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41. 发明公开

KR1020160036511A 술포늄 염, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：硫酸盐，耐腐蚀组合物和抗蚀剂图案形成工艺
公开(公告)号：KR1020160036511A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：KR1020150135320
申请日：2015-09-24
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 도몬다이스케 , 와타나베사토시 , 마스나가게이이치 , 후쿠시마마사히로
IPC分类号： C07C309/73 , C07C309/30 , C07C381/12 , G03F7/004 , G03F7/038
CPC分类号： C07C305/24 , C07C309/42 , C07C309/73 , C07C381/12 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2601/20 , C07C2603/74 , C07D279/20 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D335/12 , C07D335/16 , C07D339/08 , C07D493/08 , G03F1/76 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322
摘要： (해결수단) 화학식(0-1)로표시되는술포늄염.(W는에테르성산소원자를포함해도좋은알킬렌기또는아릴렌기, R은헤테로원자로치환되어있어도좋고, 헤테로원자가개재되어도좋은 1가탄화수소기, m은 0∼2, k는 0≤k≤5+4m, R, R및 R은헤테로원자로치환되어있어도좋고, 헤테로원자가개재되어도좋은 1가탄화수소기, R, R및 R중어느 2개이상이서로결합하여식 중의황 원자와함께고리를형성해도좋다. L은단결합을나타내거나, 에스테르결합, 술폰산에스테르결합, 카보네이트결합혹은카바메이트결합중 어느것을나타낸다.) (효과) 본발명의술포늄염을광산발생제로서도입한레지스트조성물은, 미세가공기술, 특히전자선, EUV 리소그래피기술에있어서, 매우높은해상성을갖고, LER이작은패턴을부여할수 있다.
摘要翻译：公开了由化学式（0-1）表示的锍盐，其中W是可以含有醚基氧原子的亚烷基或亚芳基; R 01是可以被杂原子取代或可以具有杂原子的一价烃基; m是0-2的整数; k是0 <= k <= 5 + 4m; R 101，R 102和R 103各自独立地是可以被杂原子取代或可以具有杂原子的一价烃基; R 101，R 102和R 103中的至少两个可以彼此结合以与化学式中的硫原子一起形成环; L是单键，或者任意一个酯键，磺酸酯键，碳酸键或氨基甲酸酯键。包含本发明的锍盐作为光酸产生剂的抗蚀剂组合物在微加工技术，特别是电子束或EUV光刻技术中表现出非常高的分辨率，并且可以提供具有小LER的图案。

42. 发明公开

KR1020140043411A 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 이것을 사용한 감활성광선성 또는 감방사선성 막 및 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：抗紫外线或辐射敏感性树脂组合物，其抗紫外线或辐射敏感性膜及其形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020140043411A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020137035103
申请日：2012-06-14
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이나사키타케시 , 카와바타타케시 , 츠치무라토모타카
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027 , C08F212/08
CPC分类号： G03F7/004 , C08F8/00 , C08F12/26 , C08F12/30 , C08F212/14 , C08F257/00 , C09D125/18 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2004 , G03F7/2039 , C08F12/24 , C08F212/32
摘要： 일실시형태에 의하면, 본 발명의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 적어도 1개의 페놀성 히드록실기 및 페놀성 히드록실기의 수소 원자가 하기 일반식(1)의 임의의 기에 의해 치환된 기를 적어도 1개 함유하는 화합물(P)을 포함한다.

43. 发明公开

KR1020130111523A 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 반사형 마스크 审中-实审
标题翻译：反光掩模，其制造方法和反射掩模
公开(公告)号：KR1020130111523A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020137001682
申请日：2011-07-29
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 하시모토마사히로 , 오노가즈노리 , 츠카고시겐타 , 후쿠이도오루
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , Y10S430/143 , H01L21/0273
摘要： 본 발명은 반사형 마스크를 제작할 때에 일반적으로 사용되는 고콘트라스트의 레지스트를 이용하면, 후방 산란에 의해서 축적 에너지가 저하하고, CD 선형성이 저하하는 과제를 해결하고자 한다.
본 발명은 기판과, 그 기판 상에 형성된 노광광을 반사하는 다층 반사막과, 그 다층 반사막상에 형성된 노광광을 흡수하는 흡수체막을 갖는 반사형 마스크를 제작하기 위한 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 흡수체막 상에 전자선 묘화용 레지스트막이 설치되고, 상기 전자선 묘화용 레지스트막의 콘트라스트값 γ가 30 이하인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크이다.

