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51. 发明公开

KR1020150066489A 블록 공중합체 有权
标题翻译：嵌段共聚物
公开(公告)号：KR1020150066489A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020140175411
申请日：2014-12-08
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박노진 , 김정근 , 이제권 , 윤성수
IPC分类号： C08F297/00 , C08F212/08 , C08F212/14 , C08F212/12 , C08F220/10 , C08F216/12 , C08J5/18 , C08J7/04 , G03F7/00
CPC分类号： C08F293/005 , B81C1/00428 , B81C1/00531 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C07C35/48 , C07C43/215 , C07C43/225 , C07C217/84 , C07C2601/16 , C07D209/48 , C07F7/1852 , C08F12/20 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/32 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/30 , C08F2438/03 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J7/14 , C08J2353/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/162 , C08F297/00 , C08F212/08 , C08F212/12 , C08F216/12 , C08J7/047 , G03F7/00
摘要： 본출원은, 블록공중합체및 그용도가제공될수 있다. 본출원의블록공중합체는자기조립성이우수하여다양한용도에서효과적으로적용될수 있다.
摘要翻译：本发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明的嵌段共聚物具有优异的自组装性，因此可以有效地应用于各种用途。嵌段共聚物包含第一嵌段。

52. 发明公开

KR1020150015388A 상 분리 구조를 함유하는 구조체의 제조 방법, 패턴 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：生产包含相分离结构的结构的方法，形成图案的方法和形成精细图案的方法
公开(公告)号：KR1020150015388A
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：KR1020140096239
申请日：2014-07-29
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 마츠미야다스쿠 , 세시모다케히로 , 미야기겐 , 마에하시다카야 , 다자이다카히로 , 우츠미요시유키
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C08L53/00 , B05D1/185 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82B3/00 , C09D153/00 , H01L21/0274
摘要： 지지체 상에 중성화막으로 이루어지는 층을 형성하는 공정, 중성화막으로 이루어지는 층 상에, P
A 블록과, 다른 구성 단위로 이루어지는 P
B 블록이 결합한 블록 코폴리머를 함유하는 층을 형성하는 공정, 당해 블록 코폴리머를 함유하는 층을 어닐하는 공정을 갖는 상 분리 구조를 함유하는 구조체의 제조 방법으로서, P
A 블록, P
B 블록, 및 중성화막의 각각의 표면 자유 에너지를 (분산 성분 (d)
0.5 , 극성 성분 (p)
0.5 ) 의 좌표 평면 상에, P
A 블록의 점 A ((dP
A )
0.5 , (pP
A )
0.5 ), P
B 블록의 점 B ((dP
B )
0.5 , (pP
B )
0.5 ), 중성화막의 점 N ((dP
N )
0.5 , (pP
N )
0.5 ) 로 나타냈을 때, 중성화막의 점 N 은, 소정의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 상 분리 구조를 함유하는 구조체의 제조 방법.
摘要翻译：包含相分离结构的结构体的制造方法包括：在基板上形成包含中和膜的层; 在由中和膜构成的层上形成含有嵌段共聚物的层，其中将PA嵌段和具有除构成PA嵌段的结构单元以外的结构单元的PB嵌段组合在一起; 并且对含有嵌段共聚物的层进行退火，其中当PA嵌段的表面自由能，PB嵌段和中和膜由PA（（dPA）^ 0.5，（pPA）^ 0.5）表示时，PA 块，坐标点B（（dPB）^ 0.5，（pPB）^ 0.5）和中和膜的坐标点N（（dPN）^ 0.5，（pPN）^ 0.5）分别在平面（色散元素（d）^ 0.5，极点元素（p）^ 0.5）的坐标，中和膜的坐标点N在预定范围内。

