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41. 发明公开

KR1020140133265A 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀 审中-实审
标题翻译：用于制造石墨的装置，使用其的制造方法和由其制造的石墨
公开(公告)号：KR1020140133265A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020130053202
申请日：2013-05-10
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 문진산 , 김태형 , 최민석 , 정명희
IPC分类号： C01B31/02 , B01J19/12 , B01J19/24
CPC分类号： C01B32/186 , B01J19/12 , B01J19/24
摘要： 본 발명은 그래핀에 관한 것으로 특히, 고품질의 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀의 제조 장치, 제조 방법 및 그 그래핀에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은, 그래핀의 제조 장치에 있어서, 그래핀 형성 영역을 포함하는 형성 챔버; 상기 형성 챔버의 일측에 위치하여 탄소 공급원을 분해하는 소스 분해부; 및 상기 소스 분해부 및 형성 챔버를 통하여 촉매 금속을 공급하는 공급 장치를 포함하여 구성될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及石墨烯，更具体地说，涉及制造石墨烯的装置，制造高品质石墨烯的制造方法，以及由其制造的石墨烯。根据本发明，制造石墨烯的装置包括：包括石墨烯形成区域的成形室; 源分解单元，其安装在成形室中并供应碳源; 以及经由源分解单元和成形室供给催化剂金属的供给装置。

42. 发明授权

KR101456393B1 수소 표면처리된 그래핀 및 이의 표면 처리방법 有权
标题翻译：氢表面处理的石墨和表面处理方法
公开(公告)号：KR101456393B1
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020130124100
申请日：2013-10-17
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 홍종일 , 손장엽
IPC分类号： C01B31/02 , B01J19/12
CPC分类号： C01B32/182 , B01J19/12 , C01B32/194
摘要： The present invention relates to graphene with a surface treated with hydrogen and a surface treatment method of the same. The graphene with the surface treated with hydrogen according to the present invention can finely adjust a band gap without bonding of graphene by indirect plasma treatment. The graphene with the surface treated with hydrogen has a band gap of 0.5-5.0 eV and satisfies following mathematical formula 1 (10
摘要翻译：本发明涉及具有用氢处理的表面的石墨烯及其表面处理方法。根据本发明的用氢处理的表面的石墨烯可以通过间接等离子体处理来精细调节带隙而不粘结石墨烯。具有用氢处理的表面的石墨烯具有0.5-5.0eV的带隙，并且满足以下数学公式1（10 <= I_D / I_D'）。在数学公式1中，I_D是拉曼位移附近出现的峰值强度1350cm ^ -1，I_D'是拉曼位移附近峰值强度为1620cm -1。

43. 发明授权

KR101415175B1 열플라즈마를 이용한 그래핀의 제조 방법 有权
标题翻译：通过热等离子体制备石墨的方法
公开(公告)号：KR101415175B1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120156450
申请日：2012-12-28
申请人： 인하대학교 산학협력단
发明人： 박동화 , 김태희 , 백종준
IPC分类号： C01B31/02 , B01J19/12
CPC分类号： C01B32/184 , B01J19/12
摘要： The present invention relates to a graphene manufacturing method using thermal plasma. Specifically, the present invention provides a high quality graphene manufacturing method which does not use metal nanopowder used as a catalyst and a post process by providing a method of synthesizing high purity few layer graphene by increasing voltages applied to both ends of plasma by injecting hydrogen with argon as thermal plasma generating gas in a graphene manufacturing method, thereby being capable of being useful for application.
摘要翻译：本发明涉及使用热等离子体的石墨烯制造方法。具体地说，本发明提供了一种不使用金属纳米粉末作为催化剂的高品质石墨烯制造方法，其特征在于，提供一种通过增加施加到等离子体两端的电压来合成高纯度的几层石墨烯的方法，氩作为石墨烯制造方法中的热等离子体发生气体，从而能够用于应用。

