会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 47. 发明授权
    • 피디피용 저전압 보호막 재료 및 그 제조방법
    • 低电压保护材料及其制造PDP的方法
    • KR101176602B1
    • 2012-08-23
    • KR1020090083701
    • 2009-09-04
    • (주)씨앤켐
    • 김정석정석김유한김용석윤상훈
    • C01F17/00C23C14/14C23C14/24H01J11/22
    • 본 발명은 플라즈마 디스플래이 소자(PDP)의 전면판 보호막의 성분 및 제조방법에 관한 것으로서, 기존에 AC PDP에서 보호막으로 제공되어 왔던 순수 MgO 재료 또는 합금화된 MgO 재료를 대체하여, 알칼리 토금속 산화물을 포함하는 암염(Rock-Salt Crystal Structure) 결정 구조의 2가 산화물(MO)을 기지 재료로 하고, 알칼리 금속 산화물을 포함하는 1가 산화물(L
      2 O) 과 3가 산화물(N
      2 O
      3 )를 합금 원소로 동시에 첨가하여 이루어진 3원계 고용체 산화물인 [(L
      x
      N
      y )
      z M
      1
      -z ]O 을 보호막 증착원으로 이용하여 보호막을 형성하거나, 이들 산화물 분말 재료를 보호막으로 사용하는 것을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 여기서 L
      2 O 산화물은 Li, Na, K, Ag, Cu등과 같은 알칼리 금속 산화물을 포함한 1가 산화물이고, MO 산화물은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe 등의 알칼리 토금속 산화물을 포함한 암염 구조를 가진 2가 금속 산화물이고, N
      2 O
      3 산화물은 Al, Co, Fe, As. Cr. Ga. V Ti, Ir, Mo, Nb, Sc, Pd, In, Er, Y, Dy, Eu, Ce, U, Bi등의 3가 금속 산화물이다.
      본 발명에 따르면, 제공된 [(L
      x
      N
      y )
      z M
      1
      -z ]O 3원계 고용체 산화물 보호막은 AC PDP의 방전 전압을 저하시켜서, 방전 효율을 획기적으로 향상키는 것이 가능하여, 소자의 소비 전력을 감소시키고, 전기 전자 부품의 개수 및 용량을 감소시키는 것이 가능하게 되어 PDP 원가를 감소시킬 수 있기 때문에, PDP의 특성을 향상시키고 모듈의 원가를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
      플라즈마, 디스플래이, 보호막
    • 48. 发明公开
    • 산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자
    • 氧化物薄膜的组合物,组合物的制备方法,使用该组合物形成氧化物薄膜的方法和使用组合物的电子装置
    • KR1020120077787A
    • 2012-07-10
    • KR1020100139869
    • 2010-12-31
    • 연세대학교 산학협력단
    • 김현재최유리김건희
    • C01F17/00C01G15/00H01B1/08H01L31/00
    • H01L29/7869H01L21/02554H01L21/02565H01L21/02628H01L29/66742
    • PURPOSE: A composition for oxide film, a manufacturing method thereof, oxide thin film and electric component using the composition for oxide thin films are provided to improve electrical properties of the electric components by including indium, zinc and scandium which has low electronegativity. CONSTITUTION: A composition for oxide film comprises a first compound, a second compound and a third compound. The first compound comprises tin or indium. The second compound comprises zinc. The third compound includes scandium. 1-99 atomic% of scandium is included based on total atom number of zinc and indium or zinc and tin. The atomic ratio of zinc to indium or zinc to tin is 1:5-5:1. The third compound comprises scandium acetate hydrate, scandium acetylacetonate hydrate, scandium chloride, scandium chloride hexahydrate, scandium chloride hydrate, scandium fluoride, scandium nitrate hydrate or a combination thereof. The electric component comprises the oxide semiconductor thin film. The oxide semiconductor thin film comprises indium or tin, zinc, and scandium.
    • 目的:提供一种氧化膜用组合物,其制造方法,氧化物薄膜和使用该氧化物薄膜用组合物的电气成分,以通过包含具有低电负性的铟,锌和钪来改善电气部件的电特性。 构成:用于氧化膜的组合物包含第一化合物,第二化合物和第三化合物。 第一种化合物包括锡或铟。 第二种化合物包括锌。 第三种化合物包括钪。 基于锌和铟或锌和锡的总原子数,包括1-99原子%的钪。 锌与铟或锡的原子比为1:5-5:1。 第三种化合物包括乙酸钪水合物,乙酰丙酮onate水合物,氯化钪,氯化钪六水合物,氯化钪水合物,氟化钪,硝酸钪水合物或其组合。 电气部件包括氧化物半导体薄膜。 氧化物半导体薄膜包括铟或锡,锌和钪。