070024138A 전자 방출 디바이스 및 그 제조방법 无效
标题翻译：电子发射装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070024138A
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050078751
申请日：2005-08-26
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 안상혁 , 이천규 , 이상조 , 전상호 , 홍수봉 , 신종훈
IPC分类号： H01J1/304
摘要： An electron emission device and a manufacturing method thereof are provided to minimize an interval between a gate electrode and an electron emission portion by forming openings on an upper portion of an insulating layer. A electron emission device includes a substrate; a cathode(12) formed on the substrate; a gate electrode(14) formed on the substrate, with an insulating layer(30) being interposed between the cathode and the gate electrode; an electron emission portion(16) formed on the cathode and exposed through openings(32) each formed on the insulating layer and the gate electrode. The opening formed on the insulating layer has a first opening with a cross area decreasing towards the substrate and a second opening(34) with a cross area increasing towards the substrate.
摘要翻译：提供电子发射器件及其制造方法，通过在绝缘层的上部形成开口来最小化栅电极和电子发射部分之间的间隔。电子发射装置包括：基板; 形成在所述基板上的阴极（12）形成在所述基板上的栅电极，在所述阴极和所述栅电极之间插入绝缘层; 形成在阴极上的电子发射部分（16），并通过开口（32）露出，每一个形成在绝缘层和栅电极上。形成在绝缘层上的开口具有第一开口，其横截面朝向衬底减小，第二开口（34）的横截面朝向衬底增加。

63. 发明公开

KR1020070014622A 전자 방출 소자 无效
标题翻译：电子发射装置
公开(公告)号：KR1020070014622A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069426
申请日：2005-07-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전상호 , 이천규 , 이상조 , 안상혁 , 홍수봉 , 신종훈
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
摘要： An electron emission device is provided to suppress abnormal discharge due to a high voltage of an anode electrode by forming a protective layer on edges of drive electrodes exposed to an internal vacuum space. A first substrate(2) and a second substrate(4) are disposed opposite to each other in order to form an internal vacuum space. An electron emission unit(10) is provided on the first substrate and includes electron emission units and drive electrodes(14,16,18) for controlling electron emission operations and electron beam paths of the electron emission units. An emission unit is provided on the second substrate and includes phosphor layers(24) and anode electrodes(28) formed on one side of each the phosphor layer. A protective layer(36) is formed to cover edges of the drive electrode facing the anode electrodes.
摘要翻译：提供一种电子发射装置，通过在暴露于内部真空空间的驱动电极的边缘上形成保护层来抑制由于阳极电极的高电压引起的异常放电。第一基板（2）和第二基板（4）彼此相对设置，以形成内部真空空间。电子发射单元（10）设置在第一基板上，并且包括用于控制电子发射操作和电子发射单元的电子束路径的电子发射单元和驱动电极（14,16,18）。发射单元设置在第二基板上，并且包括形成在每个荧光体层一侧的荧光体层（24）和阳极电极（28）。形成保护层（36）以覆盖面向阳极电极的驱动电极的边缘。

64. 发明授权

KR100658667B1 카본 에미터층을 갖는 삼극관형 전계 방출 표시소자의제조 방법 失效
标题翻译：制造具有碳排放层的三极管型场致发射显示装置的方法
公开(公告)号：KR100658667B1
公开(公告)日：2006-12-15
申请号：KR1020010007711
申请日：2001-02-16
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 안상혁 , 이찬재
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02 , B82Y40/00
摘要： 후막과 박막 공정을 적절하게 활용하여 정밀도가 높은 삼극관 구조를 실현하면서 전자 방출원으로 사용되는 카본 에미터층의 높이를 조절하여 전자의 퍼짐 현상을 억제할 수 있도록 한 전계 방출 표시소자의 제조 방법에 관한 것으로서,
제 1기판 윗면에 투명한 캐소드 전극 라인을 형성하고; 캐소드 전극 위 에미터 형성 부위에 홀을 갖는 불투명한 절연층을 형성하며; 에미터 형성 부위를 제외한 상기 절연층 위로 게이트 전극 라인을 형성하고; 카본 물질과 네가티브(negative) 감광성 물질을 혼합한 에미터 페이스트를 제 1기판 전면에 도포하며; 제 1기판의 뒷면을 통해 노광하여 절연층의 홀에 채워진 에미터 페이스트를 선택적으로 경화시켜 카본 에미터층을 형성하고; 제 2기판에 애노드 전극과 형광막을 형성하며; 상기 제 1 및 제 2기판을 시일재로 밀봉하고 내부를 배기시키는 과정을 포함하는 삼극관형 전계 방출 표시소자의 제조 방법을 제공한다.
전계방출표시소자, 전계방출, 캐소드전극, 애노드전극, 에미터, 절연층, 카본나노튜브

65. 发明公开

KR1020060094271A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060094271A
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020050015311
申请日：2005-02-24
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전상호 , 이병곤 , 안상혁 , 홍수봉
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J3/021 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J1/88 , H01J29/481 , H01J29/862
摘要： 본 발명은 제1 기판의 표면 조도를 최적화하여 구동 전극들과 절연층의 표면 균일도를 높이면서 제1 기판에 대한 전극의 탈리 현상을 방지하도록 한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 전자 방출부와 구동 전극들 및 절연층이 제공되는 제1 기판과, 형광층이 제공되며 가장자리가 제1 기판에 일체로 봉착되어 제1 기판과 함께 진공 구조체를 구성하는 제2 기판을 포함하며, 제1 기판이 다음의 조건을 만족한다.
0.5nm ≤ Ra ≤ 2.0nm
여기서, Ra는 제1 기판의 평균 조도값을 나타낸다.
기판, 전자방출부, 구동전극, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 형광층, 애노드전극, 조도, 거칠기