44. 发明公开

KR1020140053826A 해중합 방법, 장치 및 이에 사용하기 위한 촉매 审中-实审
标题翻译：分解方法，装置和催化剂用于其中
公开(公告)号：KR1020140053826A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020137017876
申请日：2011-12-08
申请人： 모한티, 프라반수 에스. , 라메쉬, 스와미나싼
发明人： 모한티,프라반수에스. , 라메쉬,스와미나싼
IPC分类号： C07C4/22 , B01J19/08
CPC分类号： B01J19/12 , B01J8/003 , B01J8/087 , B01J8/10 , B01J19/088 , B01J23/34 , B01J23/466 , B01J2219/00033 , B01J2219/0854 , B01J2219/0879 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894 , C07C4/22 , C08J11/10 , C08J11/16 , C08J2300/00 , Y02P20/52 , Y02W30/705 , C07C11/04 , C07C11/06
摘要： 본 발명은 일반적으로 폴리머를 해중합하도록 설계된 방법, 장치 및 맞춤 촉매에 관한 것이다. 하나의 구현예에서, 본 발명은 결합 전자기 유도를 사용하는 "
in situ " 반응에 의해 유용한 모노머 함유 연료 생성물을 얻기 위한 해중합 장치, 촉매 및 반응 체계에 관한 것이다.

45. 发明公开

KR1020140039040A 개선된 수율로 고급 실란을 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：用于生产具有改进的粘度的较高硅烷的方法
公开(公告)号：KR1020140039040A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020147000461
申请日：2012-05-15
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 랑,유르겐에르윈 , 라울레더,하르트비크 , 뮈흐,에케하르트
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J19/12 , C01B33/107 , C01G17/04
摘要： 본 발명은 SiCl
4 또는 GeCl
4 를 함유하는 기체 중에서, a) 주파수 f의 교류 전압에 의해 비열 플라즈마를 발생시키고, 여기서 반복률 g의 적어도 하나의 전자기 펄스가 플라즈마 내로 커플링되고, 펄스의 전압 성분이 10V ns
-1 내지 1kV ns
-1 의 상승 에지에서의
에지 기울기 및 500ns 내지 100μs의 펄스폭 b를 가지며, 여기서 액체 상이 수득되고, b) 액체 상으로부터 순수한 헥사클로로디실란 또는 Ge
2 Cl
6 이 수득되는 것을 특징으로 하는 헥사클로로디실란 또는 Ge
2 Cl
6 의 제조 방법에 관한 것이다.

46. 发明公开

KR1020140039037A 가스변환시스템 有权
标题翻译：气体转换系统
公开(公告)号：KR1020140039037A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020147000419
申请日：2012-06-21
申请人： 리카본 인코포레이티드
发明人： 타니바타토루 , 구재모 , 이상훈
IPC分类号： B01J19/12 , B01J7/00 , C01B32/50
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4622 , B01J19/12 , B01J7/00 , C01B32/50
摘要： 본 발명은 가스변환시스템(1)에 관한 것으로, 상기 가스변환시스템(1)은 웨이브가이드(24); 상기 웨이브가이드(24)를 통과하고, 상기 마이크로웨이브를 전달하는 가스유동관(26); 상기 웨이브가이드(24)의 온도를 조절하는 온도조절수단(241); 상기 가스유동관(26)에 근접하여 배치되고 상기 가스유동관(26) 또는 상기 웨이브가이드(24)의 온도를 측정하는 온도센서(29); 상기 가스유동관(26)에 근접하여 위치하고 상기 가스유동관(26) 내에서 플라즈마를 점화하여 상기 플라즈마가, 작동중에 상기 가스유동관(26)을 흐르는 가스를 변환하는 점화기(28); 및 상기 가스유동관(26)에 근접하여 위치하고 상기 플라즈마를 모니터링하는 플라즈마 감지기(30)를 포함한다.

