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41. 发明公开

KR1020160062061A 적층 필름, 유기 전계 발광 장치, 광전 변환 장치 및 액정 디스플레이 审中-实审
标题翻译：层压膜，有机电致发光器件，光电转换器件和液晶显示器
公开(公告)号：KR1020160062061A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020167010314
申请日：2014-09-16
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 하세가와,아키라
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/00 , C23C16/42 , H01L51/44 , G02F1/1339
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/503 , C23C16/545 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H01L51/0097 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , G02F1/1339 , H01L51/5256
摘要： 본발명은기재와, 상기기재의적어도한쪽표면상에형성된적어도 1층의박막층을갖는적층필름으로서, 상기박막층중 적어도 1층이하기조건 (i) 내지 (iv): (i) 규소, 산소및 탄소를함유할것, (ii) 규소의원자수, 산소의원자수및 탄소의원자수의합계원자수에대한탄소의원자수의함유율 X(at%)가 3 내지 25at%일것, (iii) 평균밀도 d(g/㎤)가 2.12g/㎤이상 2.25g/㎤미만일것, (iv) 상기탄소의원자수의함유율 X(at%)와평균밀도 d(g/㎤)가하기수학식 (1): d>(2.22-0.008X) … (1)로표현되는조건을만족시킬것을모두만족하는적층필름에관한것이다.

42. 发明公开

KR1020160035045A 배리어성 적층체, 가스 배리어 필름, 및 디바이스 审中-实审
标题翻译：障碍层压板，气体阻隔膜和器件
公开(公告)号：KR1020160035045A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020167004855
申请日：2014-08-29
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 무카이아츠시 , 야마다마코토 , 모토무라유야
IPC分类号： B32B9/04 , H01L31/048 , H01L51/00 , H01L51/52 , C23C16/42 , B32B27/18 , B32B27/30 , B32B37/24
CPC分类号： H01L51/5256 , C08J7/045 , C08J2367/02 , C08J2433/08 , H01L31/0481 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , Y02E10/549
摘要： 본발명에의하여, 무기층과제1 유기층을포함하는배리어성적층체로서, 상기무기층과제1 유기층은서로직접접하고있으며, 제1 유기층은, 중합성화합물, 중합개시제, 및하기일반식 (1)(식중, R2는할로젠원소또는알킬기를나타내고, R3은수소원자또는알킬기를나타내며, L은 2가의연결기를나타내고, n은 0에서 2 중어느정수를나타냄)로나타나는실레인커플링제를포함하는중합성조성물의경화에의하여형성된층이며, 제1 유기층은산화타이타늄미립자를포함하고, 상기무기층은제1 유기층표면에화학적기상성장법으로형성된층인배리어성적층체, 상기배리어성적층체를포함하는가스배리어필름, 및상기배리어성적층체를포함하는디바이스가제공된다. 본발명의배리어성적층체는, 높은배리어성과함께, 투명성을갖는다.

43. 发明公开

KR1020150142591A 신규한 아미노실릴아민 화합물 및 원자층 증착법을 이용한 Si-N 결합을 포함하는 절연막의 제조방법 审中-实审
标题翻译：新型氨基硅烷化合物和使用原子层沉积的含有SI-N键的电介质膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020150142591A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020150069444
申请日：2015-05-19
申请人： (주)디엔에프
发明人： 장세진 , 이상도 , 김종현 , 김성기 , 전상용 , 양병일 , 석장현 , 이상익 , 김명운
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/02219 , C01B21/068 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은신규한아미노실릴아민화합물및 이를이용한 Si-N이포함된절연막의제조방법에관한것으로, 본발명에따른상기아미노실릴아민화합물은열적으로안정하고휘발성이강한화합물로실온및 취급이가능하며, 상온및 상압하에서액체형태의화합물로원자층증착법 (PEALD)을이용하여, 낮은온도및 플라즈마조건에서도고순도의 Si-N 결합을포함하는절연막을제조할수 있는방법을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及新的氨基甲硅烷基胺化合物，以及涉及使用其的含有Si-N的绝缘膜的制造方法。根据本发明的氨基甲硅烷基胺化合物是热稳定的，具有很强的挥发性，可以在室温下进行处理，并且在高温高压下是液态。此外，本发明提供了使用原子层沉积（PEALD）方法在低温和等离子体条件下含有高纯度的Si-N键的绝缘膜的制造方法。

