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51. 发明公开

KR1020090097000A 시모스 이미지 센서 无效
标题翻译： CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR1020090097000A
公开(公告)日：2009-09-15
申请号：KR1020080022138
申请日：2008-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김세영 , 안정착 , 김이태 , 이경호 , 장윤호
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/14605 , H01L27/14636
摘要： A cmos image sensor is provided to prevent the uniformity of photo diode property by forming a conductive line arranged on an active region in relation to a light block layer. In a cmos image sensor, a pixel array includes a first pixel obtaining an effective pixel and a second pixel which is not used as an effective pixel. A conductive line(220) consisting of at least one layer is arranged on a first conductive region. Light block layers(240,250) are arranged on a second conductive region in correspondence to the second pixel. A first pixel supplies a signal and outputs it through a conductive line(230) arranged on the second conductive line. The pixel array is composed of the effective region and an optical block region where the second pixel is arranged.
摘要翻译：提供了一个cmos图像传感器，以通过形成相对于光阻挡层布置在有源区上的导线来防止光电二极管性质的均匀性。在cmos图像传感器中，像素阵列包括获得有效像素的第一像素和不用作有效像素的第二像素。由至少一层构成的导线（220）布置在第一导电区域上。光阻挡层（240,250）被布置在对应于第二像素的第二导电区域上。第一像素提供信号并通过布置在第二导线上的导线（230）输出信号。像素阵列由有效区域和布置第二像素的光学块区域组成。

52. 发明授权

KR100682829B1 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀, 픽셀 어레이 및 이를포함한 씨모스 이미지 센서 失效
标题翻译： CMOS图像传感器的单元像素，像素阵列和具有相同像素的CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR100682829B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050041607
申请日：2005-05-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태 , 김영찬 , 공해경 , 최성호
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/3745
CPC分类号： H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3597 , H04N5/3745 , H04N5/37457
摘要： 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는 입사된 광에 응답하여 전하를 발생시키는 광전변환소자, 전송 제어신호에 따라 광전변환소자에 집적된 전하를 플로팅 확산 노드로 전송하는 전송 트랜지스터, 전송 트랜지스터의 게이트 및 플로팅 확산 노드 사이에 삽입된 부스팅 커패시터 및 선택 신호에 응답하여 플로팅 확산 노드의 전위를 전달하는 신호 전달회로를 포함한다. 따라서, 광전하의 전송 효율 및 플로팅 확산 노드의 다이나믹 레인지를 향상시킬 수 있다.

53. 发明公开

KR1020060090349A 핑거드 타입 소스 폴로워 트랜지스터를 이용한 상보성금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서 有权
标题翻译：使用指触式源极跟随器晶体管的互补金属氧化物半导体有源像素传感器
公开(公告)号：KR1020060090349A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011126
申请日：2005-02-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영찬 , 김이태
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/357
CPC分类号： H01L27/14603
摘要： 입사된 빛에 응답하여 전하를 발생시키는 포토 다이오드, 포토 다이오드에 집적된 전하를 센싱 노드로 전송하는 전송 트랜지스터, 전원 전압에 연결되어, 상기 센싱 노드의 전위를 상기 전원 전압으로 리셋시키는 리셋 트랜지스터, 센싱 노드의 전위를 게이트 전극에 입력받아 증폭하는 핑거드 타입 소스 폴로워 트랜지스터, 및 선택 신호에 응답하여 상기 핑거드 타입 소스 폴로워 트랜지스터의 소스 전압을 내부 회로로 전달하는 선택 트랜지스터를 구비하여 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서를 구성한다. 따라서, 제한된 레이 아웃에서 소스 폴로워 트랜지스터의 채널 폭을 넓게 형성 할 수 있으므로, 소스 폴로워 트랜지스터에서 유발되는 소자 잡음을 줄일 수 있는 효과를 가져올 수 있다.
摘要翻译：连接到电源电压的传送晶体管，用于将感测节点的电位复位到电源电压;感测晶体管，连接到感测节点，类型源跟随器晶体管，用于接收并放大节点到栅极的电位;以及选择晶体管，用于响应于选择信号将指状源极跟随器晶体管的源极电压传送到内部电路，并构成半导体有源像素传感器。因此，源极跟随器晶体管的沟道宽度可以以有限的布局来扩展，从而可以减小源极跟随器晶体管中感应的元件噪声。

54. 发明公开

KR1020060089929A 수직형 광검출기를 가지는 이미지 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：具有垂直光检测器的图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060089929A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050010047
申请日：2005-02-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14647 , H04N2209/047
摘要： 수직형 광검출기를 가지는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 이미지 센서는 적층된 광전변환층들 사이에 개재된 절연성 베리어층을 포함한다. 절연성 베리어층으로 인해 광전변환층 사이의 전하 이동을 방지하여 검출되는 색상간 혼신을 방지할 수 있다.