53. 发明公开

KR1020140101310A 자기조립 제어 코폴리머 조성물 및 관련 방법 审中-实审
标题翻译：一种方向自组装共聚物组合物及相关方法
公开(公告)号：KR1020140101310A
公开(公告)日：2014-08-19
申请号：KR1020140013779
申请日：2014-02-06
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 트레포나스피터 , 허스태드필립 , 구신위 , 보겔에린 , 긴즈버그발레리 , 챙시-웨이 , 머레이다니엘
IPC分类号： C08F297/00 , C08F212/08 , C08F230/08 , C08L53/00
CPC分类号： C09D153/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C08F297/026 , G03F7/0002
摘要： Provided is a copolymer composition comprising a block copolymer with a poly(styrene) block and a poly(silyl acrylate) block, wherein the number-average molecular weight of the block copolymer is from one to 1000 kg/mol and the PD is from one to two. A substrate processed with the copolymer composition is also provided.
摘要翻译：提供了一种共聚物组合物，其包含与聚（苯乙烯）嵌段和聚（甲硅烷基丙烯酸酯）嵌段的嵌段共聚物，其中嵌段共聚物的数均分子量为1至1000kg / mol，PD为1 到两个。还提供了用共聚物组合物处理的基材。

54. 发明公开

KR1020140042671A 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：KR1020140042671A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020130109653
申请日：2013-09-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오야마,겐이치 , 야에가시,히데타미
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/306 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , H01L21/3086 , H01L21/0274
摘要： The present invention provides a pattern forming method which makes the roughness of a pattern without generating pattern collapse, increases pattern mask selectivity, and forms a fine pattern without using a guide pattern. A pattern forming method according to one embodiment of the present invention includes a process of forming a pattern material layer which has an exposure part and a non-exposure part which become a porous material and are used as an etch object layer in an exposure process, on a substrate, a process of pattern-exposing a paten forming material layer and making the exposure part porous, a process of selectively dipping a filling material in the air gap of the exposure part and reinforcing the exposure part, and a process of removing the non-exposure part of the pattern forming material layer by dry etching and forming a preset pattern. [Reference numerals] (AA) Form a DSA material film on a semiconductor wafer; (BB) Pattern and expose the DSA material film; (CC) Selectively infiltrate a filling material on at least a surface of a void formed on an exposure part; (DD) Form a predetermined pattern by removing a non-exposure part by dry etching; (EE) Process 1; (FF) Process 2; (GG) Process 3; (HH) Process 4
摘要翻译：本发明提供一种图案形成方法，其使图案的粗糙度不产生图案折叠，增加图案掩模选择性，并且在不使用引导图案的情况下形成精细图案。根据本发明的一个实施例的图案形成方法包括形成具有曝光部分的图案材料层和成为多孔材料并在曝光过程中用作蚀刻对象层的非曝光部分的工艺，在基板上，形成图案曝光成形材料层并使曝光部分为多孔的过程，将填充材料选择性地浸渍在曝光部分的气隙中并加强曝光部分的过程，以及去除通过干蚀刻形成图案形成材料层的非曝光部分并形成预设图案。（标号）（AA）在半导体晶片上形成DSA材料膜; （BB）图案并曝光DSA材料膜; （CC）在形成在曝光部分上的空隙的至少一个表面上选择性地渗透填充材料; （DD）通过干蚀刻去除非曝光部分而形成预定图案; （EE）过程1; （FF）过程2; （GG）过程3; （HH）过程4