44. 发明授权

KR101305067B1 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 이것을 사용한 감활성광선성 또는 감방사선성 막, 및 패턴형성방법 有权
标题翻译：活性敏感性或辐射敏感性树脂组合物，使用其的活性敏感或辐射敏感膜和图案形成方法
公开(公告)号：KR101305067B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020120059666
申请日：2012-06-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이나사키타케시 , 츠치무라토모타카
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/00 , G03F1/22
CPC分类号： C08F212/08 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要： 고해상성이며 양호한 형상의 고립 라인 패턴을 형성할 수 있고, 또한, 러프니스 특성을 포함하는 다른 레지스트 성능도 우수한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 이것을 사용한 감활성광선성 또는 감방사선성 막, 및 패턴형성방법을 제공하는 것.
적어도 1개의 페놀성 수산기와, 페놀성 수산기의 수소원자가 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 기에 의해 치환되어 있는 기를 적어도 1개 포함하는 화합물(P)을 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물.(식 중의 각 부호는 특허청구의 범위 및 명세서에 기재된 의미를 나타낸다)

45. 发明公开

KR1020130094747A 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：电子束写入装置和电子束写入方法
公开(公告)号：KR1020130094747A
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020130015714
申请日：2013-02-14
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 토우야타카나오 , 나카야마타카히토
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G21K5/08 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/3174 , H01L21/0274 , G03F1/78 , H01J3/02 , H01J37/305
摘要： PURPOSE: An electron beam writing device and an electron beam writing method reduce the drift of an electron beam due to reflected electrons or secondary electrons by applying a positive voltage to an electrostatic lens. CONSTITUTION: A sample (216) is placed on an XY stage (105). An electron body tube (102) includes an electron gun (201) and a lens. The lens includes an electrode aligned in an axial direction of an electron beam (200). A shielding plate (211) is placed between the XY stage and the electron body tube, and reduces reflected electrons or secondary electrons which are generated by irradiating the electron beam to the sample. An electrostatic lens (210) is placed immediately above the shielding plate and changes a focal position of the electron beam. A voltage supply unit (135) applies a positive voltage constantly to the electrostatic lens. [Reference numerals] (110) Control calculator; (112) Writing data processing unit; (120) Deflection control circuit; (121) Deflection amount calculator; (124) Deflection signal generating unit; (130,131,132,133) DAC amplifier unit; (135) Voltage supply means; (143) Detector; (145) Laser length measurement unit
摘要翻译：目的：电子束写入装置和电子束写入方法通过向静电透镜施加正电压来减少由反射电子或二次电子引起的电子束漂移。构成：样品（216）放置在XY台（105）上。电子体管（102）包括电子枪（201）和透镜。透镜包括沿电子束（200）的轴向排列的电极。屏蔽板（211）被放置在XY平台和电子体管之间，并且减少通过向样品照射电子束而产生的反射电子或二次电子。静电透镜（210）被放置在屏蔽板的正上方并改变电子束的焦点位置。电压供给单元（135）将恒定的正电压施加到静电透镜。（附图标记）（110）控制计算器; （112）写入数据处理单元; （120）偏转控制电路; （121）变形量计算器; （124）偏转信号发生单元; （130,131,132,133）DAC放大器单元; （135）供电装置; （143）检测器; （145）激光长度测量单元

