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61. 发明公开

KR1020100041644A 수소 이용 화학 반응으로 고용량 주입 스트립(ＨＤＩＳ) 방법 및 장치 有权
标题翻译： H2基础化学中的高剂量植入条纹（HDIS）
公开(公告)号：KR1020100041644A
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：KR1020080116792
申请日：2008-11-24
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 고토,하루히로해리 , 청,데이비드
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/427
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus of a high dose implantation strip(HDIS) in hydrogen base chemistry are provided to reduce the loss of silicon while a residue on a work piece is removed by reacting a plasma reactant gas and a photo resist material on the work piece. CONSTITUTION: A hydrogen-contained gas, a weak oxidizing agent and a fluorine-contained gas are injected in a plasma source(101). Plasma is generated from the plasma source. An inert gas(113) is injected into a downstream of the plasma source and the upstream of a work piece. The hydrogen-contained gas, a weak oxidizing agent and a fluorine-contained gas react with a photo resist material. The weak oxidizing agent is a carbon dioxide.
摘要翻译：目的：提供氢基化学中高剂量注入条（HDIS）的方法和装置，以减少硅的损失，同时通过在等离子体反应气体和抗蚀剂材料上反应来除去工件上的残留物工件构成：将含氢气体，弱氧化剂和含氟气体注入等离子体源（101）。从等离子体源产生等离子体。将惰性气体（113）注入到等离子体源的下游和工件的上游。含氢气体，弱氧化剂和含氟气体与光致抗蚀剂材料反应。弱氧化剂是二氧化碳。

62. 发明公开

KR1020090116649A 포토레지스트 스트리핑 방법 및 장치 无效
标题翻译：光电子剥离方法和装置
公开(公告)号：KR1020090116649A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020090039399
申请日：2009-05-06
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 리브킨,마이클 , 크로토프,피터
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/67103 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , G03F7/427 , G03F7/70716
摘要： PURPOSE: A photoresist stripping method and an apparatus are provided to reduce the emissivity of the platen and reduce wafer resistance dependability, so various low emissivity materials is used as the surface of the platen. CONSTITUTION: In a photoresist stripping method and an apparatus, a pedestal(401) supports a substrate. A platen(403) has a surface facing the substrate having emissivity less than 0.3. A heating element(407) is arranged at a lower part of the platen, and a shaft(405) moves a pedestal between a descending and ascending position. The surface facing the substrate of a platen includes more than one bump for a supporting substrate. The height of a bump is between 0 and 0.010 inch.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂剥离方法和设备以减少压板的发射率并降低晶片电阻可靠性，因此使用各种低辐射率材料作为压板的表面。构成：在光致抗蚀剂剥离方法和装置中，基座（401）支撑基板。压板（403）具有面向基板的表面，发射率小于0.3。加热元件（407）布置在压盘的下部，轴（405）在下降位置和上升位置之间移动基座。面对台板的基板的表面包括多于一个用于支撑基板的凸块。凸块的高度在0到0.010英寸之间。

63. 实用新型

KR2020090009681U 가스 유동 분배 리셉터클 및 플라즈마 발생기 시스템 有权
标题翻译：气体流量分配接收器和等离子发生器系统
公开(公告)号：KR2020090009681U
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR2020080014137
申请日：2008-10-24
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 키우,후아탄 , 충,우디 , 구하,아니르반 , 청,데이비드
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/30 , H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/321 , H01J37/32458 , H05H1/46 , H05H2001/4652
摘要： 플라즈마 스트리핑용 시스템, 및 시스템의 구성 요소가 제공된다. 일 실시예에서, 가스 유동 분배 리셉터클은 수용 캐비티를 형성하는 내부면, 포위 단부를 형성하는 외부면, 및 외부면 상에 있고 그를 통해 그리고 수용 캐비티를 통해 연장하는 종축을 갖는 중심점을 포함하는 라운딩 섹션을 가질 수 있다. 개구들의 제1링 및 제2링이 플라즈마 챔버와 유체 연통을 제공한다. 개구들의 제2링은 제1링과 중심점 사이에 배치되고, 제2링 각각의 개구는 제1각도보다 작은 종축에 대한 제2각도로 내부면과 외부면 사이로 연장되고, 인접한 개구의 직경과 실질적으로 동일하고 제1링의 개구의 직경보다 작은 직경을 갖는다.

