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51. 发明授权

KR101557020B1 금속산란막을 갖는 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：散射金属层涂覆的电极和使用其的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101557020B1
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020130074939
申请日：2013-06-27
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은후면전극이이중층으로구성된 CIGS 박막태양전지에관한것으로, 태양전지후면전극의제조방법에있어서, 기판(100)위에후면전극(200)을형성시키는단계(s100); 상기후면전극(200) 위에금속산란막(210)을형성시키는단계(s200)를포함하는것을특징으로하여, 태양광의광흡수층내에서의광경로가증가시킴으로써광-전기변환의효율을극대화시킨것이다.

52. 发明授权

KR101541415B1 성능이 향상된 기판을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有增强基板的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101541415B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020130087979
申请日：2013-07-25
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조준식 , 어영주 , 박주형 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 윤경훈 , 유진수 , 박상현 , 안세진
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 태양전지의기판을준비하는단계, 상기기판상에균일하게소정의입자를소정의시간동안분사압력과분사각도를조절하여요철구조를형성하는샌드블래스트(sand blast) 처리단계, 상기요철구조가형성된기판을세척하는단계, 상기기판의요철구조에의해후면전극층의표면에요철구조가형성될수 있는소정의두께로후면전극층을증착하는단계, 상기후면전극층상에광흡수층을증착하고, 상기광흡수층상에버퍼층을증착하는단계, 상기버퍼층상에투명전도층을증착하는단계, 상기투명전도층상에반사방지막을전면전극층이형성되는영역을제외한부분에증착하는단계, 상기투명전도층상에상기반사방지막이형성되지않은부분에전면전극층을증착하는단계를포함하는태양전지제조방법을이용한다. 본원발명에서는태양전지의기판에샌드블래스트(sand blast) 처리를통하여요철구조를형성하고, 상기기판상부에형성되는후면전극에도요철구조가형성되는효과를두어광흡수층에서흡수되는태양광의비율을높일수 있게된다. 또한, 기판에형성된요철구조로인하여상기기판의고온에서의변형을방지할수 있어태양전지의안정성을확보할수 있다.

53. 发明授权

KR101490519B1 후면 버퍼를 갖는 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有背面缓冲层的太阳能电池及其制造方法。
公开(公告)号：KR101490519B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020130080225
申请日：2013-07-09
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.

54. 发明公开

KR1020150006927A 후면 버퍼를 갖는 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有背面缓冲层的太阳能电池及其制造方法。
公开(公告)号：KR1020150006927A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020130080225
申请日：2013-07-09
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种锡膜太阳能电池。代替形成缓冲层的现有制造，在光吸收层的上部中的透明电极，栅电极，缓冲层，缓冲层，透明电极和栅电极形成在 CIGS在光吸收层的上部不形成透明电极，从而直接向光吸收层发射太阳光而没有障碍物，并且缩短电子和空穴到电极和缓冲层的移动距离。通过以交替螺旋形状并吸收光能的方式构图第一电极和缓冲层来产生电子和空穴。

55. 发明公开

KR1020140132025A 전기 변색소자를 이용한 차량용 선루프와 이에 전기를 공급하는 방법 无效
标题翻译：一种使用电化学材料的SUNROPO及其电力供应方法
公开(公告)号：KR1020140132025A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020130050380
申请日：2013-05-06
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： B60J7/043 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02T10/90
摘要： 본 발명은 본 발명은 차량의 지붕에 설치하는 선루프(sunroof)에 관한 것으로, 특히 전기 변색소자를 이용한 차량용 선루프와 이에 전기를 공급하는 방법에 관한 것으로서, 차량의 지붕에 설치하여 외부의 빛이나 공기가 차안으로 들어오도록 조절할 수 있게 하는 선루프(sunroof)에 있어서, 가해지는 전압에 따라 투명도가 변화되는 전기 변색소자(Electrochromic Material)를 갖는 스마트유리창부(1)와, 상기 스마트유리창부(2)에 전원을 공급하는 태양전지부(2)와 태양전지부(2)에서 생산된 전기를 스마트유리창부에 공급하는 전원공급부(3)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：技术领域本发明涉及一种安装在车顶上的太阳屋顶，更具体地说，涉及使用电致变色材料的车辆天窗和向其供电的方法。安装在车顶上以控制外部光或空气引入车辆内的天窗包括具有电致变色材料的智能玻璃窗单元（1），其中透明度根据施加的电压而变化; 向所述智能玻璃窗单元（2）供电的太阳能电池单元（2）; 以及将太阳能电池单元（2）中产生的电力供应到智能玻璃窗单元（2）的电源单元（3）。