44. 发明公开

KR1020150037792A 유기아미노디실란 전구체 및 이를 포함하는 막을 증착시키는 방법 审中-实审
标题翻译：有机阴离子表面活性剂和沉积膜的方法
公开(公告)号：KR1020150037792A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020150037656
申请日：2015-03-18
申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
发明人： 시아오,만차오 , 레이,신지안 , 스펜스,다니엘피. , 찬드라,하리핀 , 한,빙 , 오'네일,마크레오나르드 , 마요르가,스티븐제라드 , 말리카주난,아누파마
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/42 , C07F7/02
CPC分类号： H01L21/02211 , C01B21/0682 , C01B21/0828 , C01B33/021 , C01B33/126 , C01P2002/02 , C07F7/025 , C07F7/10 , C09D1/00 , C09D7/20 , C23C16/18 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10T428/13 , C07F7/02 , C23C16/42
摘要： 본원에서는전구체및 실리콘-함유막을형성시키는방법을기재하고있다. 일양태로, 본원에서는하기화학식(I)의전구체를제공하고있다:(I) 상기식에서, R은선형또는분지형 C내지 C알킬기, 선형또는분지형 C내지 C알케닐기, 선형또는분지형 C내지 C알키닐기, C내지 C디알킬아미노기, 전자끄는기, C내지 C아릴기로부터선택되고; R는수소, 선형또는분지형 C내지 C알킬기, 선형또는분지형 C내지 C알케닐기, 선형또는분지형 C내지 C알키닐기, C내지 C디알킬아미노기, C내지 C아릴기, 선형또는분지형 C내지 C불소화된알킬기, 전자끄는기, 및 C내지 C아릴기로부터선택되고; 임의로, R과 R는함께연결되어치환되거나비치환된방향족고리또는치환되거나비치환된지방족고리로부터선택된고리를형성하고; n=1 또는 2이다.
摘要翻译：这里描述的是用于形成含硅膜的前体和方法。在一个方面，提供了化学式I的前体，其中R 1选自直链或支链C 1-3至C 1-10烷基，直链或支链C 1-3至C 10链烯基，直链或支链C 1-3至C 10炔基，C 1至C 6 二烷基氨基，吸电子基和C 6〜C 10芳基; 直链或支链C 1-3至C_6烯基，直链或支链C 3至C 6炔基，C 1至C 6二烷基氨基，C 6至C 10芳基，直链或支链C 1-1 分支C_1至C_6氟化烷基，吸电子基和C_4至C_10芳基。

45. 发明授权

KR101501700B1 신규한 할로실릴게르만의 제조 및 사용 방법 有权
标题翻译：制备和使用半乳糖的新方法
公开(公告)号：KR101501700B1
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020097022759
申请日：2008-04-02
申请人： 아리조나 보드 오브 리전트스, 아리조나주의 아리조나 주립대 대행법인
发明人： 코우베타키스,존 , 티스,제스 , 팡,얀-얀
IPC分类号： H01L21/205 , C01G17/00 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/0262 , C01B33/08 , C01B33/107 , C23C16/30 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y10S438/933
摘要： 본 발명은 화학식 Si
x Ge
y H
z
-
a X
a
(식에서, X는 할로겐이고, x, y, z 및 a는 명세서에 정의되어 있다)의 화합물 및 화합물의 제조 방법; 및 본 발명의 화합물을 사용하여 규소 기판 위에 높은 Ge 함량 Si 막을 침착시키는 방법을 제공한다.
할로실릴게르만 화합물, 반도체 구조물, 선택적 침착 방법, 규소 기판, Si 막.

46. 发明公开

KR1020140119776A 컨포멀한 금속 실리사이드 막들을 형성하는 방법 有权
标题翻译：形成一致的金属硅膜的方法
公开(公告)号：KR1020140119776A
公开(公告)日：2014-10-10
申请号：KR1020147023965
申请日：2013-01-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하세가와도시오 , 다다구니히로 , 야마사키히데아키 , 오메아라데이빗엘 , 루싱크게릿제이
IPC分类号： H01L21/24 , H01L21/205 , H01L21/8242 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C16/42 , C23C16/45538 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L28/91 , H01L29/66181
摘要： 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에 따라, 이 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 단계, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 증착 가스로부터 생성된 플라즈마에 제 1 기판 온도로 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 플라즈마 노출은 자기-제한적 프로세스(self-limiting process)에서 기판 상에 컨포멀한 금속-함유 층(conformal metal-containing layer)을 형성한다. 이 방법은 또한 플라즈마 없이 환원성 가스에 제 2 기판 온도로 금속-함유층을 노출시키는 단계를 포함하고, 여기서 상기 노출시키는 단계들은 금속 실리사이드 층을 형성하기 위해 적어도 한번 교번적으로 수행되고, 상기 증착 가스는 환원성 가스를 포함하지 않는다. 이 방법은 또한 높은 종횡비들을 갖는 딥 트랜치들내의 컨포멀한 금속 실리사이드 형성을 제공한다.