64. 实用新型

KR2020090003703U 온도 제어 샤워헤드 有权
标题翻译：温度控制淋浴
公开(公告)号：KR2020090003703U
公开(公告)日：2009-04-21
申请号：KR2020080013796
申请日：2008-10-16
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 메인홀드,헤너 , 더블,댄엠. , 라우,스테판 , 윌슨,빈스 , 스리니마산,이에워
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/00
摘要： 화학적인 기상 증착법(CVD)을 위한 온도 제어된 샤워헤드 챔버는 전기적인 히터를 사용하여 정밀한 온도 제어를 가능하게 하기 위해 열을 분산하는 것을 강화시킨다. 열은 후방 플레이트로부터 복사(radiation) 및 유체 통로와 샤워헤드 스템을 통하여 수행됨으로써 분산된다. 온도 제어 시스템은 열 교환기에 연속적으로 연결된 유체 통로를 갖는 CVD 챔버 내에서 하나 이상의 온도 제어된 샤워헤드를 포함한다.

65. 发明授权

KR100294816B1 치환된플루오로카본중합체층의부착방법 失效
公开(公告)号：KR100294816B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019970031004
申请日：1997-07-03
申请人： 노벨러스 시스템즈 인코포레이티드
发明人： 로건마크에이.
IPC分类号： C23C16/06
摘要： 본 발명은 치환된 플루오로카본 중합체 층의 부착방법에 관한 것으로서,
상기는 높은 정도의 가교결합을 나타내고, 치환된 플루오로카본 중합체 층의 형성은 반응기에 기판을 놓고, 반응기의 압력을 100 torr 이하로 유지하면서 반응기에 프로세스 기체를 첨가하는 것을 포함하며, 선택적으로 상기 기판에 바이어스를 걸고, 상기 프로세스 기체를 이온화하고, 기판에 치환된 플루오로카본 중합체 층을 부착시키는 것을 특징으로 한다.

66. 发明公开

KR1019990044702A 스퍼터링 장치와 액냉식 타깃 조립품 无效
标题翻译：溅射设备和液体冷却目标组件
公开(公告)号：KR1019990044702A
公开(公告)日：1999-06-25
申请号：KR1019980702026
申请日：1997-07-17
申请人： 노벨러스 시스템즈 인코포레이티드
发明人： 앤더슨리차드엘
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 마그테트론 스퍼터링 장치는(25) 타깃 조립품(20)의 양측면 사이의 압력을 줄일 수 있고 각각의 챔버안쪽에 압력을 개별적으로 제어할 수 있는 개구부에서 일반적으로 평평한 타깃 조립품(20)과 서로 가까이 있는 스퍼터링 챔버(10)와 압력을 제어할 수 있는 챔버(25)를 구비한다. 타깃 조립품(20)은 홈들에 의해 형성된 통로를 통하여 유동하는 냉각 유체가 타깃을 냉각할 수 있는 타깃 판(40)의 후방 표면에서 부착된 홈표면에서의 냉각판과 스퍼터링 챔버안쪽에 스퍼터링 표면(45)에서 타깃판(40)을 구비한다. 홈들은 효과적이고 균일한 냉각을 위해서 서로 평행하고 일직선인 다수의 통로들을 구비하는 원형으로서 형성되어진다. 타깃 조립품(20)은 타깃의 스퍼터링 표면(45)이 소모되어짐으로서 일정함을 유지하면서 스퍼터되어지는 물체(33)와 스퍼터링 표면(45)사이의 거리에서 스퍼터링 표면(45)에 수직적으로 움직일 수 있다.