56. 发明公开

KR1020140112148A 성능이 향상된 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지. 有权
标题翻译：性能改进CI（G）S薄膜太阳能电池使用制造方法和。
公开(公告)号：KR1020140112148A
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020130026155
申请日：2013-03-12
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Disclosed is a method for manufacturing a CI(G)S thin film as a light absorbing layer of a solar cell. The method includes the steps of: preparing a substrate; manufacturing a CI(G)S-based compound which is a precursor; forming a CI(G)S-based precursor thin film by coating the substrate with the precursor CI(G)S-based compound; drying the CI(G)S-based precursor thin film formed on the substrate; selenizing the dried CI(G)S-based precursor thin film through heat treatment to form a CI(G)S thin film; dipping the formed CI(G)S thin film in a solution containing sodium (Na) to deposit a buffer layer; and heat treating the CI(G)S thin film on which the buffer layer is deposited so that the Na on the buffer layer can be moved to the CI(G)S thin film in a Na+ state, thereby reducing defects of crystal grains of the CI(G)S thin film by the Na+ and using the CI(G)S thin film having improved performance as a light absorbing layer of a solar cell.
摘要翻译：公开了一种制造作为太阳能电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的方法。该方法包括以下步骤：制备基底; 制造作为前体的CI（G）S基化合物; 通过用前体CI（G）S基化合物涂覆基底来形成CI（G）S基前体薄膜; 干燥形成在基板上的CI（G）S基前体薄膜; 通过热处理对干燥的CI（G）S基前体薄膜进行硒化，形成CI（G）S薄膜; 将形成的CI（G）S薄膜浸入含有钠（Na）的溶液中以沉积缓冲层; 并对其中沉积有缓冲层的CI（G）S薄膜进行热处理，使得缓冲层上的Na能够以Na +态移动到CI（G）S薄膜，从而减少晶体的晶粒缺陷通过Na +的CI（G）S薄膜和使用具有改进的性能的CI（G）S薄膜作为太阳能电池的光吸收层。

57. 发明授权

KR101439240B1 박막 태양전지 광흡수층의 저온 제조방법 有权
标题翻译：太阳能电池低温绝缘层制备方法。
公开(公告)号：KR101439240B1
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020130036155
申请日：2013-04-03
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박주형 , 조준식 , 어영주 , 윤재호 , 윤경훈 , 신기식 , 곽지혜 , 박상현 , 안세진 , 안승규 , 유진수 , 조아라
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： The present invention relates to a fabrication method of a light absorbing layer and a solar cell. The fabrication method of the light absorbing layer and the fabrication method of the solar cell are configured to fabricate the light absorbing layer of the solar cell to allow the light absorbing layer have a composition ratio of a target by irradiating a laser or an electron beam to the target having the desired composition ratio and then depositing a formed plasma on a substrate; to be able to adjust the composition in accordance to the height of the light absorbing layer; and to deposit the light absorbing layer at a low temperature when compared to a conventional technique.
摘要翻译：本发明涉及一种光吸收层和太阳能电池的制造方法。光吸收层的制造方法和太阳能电池的制造方法被配置为制造太阳能电池的光吸收层，以通过照射激光或电子束来允许光吸收层具有靶的组成比所述靶具有所需的组成比，然后在基底上沉积形成的等离子体; 能够根据光吸收层的高度来调整组成; 并且与常规技术相比，将光吸收层沉积在低温下。

58. 发明授权

KR101428594B1 CI(G)S 박막 제조 방법 有权
标题翻译：形成CI（G）薄膜的方法
公开(公告)号：KR101428594B1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：KR1020130108451
申请日：2013-09-10
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안세진 , 어영주 , 곽지혜 , 윤경훈 , 조아라 , 윤재호 , 조준식 , 안승규 , 신기식 , 박상현 , 박주형 , 유진수
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/04
摘要： The present invention relates to a CI(G)S thin film and a method for forming the same. More specifically, the present invention relates to a method for forming a CI(G)S thin film which improves an electro-optical property, productivity, cost reduction and process stability and a CI(G)S thin film manufactured by the method. According to the present invention, an indium layer or an indium-gallium layer, which has low copper content or no copper, between the CI(G)S thin film of a solar cell and molybdenum thin film interface is stacked, thereby completely removing carbon remaining on the CI(G)S thin film and the molybdenum thin film interface and improving the electro-optical property of the CI(G)S thin film.
摘要翻译：本发明涉及一种CI（G）S薄膜及其形成方法。更具体地说，本发明涉及一种提高电光性能，生产率，成本降低和工艺稳定性的CI（G）S薄膜的形成方法以及通过该方法制造的CI（G）S薄膜）。根据本发明，在太阳能电池的CI（G）S薄膜和钼薄膜界面之间堆叠具有低铜含量或不含铜的铟层或铟镓层，从而完全除去碳留在CI（G）S薄膜和钼薄膜界面上，提高了CI（G）S薄膜的电光性能。