47. 发明公开

KR1020140107024A 냉음극 플라즈마를 이용한 실리카 박막의 제조 방법 有权
标题翻译：使用冷阴极等离子体薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020140107024A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020130021502
申请日：2013-02-27
申请人： 인제대학교 산학협력단
发明人： 노강현 , 이제원
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/402 , H01L21/02274
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a silica thin film using cold cathode plasma. More specifically, a cold cathode converter is used as a power source to generate plasma. According to the method for manufacturing a silica thin film using cold cathode plasma, a leakage current transformer is used. Therefore, the silica thin film, exhibiting excellent properties of an insulation film and excellent optical properties even at low voltages, can be manufactured.
摘要翻译：本发明涉及使用冷阴极等离子体制造二氧化硅薄膜的方法。更具体地，使用冷阴极转换器作为电源来产生等离子体。根据使用冷阴极等离子体制造二氧化硅薄膜的方法，使用漏电流互感器。因此，可以制造即使在低电压下也表现出极好的绝缘膜性能和优异的光学特性的二氧化硅薄膜。

48. 发明授权

KR101416583B1 물질전달 지배 반응에 의한 서셉터 제조방법과 장치 및 그에 의해 제조된 서셉터 有权
标题翻译： SUSCEPTOR制造方法和其相同的缺陷
公开(公告)号：KR101416583B1
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130046417
申请日：2013-04-26
申请人： 주식회사 케이엔제이
发明人： 장민석
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/42 , C04B41/87
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/68757
摘要： The present invention relates to a susceptor manufacturing method using a substrate transfer-influenced reaction and a susceptor manufactured thereby and, more specifically, to a method and a device for manufacturing a susceptor having the entirely concave surface by obliquely depositing a reactant on a base member since the reactant is reacted by a substance transfer-influenced reaction, and a susceptor manufactured thereby. The method for manufacturing a susceptor having the concave surface comprises a step of supplying reaction gas while controlling the atmosphere of a vacuum chamber and the amount of the reaction gas to occur the substance transfer-influenced reaction; a step of depositing a deposited substance on one side of the surface of the base member to be tapered by allowing the reaction gas to be reacted by the substance transfer-influenced reaction; a step of rotating the base member at a predetermined angle; and a step of obliquely depositing the deposited substance on the other side of the surface of the base member by allowing the reaction gas to be reacted by the substance transfer-influenced reaction.
摘要翻译：本发明涉及使用基板转移影响反应的基座制造方法及其制造的基座，更具体地说，涉及通过将反应物倾斜地沉积在基底构件上而制造具有完全凹面的基座的方法和装置因为反应物通过物质转移影响反应而反应，并且由此制造感受体。具有凹面的基座的制造方法包括在控制真空室的气氛和反应气体发生物质转移影响反应的同时供给反应气体的工序; 通过使物质转移影响反应使反应气体反应，将沉积物质沉积在基体表面的一侧上以使其成锥形的步骤; 以预定角度旋转所述基底构件的步骤; 以及通过使反应气体通过物质转移影响反应而反应而将沉积物质倾斜沉积在基材的表面的另一侧上的步骤。

49. 发明公开

KR1020140068047A 성막재료, 이를 이용한 밀봉막 및 밀봉막의 용도 有权
标题翻译：成膜材料，使用相同的密封膜，以及密封膜的使用
公开(公告)号：KR1020140068047A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020147005805
申请日：2012-08-24
申请人： 토소가부시키가이샤
发明人： 하라다이지 , 시미즈마사토
IPC分类号： C23C16/42 , C07F7/18 , C07F7/08 , H01L21/312 , H01L21/316 , G02F1/1333
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/50 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274
摘要： 본 발명은, 적어도 하나의 규소원자에 직접 결합된 2급 탄소수소기를 지니고, 규소원자 1에 대해서, 산소원자가 0.5 이하의 원자비를 지니는 것 같은 특정 구조를 지니는 유기 규소화합물을 원료로서 이용해서, CVD에 의해 형성된 탄소함유 산화 규소로 이루어진 막을 밀봉막으로 해서 가스 배리어 부재, FPD 디바이스, 반도체 디바이스 등에 이용하는 것에 관한 것이다.

50. 发明公开

KR1020140057645A SiC 에피택셜 웨이퍼 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译： SIC外延波形及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140057645A
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：KR1020147008630
申请日：2012-09-04
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 모모세겐지 , 오다와라미치야 , 무토다이스케 , 가게시마요시아키
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC分类号： H01L21/02617 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02024 , H01L21/02046 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/32
摘要： 적층 결함의 면 밀도가 저감된 SiC 에피택셜 웨이퍼 및 그의 제조 방법이 제공된다. 그러한 SiC 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법은, 오프 각을 갖는 SiC 단결정 기판의 성장면에 존재하는 기저면 전위(BPD) 중 SiC 단결정 기판 상에 형성된, 소정 막 두께의 SiC 에피택셜막에 있어서 적층 결함으로 되는 비율을 결정하는 공정과, 비율에 기초하여, 사용하는 SiC 단결정 기판의 성장면에 있어서의 BPD의 면 밀도의 상한을 결정하는 공정과, 상한 이하의 SiC 단결정 기판을 사용하여, 비율을 결정하는 공정에 있어서 사용한 에피택셜막의 성장 조건과 동일한 조건으로, SiC 단결정 기판 상에 SiC 에피택셜막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.

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