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41. 发明授权

KR101148868B1 페릴렌 ｎ-형 반도체 및 관련된 소자 有权
标题翻译： PERYLENE n型半导体和相关器件
公开(公告)号：KR101148868B1
公开(公告)日：2012-05-29
申请号：KR1020067017223
申请日：2005-01-26
申请人： 노오쓰웨스턴 유니버시티
发明人： 막스,토빈,제이. , 와빌레브스키,마이클,알. , 파체티,안토니오 , 아렌스,마이클,제이. , 존스,브룩스,에이. , 윤명한
IPC分类号： C07D471/06 , C07D221/18
CPC分类号： H01L51/0053 , C07D221/14 , C07D221/18 , C07D471/06 , C09B5/62 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.

42. 发明公开

KR1020110106605A 승화성 분산염료-금속 킬레이트 화합물을 이용한 염착 코팅형 태양광 반사 필름 및 그 제조방법 失效
标题翻译：使用次级分散染料和马赛克化合物的太阳反射膜的染色涂层类型及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110106605A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020100025745
申请日：2010-03-23
申请人： 주식회사 마프로 , 황태경
发明人： 황태경 , 곽준영 , 김진호 , 김용이 , 이헌동 , 손대희
IPC分类号： B32B27/18 , B32B15/08
CPC分类号： C08J7/047 , C09B45/24 , C09B57/08 , C09D1/00 , C09D5/004 , C09D7/41
摘要： 본 발명은 태양광에 분포하는 적외선 영역을 반사시킬 수 있는 염착 특성을 갖는 승화성 분산염료-금속 킬레이트 화합물의 코팅졸을 합성수지 필름의 기재층 일면에 코팅시킨 것을 특징으로 하는 승화성 분산염료-금속 킬레이트 화합물을 이용한 염착 코팅형 태양광 반사 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 습식 코팅으로 기재에 염착과 동시에 태양광 반사특성을 나타내는 반사 박막이 형성되어 태양광 에너지 분포에서 95%를 차지하는 가시광선 영역부터 근적외선 원적외선 까지 반사하는 즉 780nm~1700nm 영역을 효과적으로 차단시킴으로써, 태양광이 강한 낮 동안 열선이 건물 내부로 전이되는 것을 기존의 태양광 흡수 형태의 열차단 필름이 아닌 반사필름이므로 높은 효율의 에너지 절감형 태양광 열차단 필름을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 승화성 분산염료-금속 킬레이트 화합물 내에 함유되어 있는 캐리어 화합물은 승화성 분산염료를 높은 농도로 완전히 용해시키는 역할을 하고, 또한 합성수지 필름 기재층 표면의 분자배열을 이완시켜 염착속도를 향상시키고, 또한 승화성 분산염료-금속 킬레이트 화합물에 레벨링제, 유기용제를 첨가하여 우수한 광학적 특성을 발현함은 물론 기재 표면과의 높은 표면장력 차이에 의해 발생되는 홈(crater) 또는 반점(spot) 등의 발생을 완화시키거나 또는 제거하여 색차 편차가 없는 양호한 염착 효과를 제공하며, 그리고 본 발명에 따른 승화성 분산염료-금속 킬레이트 화합물은 리플럭스(Reflux) 합성법으로 제조함으로써, 기존의 간단한 설비로서도 합성이 가능하여 제조단가를 낮출 수 있는 이점과 용해도가 높은 킬레이트 화합물을 얻을 수 있는 것이 장점이다.

43. 发明公开

KR1020110015454A 염소화 나프탈렌테트라카르복실산 유도체, 이의 제조 방법 및 유기 전자 장치에서의 그 용도 有权
标题翻译：氯化萘甲酸羧酸衍生物，其制备及其在有机电子中的应用
公开(公告)号：KR1020110015454A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020107029908
申请日：2009-06-05
申请人： 바스프 에스이
发明人： 쾨네만마르틴 , 마테른가브리엘 , 웨른트너프랑크 , 뢰저코넬리아 , 슈미트뤼디거
IPC分类号： C09K11/06 , C07D471/06 , C07D493/06 , H01L51/50
CPC分类号： C07D471/02 , C07D471/06 , C07D487/02 , C07D491/06 , C07D493/06 , C09B57/08 , C09K11/06 , H01L51/0053 , H01L51/0545 , H01L51/42 , H01L51/50 , Y02E10/549 , H01L51/5048
摘要： 본 발명은 염소화 나프탈렌테트라카르복실산 유도체, 이의 제조 방법 및 전하 수송 물질, 엑시톤 수송 물질 또는 이미터 물질로서 그의 용도에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及氯化萘四羧酸衍生物，其制备及其作为电荷传输材料，激子传输材料或发射体材料的用途。