47. 发明公开

KR1020140030982A 패턴화된 탄소 재료의 무촉매 연속 제조 장치 및 방법 有权
标题翻译：非碳化物连续制造图形碳材料的装置与方法
公开(公告)号：KR1020140030982A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020120097824
申请日：2012-09-04
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이성호 , 조한익 , 김태욱 , 이재선
IPC分类号： C01B31/02 , B01J19/12 , B05C1/08 , B05C9/14
CPC分类号： C01B32/05 , B01J19/12 , B05C1/08 , B05C9/14 , B82B3/0004 , C01B32/184
摘要： The present invention provides a device and a method for the non-catalyst continuous manufacturing of patterned carbon materials which produce the carbon materials using a non-catalyst process not using a metallic catalyst for producing the carbon materials including graphene, and effectively provide the high quality carbon materials patterned on a substrate for an element by performing a patterning process before forming the carbon materials without a post process of patterning or a conventional complex transmitting process, and facilitate the patterning process, simplify overall production processes, and reduce the processing costs, thereby providing the device and the method for the non-catalyst continuous manufacturing of the patterned carbon materials suitable for mass-production.
摘要翻译：本发明提供了一种用于非催化剂连续制造图案化碳材料的装置和方法，其使用不使用金属催化剂生产包括石墨烯在内的碳材料的非催化剂方法生产碳材料，并且有效地提供高质量通过在形成碳材料之前进行图案化工艺而不经过图案化的后处理或传统的复合物传输工艺，在元件的衬底上图案化的碳材料，并且便于图案化工艺，简化整个生产过程并降低加工成本，从而提供了适用于批量生产的图案化碳材料的非催化剂连续制造的装置和方法。

48. 发明公开

KR1020140005470A 그래핀의 제조방법 有权
标题翻译：制造石墨的方法
公开(公告)号：KR1020140005470A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020120072730
申请日：2012-07-04
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 천승현 , 김용승
IPC分类号： C01B31/02 , B01J19/12 , H01L21/033
CPC分类号： C01B32/186 , B01J19/12 , C01B2204/02 , C01B2204/04 , H01L21/033
摘要： The present invention relates to a manufacturing method for graphene. The manufacturing method for graphene is able to uniformly grow graphene at low temperatures without a catalyst by forming a graphene layer with a method which directly grows graphene on a substrate by supplying process gas containing carbon sources to the substrate after preprocessing the substrate by oxidative gas plasma. The manufacturing method is able to directly grow graphene on a flexible substrate without a catalyst, thereby being able to be applied to various flexible devices such as a flexible display recently receiving attention. The manufacturing method for graphene forms a mask pattern on a substrate after or before preprocessing the substrate by using oxidative gas plasma, grows graphene on the surface of the substrate exposed due to the mask by supplying process gas containing carbon sources to the substrate, and forms a graphene layer equipped with the pattern, thereby being able to easily and simply form the graphene layer equipped with the pattern by using a mask made of various materials with one step process without an additional lithographic process. [Reference numerals] (AA) Oxidative gas plasma
摘要翻译：本发明涉及石墨烯的制造方法。石墨烯的制造方法能够在没有催化剂的情况下在低温下均匀地生长石墨烯，通过在通过氧化气体等离子体预处理基板之后，通过向衬底提供含有碳源的工艺气体直接生长石墨烯的方法，从而在基板上直接生长石墨烯。该制造方法能够在没有催化剂的情况下在柔性基板上直接生长石墨烯，从而能够应用于近来受到关注的柔性显示器等各种柔性装置。石墨烯的制造方法在通过使用氧化气体等离子体对基板进行预处理之后或之后在基板上形成掩模图案，通过向基板供给含有碳源的工艺气体，在由于掩模暴露的基板的表面上生成石墨烯，并形成具有图案的石墨烯层，从而能够通过使用由各种材料制成的掩模，通过一步加工而不需要附加的光刻工艺，容易且简单地形成配备有图案的石墨烯层。（附图标记）（AA）氧化气体等离子体