46. 发明授权

KR101244525B1 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：充电颗粒光束写入方法和装置
公开(公告)号：KR101244525B1
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110036274
申请日：2011-04-19
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 마츠모토히로시
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/78 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3023 , H01J37/3174 , H01J2237/30461 , H01J2237/31769 , H01J2237/31776
摘要： 실시형태의 하전 입자빔 묘화 장치는, 근접 효과 보정 계수 맵과 기준 조사량 맵으로 세트를 구성하는 복수의 세트 데이터를 입력하여, 기억하는 기억부와, 각 세트 데이터를 판독하고, 세트마다, 제1 조사량 맵을 연산하는 제1 조사량 연산부와, 세트마다, 연산된 제1 조사량 맵을 이용하여, 복수의 근접 효과 밀도에서의 패턴의 치수 맵을 각각 작성하는 치수 맵 작성부와, 각 세트의 각각 근접 효과 밀도가 상이한 복수의 치수 맵을 이용하여, 근접 효과 밀도마다 맵의 각 위치에서의 모든 세트의 치수를 가산하는 가산부와, 가산된, 각각 근접 효과 밀도가 상이한 복수의 가산 치수 맵을 이용하여, 일부의 근접 효과 밀도에서는 상기 패턴의 치수 오차가 보정되고, 나머지 근접 효과 밀도에서는 상기 패턴의 치수 오차에 보정 잔여가 발생하는 근접 효과 보� �� 계수와 기준 조사량의 세트를 선택하는 선택부와, 맵의 위치마다, 근접 효과 밀도에 의존한 상기 보정 잔여를 보정하는 보정항을 연산하는 보정항 연산부와, 맵의 각 위치에서의 선택된 근접 효과 보정 계수와 기준 조사량의 세트와 상기 보정항을 이용하여 제2 조사량 맵을 연산하는 제2 조사량 연산부와, 상기 제2 조사량 맵에 정의된 조사량의 하전 입자빔을 이용하여, 시료에 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据实施例的带电粒子束写入装置包括：第一剂量计算单元，被配置为针对每一组邻近效应校正系数图和波束的基本剂量图计算第一剂量图; 维度图创建单元，被配置为通过使用针对每个集合计算的第一剂量图来创建图案的维度图; 配置为通过使用每个集合的维度图来为维度图的每个位置添加所有集合的尺寸的加法器; 被配置为通过使用添加后的附加维度图来创建邻近效应校正系数图和基本剂量图的集合的集合映射创建单元; 以及第二剂量计算单元，被配置为通过使用所创建的邻近效应校正系数图和基本剂量图的集合来计算第二剂量图。

47. 发明公开

KR1020120095298A 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 有权
标题翻译：充电颗粒光束写字装置和充电颗粒光束写字方法
公开(公告)号：KR1020120095298A
公开(公告)日：2012-08-28
申请号：KR1020120010778
申请日：2012-02-02
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 가토야스오
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , H01J37/3026 , H01J2237/31764 , H01J2237/31771 , H01J2237/31776 , H01J2237/31796 , H01L21/0275
摘要： PURPOSE: A charged particle beam writing apparatus and a charged particle beam writing method are provided to suppress the variation of a pattern dimension due to a resist heating. CONSTITUTION: A memory device(140) stores writing data inputted from the outside. Each pattern data of a plurality of figure patterns is defined in each small region into which a writing region of a sample is virtually divided and is coated with resist. An SF allocating unit(56) allocates each pattern data arranged in each small region to form a writing sequence at a group. A writing unit(150) writes each figure pattern arranged in each small region by using electron beams.
摘要翻译：目的：提供带电粒子束写入装置和带电粒子束写入方法以抑制由抗蚀剂加热引起的图案尺寸的变化。构成：存储装置（140）存储从外部输入的写入数据。在每个小区域中定义多个图形图案的每个图案数据，其中样本的写入区域被虚拟地分割并涂覆有抗蚀剂。 SF分配单元（56）分配布置在每个小区域中的每个模式数据以在组中形成写入序列。写入单元（150）通过使用电子束写入布置在每个小区域中的每个图形图案。

48. 发明授权

KR101100611B1 디지털-아날로그 변환기/증폭기 회로의 테스트 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于测试数字到模拟转换器/放大器电路的方法和系统
公开(公告)号：KR101100611B1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020100008429
申请日：2010-01-29
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 고시마요시꾸니 , 쯔찌야세이이찌 , 산미야요시마사 , 케이존윌리엄 , 라이찌싱
IPC分类号： G01R31/305 , G01R31/28
CPC分类号： H03M1/109 , G03F1/78 , H01J2237/1518 , H01J2237/2485 , H01J2237/3175 , H03M1/66
摘要： 본 발명은 전자빔(e-빔) 마스크 전자 기기용 디지털-아날로그 변환기(DAC)/증폭기 테스트 시스템(200)에 관한 것이다. e-빔 마스크 라이터는 아날로그 전압 신호를 출력하는 DAC/증폭기 회로(202, 204, 206, 208)를 포함하고, 각 DAC/증폭기 회로(202, 204, 206, 208)는 제1 출력 단자(234, 236, 238, 240) 및 제2 출력 단자(218, 222, 226, 230)을 갖는다. 복수의 DAC/증폭기 회로(202, 204, 206, 208)의 제1 출력 단자(234, 236, 238, 240)는 각각 e-빔 마스크 라이터의 편향판에 결합되어 편향 전압으로서 출력 아날로그 전압을 제공한다. 테스트 시스템은 전압 신호를 합산하고 수신된 아날로그 전압 신호의 합을 표시하는 합산 신호를 출력하는 합산기 회로(280)와, 합산 신호를 디지털화하고 디지털화된 합산 신호를 오류 허용 범위와 비교하여 적어도 하나의 DAC/증폭기 회로(202, 204, 206, 208)가 작동 오류를 범하고 있는지의 여부를 검출하는 분석기 회로(252)를 포함한다.
摘要翻译：一种用于电子束（电子束）掩模写入器的数模转换器（DAC）/放大器测试系统，电子束掩模写入器包括多个DAC /放大器电路以输出模拟电压信号，每个 DAC /放大器电路具有第一输出端和第二输出端，多个DAC /放大器电路的第一输出端分别耦合到电子束掩模写入器的偏转板，以提供输出模拟电压作为偏转电压，被提供。该测试系统包括一个求和电路，用于求和电压信号，并输出一个表示所接收的模拟电压信号和分析电路之和的求和信号，以对加和信号进行数字化，并检测以将数字化求和信号与误差容差范围进行比较检测至少一个DAC /放大器电路是否正在经历操作错误。