44. 发明公开

KR1020080107025A 폴리락트산 섬유 및 폴리프로필렌 섬유용 프탈이미드계분산 염료 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：用于聚酰亚胺纤维和聚丙烯纤维的基于邻苯二甲酰亚胺的分散体及其制备方法
公开(公告)号：KR1020080107025A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：KR1020070054801
申请日：2007-06-05
申请人： 경북대학교 산학협력단
发明人： 최재홍 , 김미현 , 이현영
IPC分类号： C09B29/036 , C09B67/22
CPC分类号： C09B57/08 , C09B29/0033 , C09B67/0084 , D06P3/004
摘要： A phthalimide-based disperse dye is provided to ensure very high dye absorption rate by using the diazo disperse dyes. A phthalimidel based disperse dyes is represented by the chemical formula 1. In the chemical formula 1, R1 is selected from a group consisting of CH3, C2H5, C6H5, NC(CH2)2; R2 is H or CH3; X is selected from a group consisting of H, br, and CN; and Y is H or NHCOCH3.
摘要翻译：提供邻苯二甲酰亚胺基分散染料以通过使用重氮分散染料来确保非常高的染料吸收速率。在化学式1中，R 1选自CH 3，C 2 H 5，C 6 H 5，NC（CH 2）2; R2是H或CH3; X选自H，Br和CN组成的组; Y为H或NHCOCH 3。

45. 发明公开

KR1020080073303A 반도체 물질로서의 나프탈렌계 테트라카복실릭 다이이미드 无效
标题翻译：作为半导体材料的基于萘基的四羧酸二异氰酸酯
公开(公告)号：KR1020080073303A
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020087012156
申请日：2006-11-07
申请人： 이스트맨 코닥 캄파니
发明人： 슈클라디팩 , 프리만디앤캐롤 , 넬손쉘비포레스터 , 카레이제프리토드 , 아해른웬디지
IPC分类号： H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0053 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y10T428/10 , Y10T428/31721
摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, a substituted or unsubstituted alicyclic ring system, optionally substituted with electron donating groups. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100°C.
摘要翻译：薄膜晶体管包括一层有机半导体材料，它包括一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的取代或未取代的脂环族环系，任选被电子给体基团取代。这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。

46. 发明公开

KR1020080063803A 박막 트랜지스터용 Ｎ-형 반도체 물질 无效
标题翻译：薄膜晶体管的N型半导体材料
公开(公告)号：KR1020080063803A
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020087010409
申请日：2006-10-16
申请人： 이스트맨 코닥 캄파니
发明人： 슈클라디팩 , 프리맨다이앤캐롤 , 넬슨쉘비포레스터 , 캐리제프리토드 , 어헤른웬디지
IPC分类号： H01L51/30 , H01L29/78
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C09B57/08 , H01L51/0008 , H01L51/0053 , Y02E10/549
摘要： A thin film transistor comprises a layer of organic semiconductor material comprising a tetracarboxylic diimide naphthalene-based compound having, attached to each of the imide nitrogen atoms, an aromatic moiety, at least one of which moieties is substituted with at least one electron donating group. Such transistors can further comprise spaced apart first and second contact means or electrodes in contact with said material. Further disclosed is a process for fabricating an organic thin-film transistor device, preferably by sublimation deposition onto a substrate, wherein the substrate temperature is no more than 100°C.
摘要翻译：一种薄膜晶体管，包括一层有机半导体材料，它包括一个四羧酸二酰亚胺萘系化合物，它具有连接到每个酰亚胺氮原子上的芳族部分，其中至少一个部分被至少一个给电子基团取代。这种晶体管还可以包括与所述材料接触的间隔开的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了一种用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过升华沉积到衬底上，其中衬底温度不超过100℃。

47. 发明公开

KR1020060126738A 융합 피롤로카르바졸 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：熔融吡咯烷酮及其制备方法
公开(公告)号：KR1020060126738A
公开(公告)日：2006-12-08
申请号：KR1020067014797
申请日：2004-12-23
申请人： 세파론, 인코포레이티드
发明人： 허드킨스,로버트,엘. , 레디,단두,알. , 타오,밍 , 운더리너,테오도르,엘. , 줄리,앨리슨,엘.
IPC分类号： C07D487/04 , C07D487/14 , C07D513/14
CPC分类号： C07D487/14 , C07D487/04 , C07D513/14 , C09B57/00 , C09B57/08
摘要： The present invention relates generally to selected fused pyrrolocarbazoles, including pharmaceutical compositions thereof and methods of treating diseases therewith. The present invention is also directed to intermediates and processes for making these fused pyrrolocarbazoles.
摘要翻译：本发明一般涉及选择的稠合吡咯并唑，包括其药物组合物和用其治疗疾病的方法。本发明还涉及制备这些稠合的吡咯并咔唑的中间体和方法。