67. 发明授权

KR1019970011643B1 처리 가공시 가스 베이스 기판을 보호하는 장치 및 방법 失效
标题翻译：基板加工过程中的保护装置和保护方法
公开(公告)号：KR1019970011643B1
公开(公告)日：1997-07-12
申请号：KR1019910012092
申请日：1991-07-16
申请人： 노벨러스 시스템즈 인코포레이티드
发明人： 에버하드우스피.반드벤 , 엘리어트케이.브로스벤트 , 제프레이씨.벤징 , 베리엘.친 , 크리스토퍼더블유.불크하트
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： C23C16/45521 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/54 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/6838 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T29/41
摘要： 내용없음

68. 发明公开

KR1019940011344A 액체로부터 용해된 가스를 제거하기 위한 장치 및 그 제거 방법 无效
标题翻译：去除液体中溶解气体的装置及其去除方法
公开(公告)号：KR1019940011344A
公开(公告)日：1994-06-21
申请号：KR1019930024026
申请日：1993-11-12
申请人： 노벨러스 시스템즈 인코포레이티드
发明人： 바트제이.밴슈라벤디크 , 크리스토퍼더블유.버크하트 , 티토에이치.산티아고 , 챨스이.포머로이 , 제프리더블유.린드
IPC分类号： B67D99/00
摘要： 본 발명은 액체를 송출하기 위한 장치 및 방법을 개시하고 있다. 용기내에 있는 액체는 가압 가스를 받는다.
액체 내에 용해된 가압가스는 압력차를 받는 가스가 투과가능한 관을 통해 액체를 통과시킴으로써 탈가스 모듈내에서 제거된다. 그후 액체는 액체 질량 흐름 제어기에 의해 분배된다.

69. 发明授权

KR102216393B1 합금 도금 시스템에서 패시베이션으로부터 애노드 보호 有权
公开(公告)号：KR102216393B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020200098584
申请日：2020-08-06
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 추아리펑 , 메이어스티븐티 , 포터데이비드더블유 , 폰누스와미토마스에이
IPC分类号： C25D21/12 , C25D17/10 , C25D17/00 , C25D3/60 , C25D21/18
摘要： 실질적으로상이한표준전기증착전위들을갖는 2개의금속들의연속적인동시전기도금을위한 (예를들면, Sn-Ag 합금들의증착을위한) 장치는, 덜귀한제 1 금속 (예를들면, 주석) 의이온들을포함하지만더 귀한제 2 금속 (예를들면, 은) 의이온들은포함하지않는애노드액및 활성애노드를격납하기위한애노드챔버; 제 1 금속 (예를들면, 주석) 의이온들, 더귀한제 2 금속 (예를들면, 은) 의이온들을포함하는캐소드액및 기판을격납하기위한캐소드챔버; 애노드챔버와캐소드챔버사이에배치되는세퍼레이션구조체로서, 캐소드액으로부터애노드액으로더 귀한금속의전달을실질적으로방지하는세퍼레이션구조체; 그리고장치에커플링되고연속적인전기도금을수행하기위해구성되는한편, 연장된사용기간동안도금조컴포넌트들의실질적으로일정한농도를유지하는유체피쳐들및 연관제어기를포함한다.

70. 发明公开

KR1020210014180A 유기금속 공-반응물들과의 교차-복분해 반응들을 통해 ＳＩＣ 및 ＳＩＣＮ 막들을 증착시키기 위한 장치들 및 방법들 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210014180A
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020210010430
申请日：2021-01-25
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 라보이애드리언
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/32 , C23C16/36 , C23C16/455
摘要： 여기에기재된것은, 반도체기판들의표면들상에 SiC/SiCN 막층들을형성하는방법들이다. 방법들은, 실리콘-함유막-전구체및 유기금속리간드전달제를프로세싱챔버로도입하는단계, 조건들하에서반도체기판의표면상으로실리콘-함유막-전구체, 유기금속리간드전달제, 또는그 양자를흡착시키는단계로서, 그들중 하나또는양자는흡착-제한된층을형성하는, 흡착시키는단계, 및그들중 하나또는양자가흡착-제한된층을형성한이후, 유기금속리간드전달제와실리콘-함유막-전구체를반응시키는단계를포함할수도있다. 반응은막 층의형성을초래한다. 몇몇실시형태들에서, 유기금속리간드전달제의실질적으로모든금속을함유하는부산물이또한형성되며, 방법들은프로세싱챔버로부터부산물을제거하는단계를더 포함할수도있다. 또한여기에기재된것은, SiC/SiCN 막층들을형성하기위한반도체프로세싱장치들이다.

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