55. 发明公开

KR1020060080291A 이미지 센서 제조방법 无效
标题翻译：制作图像传感器的方法
公开(公告)号：KR1020060080291A
公开(公告)日：2006-07-10
申请号：KR1020050000565
申请日：2005-01-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 공해경 , 김이태
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L21/26586 , H01L27/14689
摘要： 이미지 센서 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판에 행 및 열로 배열된 복수개의 포토다이오드 영역을 정의하는 단계와, 각각의 포토다이오드 영역에 트랜스퍼 게이트를 형성하되, 일 행의 트랜스퍼 게이트는 인접한 다른 행의 트랜스퍼 게이트와 대칭적으로 배치하는 단계와, 2n번째(n은 양의 정수) 행들의 포토 다이오드 영역에 불순물을 주입하여 포토 다이오드를 형성하는 단계와, 2n-1번째(n은 양의 정수) 행들의 포토 다이오드 영역에 불순물을 주입하여 포토 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.

56. 发明授权

KR100598015B1 공유 구조 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서어레이의 레이 아웃 有权
标题翻译：互补金属氧化物半导体有源像素传感器阵列的布局
公开(公告)号：KR100598015B1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：KR1020050011131
申请日：2005-02-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영찬 , 김이태
IPC分类号： H01L27/14
摘要： 평면의 제 1 방향으로 배열된 복수개의 단위 블록을 구비하고, 각 단위 블록은 제 1 방향으로 배열된 N(N은 1이상의 자연수)쌍의 포토 다이오드 영역, 포토 다이오드 영역에 대응되어 포토 다이오드 영역의 일측 모서리에 형성되고, 동일 포토 다이오드 영역 쌍 내에서는 서로 대향하여 있는 2N개의 전송 트랜지스터, 포토 다이오드 영역 쌍을 구성하는 2개 포토 다이오드 영역과 2개 전송 트랜지스터가 공유하고, 2개 포토 다이오드 영역의 사이에 배치된 N개의 플로팅 확산 노드, N개의 플로팅 확산 노드를 연결하는 적어도 하나의 금속 라인을 포함하여 구성되고, 플로팅 확산 노드의 전위를 리셋하기 위한 리셋 트랜지스터 및 플로팅 확산 노드의 전위를 샘플링하기 위한 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한 신호 독출 회로는, 상기 단위 블록 및 상기 단위 블록에 제 1 방향으로 인접한 단위 블록들에 포함된 포토 다이오드 영역 쌍 내의 2개 포토 다이오드 영역의 사이에 분산되어 배치하여 공유 구조 상보성 금속 산화막 반도체 액티브 픽셀 센서 어레이의 레이 아웃을 구성한다.
摘要翻译：具有多个排列在一个平面的第一方向单位块，每个单位块为N布置在对应于所述的第一方向（N是1或更大的自然数）时，对光电二极管区域中，光电二极管区域的光电二极管区域形成在一个侧边缘，在相对的两个或光电二极管区域和构成转移晶体管的2N二个传送晶体管，光电二极管区域内对相同的光电二极管区域对彼此和共享，两个光电二极管区域之间设置在所述浮动扩散节点的N个，N个被配置为包括至少一个金属线连接所述浮置扩散节点，至少用于采样复位晶体管的电势和用于复位所述浮动扩散节点的电位的浮动扩散节点包括一个晶体管的信号读出电路包括单元块和单元它是在该光电二极管区域在两个光电二极管区包括对在第一方向上相邻的第一单元块的锁定装置，以构成一个互补型金属氧化物半导体有源像素传感器阵列的共享结构的布局之间进行分配。

57. 发明授权

KR100450670B1 포토 다이오드를 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 포토다이오드를갖는이미지센서및그제조방
公开(公告)号：KR100450670B1
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020020007696
申请日：2002-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김이태
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14601 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： An image sensor having a photo diode with improved sensitivity, junction leakage and electron capacity, and a method for manufacturing the image sensor, are provided. The provided image sensor includes a semiconductor substrate and a p-type photo diode region formed on a selected region of the semiconductor substrate. A first n-type photo diode region is formed underneath the p-type photo diode region, contacting an interface of the p-type photo diode region, and a second n-type photo diode region is formed to surround the first n-type photo diode region. Here, impurities composing the first n-type photo diode region have smaller projection distance and diffusivity than impurities composing the second n-type photo diode region.
摘要翻译：提供了一种具有提高了灵敏度，结泄漏和电子容量的光电二极管的图像传感器，以及制造该图像传感器的方法。所提供的图像传感器包括半导体衬底和在半导体衬底的选定区域上形成的p型光电二极管区域。第一n型光电二极管区域形成在p型光电二极管区域下方，与p型光电二极管区域的界面接触，并且第二n型光电二极管区域形成为围绕第一n型照片二极管区域。在此，构成第一n型光电二极管区域的杂质比构成第二n型光电二极管区域的杂质具有更小的投影距离和扩散率。

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