48. 发明公开

KR1020060097752A 아세나프토［1,2-ｂ］퀴녹살린의 설포유도체, 이를 함유하는 리오트로픽 액정 조성물 및 비등방성 필름 失效
标题翻译： ACENAPHTHO [1,2-B]喹喔啉，LYOTROPIC液晶和其基底上的异型薄膜的硫化物
公开(公告)号：KR1020060097752A
公开(公告)日：2006-09-15
申请号：KR1020067009963
申请日：2004-11-19
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
发明人： 두토바,탓바나 , 노켈,알렉세이,와이. , 시도렌코,엘레나,엔. , 티모피브,서제이,브이.
IPC分类号： C09K19/34 , C07D241/38
CPC分类号： C07D241/38 , C09B17/00 , C09B57/00 , C09B57/08 , C09K19/3452 , Y10T428/10 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041
摘要： The present invention provides a series of new chemical compounds, lyotropic liquid crystal systems, materials, blends, mixtures, namely acenaphtho[1,2-b]quinoxaline sulfoderivatives of the general structural formula: wherein n is an integer in the range of 1 to 4; m is an integer in the range of 0 to 4; z is an integer in the range of 0 to 6, and m+z+n = 10; X and Y are individually selected from the group consisting of CH3, C2H5, OCH3, OC2H5, Cl, Br, OH, OCOCH3 NH2, NHCOCH3, NO2, F, CF3, CN, OCN, SCN, COOH, and CONH2; M is a counterion; and j is the number of counterions in the molecule.
摘要翻译：本发明提供一系列新的化合物，溶致液晶体系，材料，共混物，混合物，即通式结构式的苊并[1,2-b]喹喔啉磺酸衍生物：其中n为1〜 4; m为0〜4的整数; z为0〜6的整数，m + z + n = 10; X和Y分别选自CH 3，C 2 H 5，OCH 3，OC 2 H 5，Cl，Br，OH，OCOCH 3 NH 2，NHCOCH 3，NO 2，F，CF 3，CN，OCN，SCN，COOH和CONH 2; M是反抗; 并且j是分子中的抗衡离子的数目。

49. 发明授权

KR101850172B1 풍화에 대해 높은 안정성을 갖는 유기 착색제 및 착색 중합체 조성물 有权
公开(公告)号：KR101850172B1
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：KR1020137018640
申请日：2011-12-15
申请人： 코베스트로 도이칠란드 아게
发明人： 마이어,알렉산더 , 바그너,미카엘 , 라이헤나우어,외르크
IPC分类号： C09B57/00 , C08K5/00 , C08K5/34 , C08L69/00
CPC分类号： C08K5/3465 , C08K5/17 , C08K5/18 , C09B5/16 , C09B5/48 , C09B47/062 , C09B47/065 , C09B47/0673 , C09B47/0678 , C09B47/12 , C09B47/24 , C09B47/30 , C09B57/08 , C09B67/0033 , C09B67/0034
摘要： 본발명은열가소성물질에대한유기착색제에관한것이고, 상기착색제는풍화에대해높은색 안정성을갖는다. 본발명은추가로 1종이상의열가소성물질및 특정구조를갖는, 1종이상의유기착색제, 바람직하게는 2종이상의유기착색제의조합물을함유하는중합체조성물에관한것이다. 또한, 본발명은특히, 예를들어, 건물, 자동차, 및철도차량또는항공기에사용하기위한창유리를제조하는데필요한투명세팅물(setting)에대한중합체조성물을착색하기위한청구된착색제의용도에관한것이다.

50. 发明授权

KR101725471B1 신규 설폰산 유도체 화합물 및 신규 나프탈산 유도체 화합물 有权
公开(公告)号：KR101725471B1
公开(公告)日：2017-04-10
申请号：KR1020127021048
申请日：2011-01-12
申请人： 가부시키가이샤 아데카
发明人： 무라이도시히코 , 마카베요시에 , 후지타쇼헤이
IPC分类号： C07D221/14 , C07D311/92 , C07D405/12 , G03F7/004
CPC分类号： C07D221/14 , C07D311/92 , C07D405/12 , C09B57/08 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0397
摘要： 유기용제에대한용해성이높고, 감광성의양호한, 광산발생제및 중합개시제로서적합한신규한설폰산유도체화합물및 신규나프탈산유도체화합물을제공한다. 하기일반식 (I)(식중, R, R, R및 R는, 수소원자를나타내고, R, R중어느하나는, 지환식탄화수소기, 복소환기또는할로겐원자로치환될수도있고, 분지를가질수도있는탄소수 4∼18의알콕시기등을나타내고, R은, 할로겐원자및/또는알킬티오기로치환될수도있는탄소수 1∼18의지방족탄화수소기등을나타냄)로표시되는설폰산유도체화합물.

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