49. 发明授权

KR101083957B1 마스크 패턴의 보정 방법 失效
标题翻译：校正掩模图案的方法
公开(公告)号：KR101083957B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020050115451
申请日：2005-11-30
申请人： 소니 주식회사
发明人： 오가와가즈히사 , 나까무라,사또미 , 가와하라가즈요시
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/78 , G03F1/36
摘要： 광학적으로 고립된 고립 패턴의 존재를 가능한 한 없게 하여, 원하는 선폭 등을 갖는 마스크 패턴을 포토레지스트에 전사하는 것을 가능하게 하기 위한 마스크 패턴의 보정 방법을 제공한다. 반도체 장치의 제조 과정에서의 리소그래피 공정에서 이용되는 노광용 마스크에 형성할 마스크 패턴의 보정 방법에서는 마스크 패턴으로부터 광학적으로 고립된 고립 부분(11)을 갖는 고립 패턴(10)를 추출하고, 고립 패턴(10)의 고립 부분(11)과 평행하게 연장되며, 또한, 종단부(51A, 51B)를 갖는 인접 패턴(50A, 50B)에서, 고립 패턴(10)의 고립 부분(11)이 연장되는 방향을 따르면서, 고립 패턴(10)의 고립 부분(11)에 인접하여, 종단부(51A, 51B)로부터 연장되는 연장 부분(53A, 53B)을 설치한다.
고립 패턴, 고립 부분, 연장 부분, 종단부, 인접 패턴, 노광용 마스크, 마스크 패턴, 포토레지스트

50. 发明公开

KR1020110115090A 묘화 장치, 묘화 방법 및 묘화 장치의 이상 진단 방법 有权
标题翻译：书写装置，书写方法和异常诊断方法
公开(公告)号：KR1020110115090A
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：KR1020110033990
申请日：2011-04-13
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 고시마요시꾸니 , 노마아끼라
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/68 , G03F1/78 , H01J37/3174 , H01J2237/31776 , H01J2237/31793 , H01J2237/31796 , H01L21/0274
摘要： 본 발명의 과제는 조사량에 관련된 이상을 묘화 중에 대략 리얼타임이고 또한 효율적으로 검출ㆍ처리할 수 있는 묘화 장치 및 묘화 방법을 제공하는 것이다. 또한, 이상 원인의 추정을 포함하는 이상 진단을 행하는 방법을 제공하는 것이다.
기판(2)에 전자 빔(54)을 조사하여 발생한 반사ㆍ산란 전자를 검출부(19)에서 검출한다. 묘화 데이터로부터 얻어진 소정 단위에 있어서의 N번째의 쇼트의 면적(S
N )과 조사 시간(t
N )의 곱을 연산부(25a)에서 연산한다. 소정 단위마다 지시 상당값을 누적한 값과, 검출부(19)로부터의 신호(D
N )를 소정 단위로 적분한 값을, 비교부(24)에서, 비교ㆍ판정하여, 전자 빔(54)의 조사량에 이상이 일어나 있는지 여부를 판정한다.
摘要翻译：通过检测单元检测通过将电子束发射到衬底上而产生的反射和散射的电子。通过计算单元计算从写入数据获得的预定测量单位中的第N个镜头的面积（SN）和照射时间（tN）的乘积。通过累积预定测量单位中的指示等效值获得的值和通过对来自预定测量单位的来自检测单元的信号（DN）进行积分而获得的值由比较单元进行比较和确定，以确定是否发生异常电子束的照射量。

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