59. 发明授权

KR101418321B1 열전 태양전지 복합 모듈 및 이를 이용한 전력 발전방법 有权
标题翻译：热电装置和太阳能电池的组合模块及其使用的共同生成方法
公开(公告)号：KR101418321B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130025956
申请日：2013-03-12
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 박상현 , 정학근 , 윤재호 , 안세진 , 유진수 , 신기식 , 윤경훈
IPC分类号： H01L31/05 , H01L35/00
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L35/00 , H01L31/05
摘要： The present invention relates to a thermoelectric solar cell composite module and an electric power generating method using the same. The thermoelectric solar cell composite module of the present invention for achieving the purpose comprises a solar cell including an upper electrode and lower electrode, and a light absorbing layer arranged between the two electrodes, and penetrating a light within an infrared region and absorbing a light out of the infrared region to generate electricity; and a thermoelectric generating device arranged at the lower part of the solar cell and generating electricity using a radiation heat generated by being irradiated with the light within the infrared region penetrated the solar cell. According to the present invention, the solar cell absorbs sunlight out of the infrared region to generate electricity and the light within infrared region penetrated the solar cell and the electrodes is directly irradiated to the thermoelectric generating device, thus the thermoelectric generating device uses a heat generated by radiation of the irradiated sunlight to generate electricity to have an effect of maximizing the generating efficiency of the thermoelectric generating device.
摘要翻译：本发明涉及一种热电太阳能电池组合模块及其使用的发电方法。本发明的用于实现目的的热电太阳能电池复合模块包括一个包括上电极和下电极的太阳能电池，以及设置在两个电极之间的光吸收层，并且穿透红外区域内的光并吸收光的红外线区域发电; 以及布置在太阳能电池下部的热电发生装置，并且使用通过照射穿过太阳能电池的红外区域内的光产生的辐射热来发电。根据本发明，太阳能电池从红外线区域吸收太阳光发电，红外区域内的光穿透太阳能电池，电极直接照射到热电发电装置，因此热电发电装置使用产生的热量通过照射的太阳光的照射发电以具有使热电发电装置的发电效率最大化的效果。

60. 发明授权

KR101369166B1 태양전지용 ＣＩＧＳ 광흡수층 형성 방법 및 ＣＩＧＳ 태양전지 有权
标题翻译： CIGS吸收层和CIGS太阳能电池的形成方法
公开(公告)号：KR101369166B1
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020120076562
申请日：2012-07-13
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 윤재호 , 곽지혜 , 안세진 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 박상현 , 박희선 , 최성우
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 본발명은기판의 Na의농도가낮아서 CIGS 광흡수층의공핍층이얇은경우에태양전지효율을향상시킬수 있는 CIGS 광흡수층을형성하는방법에관한것으로, 3단계의동시진공증발법에의하여태양전지용 CIGS 광흡수층을형성하는방법으로서, In과 Ga 및 Se을동시에증발시켜증착하는제1단계; Cu와 Se를동시에증발시켜증착하는제2단계; In과 Ga 및 Se를동시에증발시켜증착하는제3단계;를포함하여구성되며, 상기제1단계에서 Ga을증발시켜공급하는양이, 상기제3단계에서 Ga를증발시켜공급하는양보다많은것을특징으로한다. 본발명의다른형태에의한 CIGS 태양전지는, 기판; 상기기판위에형성된전극층; 및상기전극층위에형성된 CIGS 광흡수층을포함하여구성되며, 상기전극층과상기 CIGS 광흡수층의계면에서의 Ga/(In+Ga)의비율이 0.45 이상인것을특징으로한다. 본발명은, 3단계동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을형성하는과정에서제1단계의 Ga 증발량을늘림으로써, Na의농도가낮은기판위에형성되어공핍층의깊이가깊은 CIGS 태양전지의효율을향상시키는효과가있다.

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