66. 发明公开

KR1020060060119A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060060119A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020040099000
申请日：2004-11-30
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 홍수봉 , 안상혁 , 이상조
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/304 , H01J2201/30446
摘要： 본 발명은 스페이서에 전하가 축적되지 않도록 하여 전자빔 경로 왜곡을 방지하고, 전자 방출부에서 방출되는 전자들을 집속시켜 타색 발광을 최소화하는 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 제1 기판 위에 형성되는 게이트 전극들과, 절연층을 사이에 두고 게이트 전극들 위에 형성되고 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 라인부 및 라인부의 일측면으로부터 연장된 연장부들을 포함하는 캐소드 전극들과, 각 연장부와 전기적으로 연결되는 한 쌍의 전자 방출부와, 게이트 전극과 전기적으로 연결되면서 절연층 위에서 각각의 연장부와 한 쌍의 전자 방출부를 둘러싸도록 형성되는 대향 전극과, 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되고 라인부와 직교하는 방향을 따라 전자 방출부와 이격되어 위치하는 스페이서들� � 포함한다.
스페이서, 전자차징, 캐소드전극, 게이트전극, 전자방출부, 애노드전극

67. 发明公开

KR1020060037650A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060037650A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086671
申请日：2004-10-28
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이천규 , 안상혁 , 홍수봉 , 이병곤 , 전상호 , 이상조
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/30 , H01J31/12 , H01J2201/30446
摘要： 본 발명은 전자 방출부와 게이트 전극간 거리를 최적화하여 전자 방출부와 게이트 전극 사이의 누설 전류 발생을 최소화하면서 전자 방출부에 인가되는 전계 세기를 높이기 위한 전자 방출 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는 기판 위에 형성된 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부와, 적어도 일부가 전자 방출부와 실질적으로 같은 층에 위치하며 전자 방출부 주위에 전자 방출을 위한 전계를 형성하는 게이트 전극을 포함하며, 전자 방출부와 게이트 전극은 기판의 면 방향을 따라 1~30㎛의 간격을 사이에 두고 위치한다.
캐소드전극, 게이트전극, 전자방출부, 애노드전극, 형광층, 대향전극

68. 发明公开

KR1020060019853A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060019853A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040068527
申请日：2004-08-30
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 안상혁 , 이상조 , 홍수봉
IPC分类号： H01J1/30 , G09G3/22 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/304 , G09G3/22 , H01J2201/30453
摘要： 본 발명의 목적은 화면 좌우측에서의 휘도 균일성을 확보함과 동시에 전자들의 집속성을 높여 화면의 색재현성을 극대화할 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 제 1 기판; 제 1 기판 위에 형성되는 하부 캐소드 전극; 하부 캐소드 전극을 덮으면서 제 1 기판 위에 형성되는 절연층; 절연층 위로 제 1 기판 상에 설정되는 화소 영역마다 서로 이격되어 위치하고, 하부 캐소드 전극과 동일 전압을 인가받는 제 1 및 제 2 상부 캐소드 전극; 제 1 및 제 2 상부 캐소드 전극 사이에서 서로 평행하게 형성되는 제 1 및 제 2 전극으로 이루어진 게이트 전극; 게이트 전극과 마주보는 제 1 및 제 2 상부 캐소드 전극의 일측 가장자리에 각각 형성되는 전자 방출부; 및 게이트 전극의 제 1 및 제 2 전극 사이에서 제 1 및 제 2 전극과 평행하게 형성되는 집속 전극을 포함하는 전자 방출 소자에 의해 달성될 수 있다.
전자 방출 소자, 집속 전극, 데이터 신호, 주사 신호, 캐소드 전극

69. 发明公开

KR1020050104652A 전자 방출 표시 장치 및 그 구동 방법 无效
标题翻译：电子发射显示装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020050104652A
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：KR1020040029997
申请日：2004-04-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 안상혁 , 이상조 , 홍수봉
IPC分类号： G09G3/22
CPC分类号： G09G3/22 , G09G3/2014 , G09G2310/06
摘要： 본 발명은 전자 방출 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 매트릭스 모양으로 형성된 복수의 주사 전극과 데이터 전극을 구비하고, 주사 전극과 데이터 전극 간에 인가되는 전압에 대응하여 영상을 표시하는 표시 패널, 데이터 전극에 제1 및 제2 레벨의 전압을 갖는 데이터 신호를 인가하는 데이터 전극 구동부, 복수의 주사 전극 중 선택 주사 전극에는 제3 레벨의 전압을 인가하고, 비선택 주사 전극에는 제4 레벨의 전압을 인가하는 주사 전극 구동부, 및 영상 신호의 계조 정보를 이용하여 제4 레벨의 전압을 제어하는 전압 보상부를 포함한다.

70. 发明公开

KR1020050051367A 그리드 기판을 구비한 전계 방출 표시장치 无效
标题翻译：具有网格板的场发射显示
公开(公告)号：KR1020050051367A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：KR1020030085139
申请日：2003-11-27
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 안상혁
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J29/06 , H01J31/127 , H01J1/30 , C01B32/05
摘要： 본 발명은 그리드 기판의 개구부 패턴을 개선하여 애노드 전극의 고전압 인가를 가능하게 하는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과; 제1 기판 상에서 절연층을 사이에 두고 위치하는 캐소드 전극 및 게이트 전극들과; 캐소드 전극에 제공되는 전자 방출원과; 제2 기판 상에 형성되는 애노드 전극과; 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막과; 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되고, 전자빔 통과를 위한 다수의 개구부를 형성하는 그리드 기판을 포함하며, 제1 기판 상에 설정되는 서브-픽셀마다 복수개의 개구부가 대응 배치되는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

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