49. 发明授权

KR101314667B1 자속 채널 결합 플라즈마 반응기 有权
标题翻译：磁场通道耦合等离子体反应器
公开(公告)号：KR101314667B1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：KR1020120001247
申请日：2012-01-04
申请人： 최대규
发明人： 최대규
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： B01J19/12 , H01J37/32082 , H01J37/32669 , H05H1/46 , H05H2001/4675
摘要： 본 발명의 자속 채널 결합 플라즈마 반응기는 자속 채널에 결합된 플라즈마 방전 공간을 갖는 중공의 반응기 몸체, 상기 자속 채널을 형성하는 둘 이상의 자속 출입구를 갖는 마그네틱 코어와 상기 마그네틱 코어에 권선되는 일차 권선 코일을 갖고 상기 플라즈마 방전 공간에 자속 채널 결합된 플라즈마를 발생시키는 자속 채널 결합 플라즈마 소스 및, 상기 일차 권선 코일과 상기 용량 결합 전극으로 플라즈마 발생 전력을 공급하는 교류 스위칭 전원 공급원을 포함한다. 자속 채널 결합 플라즈마 반응기는 반응기 몸체의 내부에서 자속 채널 결합 플라즈마를 단독적으로 발생하거나 용량 결합 전극 또는 유도 안테나 코일에 의해 하이브리드 플라즈마를 발생할 수도 있다. 본 발명의 자속 채널 결합 플라즈마 반응기는 복수개의 자속 채널을 반응기 몸체의 내부에 형성하여 자속 채널 결합 플라즈마를 발생함으로 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고, 대용량의 플라즈마를 발생할 수 있는 확장성이 용이한 구조를 갖는다. 또한 복수개의 자속 채널에 결합된 자속 채널 결합 플라즈마와 용량 결합 플라즈마 또는 유도 결합 플라즈마가 혼합된 하이브리드 플라즈마를 발생할 수 있어서 저압 영역에서 고압 영역까지 폭넓은 동작 영역을 갖는다.

50. 发明公开

KR1020130088255A 벤젠가스 소거처리를 위한 저온플즈마반응기 유닛 및 그의 제조방법 无效
标题翻译： BENZENE气体处理等离子体设备
公开(公告)号：KR1020130088255A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：KR1020120009380
申请日：2012-01-31
申请人： 김정일
发明人： 김정일
IPC分类号： F23G5/027 , B01J19/12 , B09B3/00
CPC分类号： F23G7/06 , B01J19/12 , B09B3/0083 , F23G2204/203 , F23G2209/14
摘要： PURPOSE: A low temperature plasma reactor unit, capable of removing benzene gas without using fossil fuels and a manufacturing method thereof are provided to protect the health and livelihood for the indoor operators by destroying a molecular binding of benzene generated in a specific indoor industrial process such as a sealed clean room and returning the water and harmless pure gas to its originality. CONSTITUTION: A low temperature plasma reactor unit capable of removing benzene gas without using fossil fuels and a manufacturing method thereof fix each electrode on a plate which is made of insulator to face each other with a gap of 10 mm after comprising two round bars to an electrode of one set without a division of cathode and anode. A metal net is fixed on the end of a lower plate and a plasma reaction area is extended by inducing an electron and a voltage and generating impact when a plasma generated between the electrodes occurs in a voltage state. After the voltage is prevented from being lost or flowed, the power is applied and the benzene gas is passed through a reaction container.
摘要翻译：目的：提供一种能够在不使用化石燃料的情况下除去苯气的低温等离子体反应器装置及其制造方法，以通过破坏在特定的室内工业过程中产生的苯的分子结合来保护室内操作者的健康和生活，作为密封的洁净室，将水和无害的纯净气体返回到其原创性。构成：能够在不使用化石燃料的情况下除去苯气体的低温等离子体反应器装置及其制造方法，其将每个电极固定在由绝缘体制成的板上，在将两个圆棒包围到一组电极，不分阴极和阳极。金属网固定在下板的端部，并且当在电极之间产生的等离子体处于电压状态时，通过产生电子和电压并产生冲击，等离子体反应区域被延伸。在防止电压丢失或流动之后，施加电力并使苯气体通过反应容器。

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