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51. 发明授权

KR101031407B1 단결정 실리콘 탄화물의 형성방법 失效
标题翻译：形成单晶碳化硅
公开(公告)号：KR101031407B1
公开(公告)日：2011-04-26
申请号：KR1020047018440
申请日：2003-05-15
申请人： 상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄 , 노바지끄 , 엥스띠뛰 뽈리떼끄니끄 드 그르노블
发明人： 마다르,롤랑 , 뽕,미셸 , 바이에,프랑시 , 샤르삥띠에,뤼도빅 , 뻬르노,에띠엔느 , 쇼씽드,디디에 , 뛰로베,다니엘,엠.
IPC分类号： C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
CPC分类号： C30B23/005 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
摘要： 본 발명은 단결정 또는 다결정 형태로 존재할 수 있는, 부조합 증발을 갖는 단-결정 상태의 화합물 바디를 형성시키는 디바이스(10)에 관한 것으로, 상기 디바이스(10)는 상기 바디의 다결정 소스(source) 및 상기 화합물의 단결정 원(germ; 46)이 형성되는 기판(42)을 함유하는 제1챔버(20); 제2챔버(14), 여기서 상기 기판은 상기 2개의 챔버 사이에 배열됨; 상기 기판상에 상기 화합물을 다결정 형태로 증착시킬 수 있는 제2챔버 내에 상기 바디의 가스 전구체를 공급하는 수단(36); 및 상기 다결정 소스의 승화 및 상기 원 상에 상기 화합물의 단-결정 형태로의 증착을 일으키기 위하여 상기 원 온도를 초과하는 온도에서 상기 기판을 유지시키는 가열 수단(26)을 포함한다.
단결정, 실리콘 탄화물, 디바이스, 다결정

52. 发明授权

KR100693078B1 Ａｌ계 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 기상 성장 방법, Ａｌ계Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 제조 방법 및 제조 장치 有权
标题翻译：用于包含α-V族化合物半导体的蒸气相生长方法，以及用于生产含有α-V族化合物半导体的方法和装置
公开(公告)号：KR100693078B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020047016182
申请日：2003-04-07
申请人： 노우코우다이 티엘오 가부시키가이샤
发明人： 고우키츠아키노리 , 구마가이요시나오 , 마루이도모히로
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B23/02 , C30B25/14
CPC分类号： C30B25/02 , C23C16/303 , C30B25/14 , C30B29/403 , Y10T117/10 , Y10T117/1016
摘要： Al을 포함하는 III-V족 화합물 반도체를 종래의 HVPE법으로 결정 성장시키는 경우에, 석영과 반응하는 염화 알루미늄(AlCl), 브롬화 알루미늄(AlBr)의 발생을 억제하기 위하여 III족으로서 Al을 포함하는 III-V족 화합물 반도체를 기상 에피택시법으로 액정 성장시키는 방법으로서, Al과 할로겐화수소를 700℃이하의 온도에서 반응시켰다.
그 결과, 반응 용기인 석영과 격렬히 반응하는 염화 알루미늄(AlCl), 브롬화 알루미늄(AlBr)의 발생을 억제하였다. 이것에 의해, 100미크론/hour이상의 속도의 Al계 III-V족 화합물 반도체 기상 성장이 가능하게 되고 기판이나 내열악 환경 반도체 소자가 양산될 수 있게 되었다. 즉, Al과 할로겐화수소를 700℃이하의 온도에서 반응시킴으로써, 상기 과제를 해결하였다.
기상 에피텍시법

53. 发明公开

KR1020060036472A 에피택셜 성장층의 제조방법 有权
标题翻译：一种制造外观成层的方法
公开(公告)号：KR1020060036472A
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020067001684
申请日：2004-07-07
申请人： 소이텍
发明人： 포레,브르스 , 디쵸치오,레아
IPC分类号： C30B25/02 , C30B23/02
CPC分类号： H01L21/76254 , C30B25/18 , C30B33/00
摘要： The invention concerns a method of fabricating an epitaxially grown layer (6). This method is remarkable in that it comprises the following steps consisting in : a) implanting atomic species within a support substrate (1) to define therein a zone of weakness (12) which demarcates a thin support layer (13) from the remainder (11) of said substrate; b) growing said epitaxial layer (6) by epitaxial growth carried out either directly on said thin support layer (13) or on an interposed layer (5, 23, 31, 32) transferred thereto; c) detaching said remainder (11) from the thin support layer (13) along the zone of weakness (12) by deliberately supplying external energy. Application to the field of optics, optoelectronics, or electronics.
摘要翻译：本发明涉及一种制造外延生长层（6）的方法。该方法是显着的，其包括以下步骤，其包括：a）在支撑衬底（1）内植入原子物质以在其中限定弱化区（12），其将薄支撑层（13）与剩余部分（11））; b）通过外延生长直接在所述薄载体层（13）上或在转移到其上的中间层（5,23,31,32）上生长所述外延层（6）; c）通过有意地提供外部能量沿所述弱化区域（12）将所述剩余部分（11）从所述薄支撑层（13）分离。应用于光学，光电子学或电子学领域。