55. 发明公开

KR1020140033761A 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체 有权
标题翻译：形成氧化硅纳米图案，金属纳米图案和磁性图案信息存储介质的方法
公开(公告)号：KR1020140033761A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：KR1020120100033
申请日：2012-09-10
申请人： 주식회사 엘지화학 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 한양규 , 이제권 , 이현진 , 김노마 , 윤성수 , 신은지 , 정연식
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G11B5/855 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08F2438/03 , G03F7/0002 , G11B5/746 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01L21/027 , H01L21/3065 , B82B1/001 , B82Y30/00 , H01L21/0273
摘要： 본발명은나노닷 또는나노홀 형태의나노패턴을용이하게형성할수 있고, 이를이용해형성된금속나노패턴등을차세대정보저장용자기기록매체등에적절히적용가능하게하는실리콘옥사이드나노패턴의형성방법, 금속나노패턴의형성방법과, 이를이용한정보저장용자기기록매체에관한것이다. 상기실리콘옥사이드나노패턴의형성방법은기재상의실리콘옥사이드상에, 소정의하드세그먼트와, (메타)아크릴레이트계반복단위를포함한소프트세그먼트를포함하는블록공중합체의박막을형성하는단계; 박막을배향시키는단계; 블록공중합체의박막에서소프트세그먼트를선택적으로제거하는단계; 및소프트세그먼트가제거된블록공중합체박막을마스크로, 실리콘옥사이드를반응성이온식각하여실리콘옥사이드의나노닷 또는나노홀 패턴을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够形成纳米点或纳米孔形式的纳米图案的氧化硅纳米图案的形成方法，并且使用纳米图案适当地将金属纳米图案应用于用于存储信息的磁记录介质，形成金属纳米图案的方法和用于存储使用其的信息的磁记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成包含预定硬链段的嵌段共聚物和具有甲基丙烯酸酯重复单元的软链段的薄膜; 定向薄膜; 从嵌段共聚物的薄膜中选择性地除去软链段; 通过反应离子蚀刻工艺，使用嵌段共聚物来蚀刻氧化硅，将软链段除去作为掩模，以形成氧化硅的纳米或纳米孔图案。

56. 发明授权

KR101357442B1 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101357442B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020110096789
申请日：2011-09-26
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나까무라히로꼬 , 아사까와고지 , 하또리시게끼 , 다나까사또시 , 고따니도시야
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0002 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명의 일 실시 형태에 따라, 피가공막(11) 위로 블록 공중합체(20)를 자체 조직화시켜서 제1 블록 상 및 제2 블록 상(21, 22)을 포함하는 패턴을 형성한다. 제1 조건에서 에너지선 조사와 현상을 행해 제1 영역에 존재하는 블록 공중합체(20) 전체를 제거하여, 제1 영역 이외의 영역에 제1 블록 상 및 제2 블록 상(21, 22)을 포함하는 패턴을 잔존시킨다. 제2 조건에서 에너지선 조사와 현상을 행해 제2 영역에 존재하는 제1 블록 상(21)을 선택적으로 제거하여, 제1 영역 이외의 영역과 제2 영역 이외의 영역 사이의 중첩 영역에 제1 블록 상 및 제2 블록 상(21, 22)을 포함하는 패턴을 잔존시키고, 중첩 영역을 제외한 제2 영역에 제2 블록 상(22)의 패턴을 잔존시킨다. 잔존한 패턴을 마스크로 해서 피가공막(11)을 에칭한다.

57. 发明授权

KR101346687B1 블록공중합체의 나노패터닝 방법 및 이를 이용한 편광자제조방법 有权
标题翻译：纳米图案嵌段共聚物的方法和使用其制备偏振片的方法
公开(公告)号：KR101346687B1
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020070065688
申请日：2007-06-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 김상욱 , 이수미 , 이문규 , 김봉훈 , 신동옥
IPC分类号： G03F7/00 , G02B5/30 , B82B3/00
CPC分类号： G02F1/133512 , B81B2201/047 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G02B5/201 , G02F2001/133548 , G03F7/0002
摘要： 블록공중합체 나노패터닝방법 및 이를 이용한 편광자 제조방법이 개시된다. 개시된 블록공중합체 나노패터닝방법은 하부기판 위에 블록공중합체를 소정두께로 도포하는 단계, 블록공중합체를 패터닝하여 소정 종횡비를 가지도록 두께구배를 주는 단계 및 두께구배가 형성된 블록공중합체를 열처리하여 자기조립된 블록공중합체를 그 두께구배방향으로 정렬시키는 단계를 포함한다.

58. 发明公开

KR1020130120586A 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020130120586A
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020120043595
申请日：2012-04-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남재우 , 김경선 , 김은성 , 신철호 , 이시용
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/34 , G03F7/09
CPC分类号： H01L21/0273 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： With a method of forming patterns, photoresist patterns are formed on a substrate in which an etching film is formed. Guide patterns having a higher heat resistance than the photoresist patterns are formed by surface- treating the photoresist patterns. A material layer including a block copolymer including at least two polymer blocks is coated on the substrate which is exposed by the guide patterns. Minute pattern layers in which mutually different polymer blocks are repeatedly arranged are formed by separating the material layer upon minute phases. A minute pattern mask is formed by removing minute patterns including at least one polymer block from the minute pattern layers. Also, patterns are formed by etching the etching film with the minute pattern mask. With the method, minute patterns are formed in simple processes.
摘要翻译：通过形成图案的方法，在其中形成蚀刻膜的基板上形成光致抗蚀剂图案。通过对光致抗蚀剂图案进行表面处理，形成具有比光致抗蚀剂图案更高的耐热性的引导图案。包含至少两个聚合物嵌段的嵌段共聚物的材料层被涂覆在被引导图案暴露的基板上。通过在分相上分离材料层来形成其中重复排列相互不同的聚合物嵌段的分钟图案层。通过从微图案层去除包括至少一个聚合物嵌段的微小图案来形成微图案掩模。此外，通过用微图案掩模蚀刻蚀刻膜形成图案。使用该方法，在简单的过程中形成微小图案。

59. 发明公开

KR1020130092510A 열적 어닐링 가공 审中-实审
标题翻译：热退火工艺
公开(公告)号：KR1020130092510A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020130014711
申请日：2013-02-08
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 챙신-웨이 , 웨인홀드제프리 , 허스태드필립 , 트레포나스피터
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/31058 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B05D7/02 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08G77/442 , C09D151/08 , C09D183/10 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/0273 , C01B33/113 , H01L21/3247
摘要： PURPOSE: A thermal annealing process is provided to promote the self-assembly of a poly (styrene)-b-poly (dimethylsiloxane) block copolymer element in a copolymer composition. CONSTITUTION: A substrate with a surface is provided. A copolymer composition with a poly (styrene)-b-poly (dimethylsiloxane) block copolymer element is provided. A film of the copolymer composition is applied to the surface of the substrate. The film is heated under a gas atmosphere with oxygen density of 7.5 ppm or less at 275 to 350 degrees centigrade for 1 second to 4 hours. Poly (styrene) is removed from the annealed film. The annealed film is processed to convert poly (dimethylsiloxane) into SiOx.
摘要翻译：目的：提供热退火方法以促进共聚物组合物中聚（苯乙烯）-b-聚（二甲基硅氧烷）嵌段共聚物元件的自组装。构成：提供具有表面的基底。提供了具有聚（苯乙烯）-b-聚（二甲基硅氧烷）嵌段共聚物元件的共聚物组合物。将共聚物组合物的膜施加到基材的表面。在氧气密度为7.5ppm以下的气氛下，在275〜350℃下加热1秒〜4小时。从退火的膜去除聚（苯乙烯）。处理退火的膜以将聚（二甲基硅氧烷）转化成SiO x。

60. 发明授权

KR101262460B1 1-차원 어레이의 블록 공중합체 원통 그리고 그 적용 失效
标题翻译：嵌段共聚物气瓶的一维阵列及其应用
公开(公告)号：KR101262460B1
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020107020026
申请日：2009-01-27
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 밀워드,단,비. , 스튜언,카를
IPC分类号： B82B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/0337 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , Y10S977/778 , Y10S977/784 , Y10S977/789 , Y10S977/79 , Y10T428/24058 , Y10T428/24124 , Y10T428/24174 , Y10T428/24182
摘要： 자기-조립블록공중합체를이용하여 1-차원어레이로서브리소그래피의나노-스케일의미세구조물을제조하는방법그리고이들방법으로부터형성되는필름및 장치가제공된다.

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