54. 发明公开

KR1020050033558A 차등진공펌핑을 가진 원료증발쳄버 有权
标题翻译：具有差异真空抽吸的材料蒸发室
公开(公告)号：KR1020050033558A
公开(公告)日：2005-04-12
申请号：KR1020047020666
申请日：2003-06-18
申请人： 리베르
发明人： 체익스캐서린 , 제리알라인 , 누테피에르안드레 , 록퀘트진-피에르 , 폼페이린진 , 시에그와르트헤인즈
IPC分类号： C23C14/24 , C30B23/02
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/564 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B35/00
摘要： The invention relates to a material evaporation chamber, comprising a vacuum chamber (10) and a first pumping unit (13) for pumping said chamber and material sources. According to the invention, a wall (23), which can provide a total or partial vacuum seal, divides said chamber into a first volume (25) and a second volume (22). Certain material sources (17) with a principal axis (18) are placed in the second volume (22). Said second volume (22) is pumped by a second pumping unit (24). The wall (23) comprises apertures (26) which are each centered on the principal axis (18) of one of the material sources (17). The evaporation chamber further comprises means (27) for blocking or opening each of said apertures (26), said means (27) being controlled individually to protect the material sources (17) having an unused principal axis (18).
摘要翻译：本发明涉及一种材料蒸发室，包括真空室（10）和用于泵送所述室和材料源的第一抽水单元（13）。根据本发明，可以提供全部或部分真空密封件的壁（23）将所述室分成第一容积（25）和第二容积（22）。具有主轴（18）的某些材料源（17）被放置在第二容积（22）中。所述第二容积（22）由第二泵送单元（24）泵送。壁（23）包括孔（26），孔（26）各自以材料源（17）之一的主轴线（18）为中心。蒸发室还包括用于阻塞或打开每个所述孔（26）的装置（27），所述装置（27）被单独控制以保护具有未使用的主轴线（18）的材料源（17）。

55. 发明公开

KR1020010029199A 질화물 단결정 기판 제조 장치 및 방법 无效
标题翻译：装置和制造氮化物单晶基板的方法
公开(公告)号：KR1020010029199A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990041892
申请日：1999-09-30
申请人： 주식회사 옵토웨이퍼테크
发明人： 김봉철
IPC分类号： C30B23/02
CPC分类号： C30B25/02 , C30B25/08 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/64 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing a nitride single crystal substrate are provided to effectively prevent cracks which are produced on the single crystal substrate during the process of forming a nitride single crystal substrate by separating a nitride film formed on a base substrate from the base substrate. CONSTITUTION: The apparatus for manufacturing a substrate comprises a reaction chamber (11A) where a thick film growing process is performed on a base substrate (30); a heating chamber connected to the reaction chamber (11A), wherein a laser irradiating process for manufacturing the substrate is carried out by separating the thick film from the base substrate (30); and a specimen holder (40) maintaining a certain temperature mounted in the heating chamber (11C). The method for manufacturing a substrate comprises the steps of preparing a base substrate; forming a thick film on the base substrate in a reaction chamber; and manufacturing the substrate by irradiating laser on the base substrate as maintaining the base substrate to a certain temperature higher than an ordinary temperature so that the thick film is separated from the base substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造氮化物单晶衬底的装置和方法，以有效地防止在形成氮化物单晶衬底的过程中在单晶衬底上产生的裂纹，其通过将形成在基底衬底上的氮化物膜与基底。构成：用于制造基板的装置包括在基底（30）上进行厚膜生长处理的反应室（11A）。连接到所述反应室（11A）的加热室，其中通过从所述基底基板（30）分离所述厚膜来进行用于制造所述基板的激光照射工艺; 和保持在加热室（11C）内的一定温度的试样架（40）。制造基板的方法包括以下步骤：制备基底; 在反应室中的基底基板上形成厚膜; 并且通过在将基底基板保持在高于常温的一定温度下将激光照射在基底基板上来制造基板，从而使厚膜与基底分离。

56. 发明公开

KR870006633A MBE법에 의집 기판에 격자정합시키는 4원 또는 5원 혼정반도체의 성장방법 失效
公开(公告)号：KR870006633A
公开(公告)日：1987-07-13
申请号：KR860009758
申请日：1986-11-18
IPC分类号： H01L21/203 , C30B23/02 , C30B23/08
摘要： 내용없음.

57. 发明授权

KR100022067B1 화합물의 박층필름 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100022067B1
公开(公告)日：1986-11-06
申请号：KR1019800001508
申请日：1980-04-11
申请人： 오이로자압
发明人： 투모순톨라 , 아르토파칼라 , 스벤린드포스
IPC分类号： C30B23/02 , C23C14/24

58. 发明授权

KR860001051B1 화합물의 박층필름 제조장치 失效
公开(公告)号：KR860001051B1
公开(公告)日：1986-08-01
申请号：KR830005371
申请日：1983-11-11
申请人： LOHIA AB OY
发明人： SUNTOLA TUOMO S , PAKKALA ARTO J , LINDFORS SVEN G
IPC分类号： C30B23/02 , C23C14/24

59. 发明授权

KR102450901B1 분자선 에피택시 박막 성장 장치 有权
公开(公告)号：KR102450901B1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：KR1020210008548
申请日：2021-01-21
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/06

60. 发明授权

KR102442732B1 탄화규소 웨이퍼 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102442732B1
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：KR1020210151813
申请日：2021-11-05
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/02 , H01L21/02
摘要： 탄화규소웨이퍼및 이의제조방법이개시된다. 탄화규소웨이퍼는상면및 하면을포함하고, 상기상면은상기상면의중심을기준으로상기상면의반지름의 85% 내인제 1 대상영역을포함하고, 상기제 1 대상영역에서제 1 방향으로 15mm 간격으로측정되는제 1 피크오메가각도가상기상면의중심에서측정된중심피크오메가각도를기준으로 -1˚내지 +1˚이내이고, 상기제 1 방향은 [1-100] 방향이고, 상기상면의중심을통과하는방향이다.

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