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41. 发明公开

KR1020090077477A 멀티미디어 컨텐츠 리스트 제공방법 및 이를 적용한멀티미디어 기기 有权
标题翻译：提供多媒体内容列表的方法和使用该方法的装置
公开(公告)号：KR1020090077477A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003458
申请日：2008-01-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박정철 , 곽지연 , 박민규 , 윤수연
IPC分类号： H04N21/431 , H04N21/432
CPC分类号： H04N21/4828 , G06F17/30864 , H04N5/44543 , H04N7/163 , H04N21/4312 , H04N21/4314 , H04N21/4316 , H04N21/4438 , H04N21/8153 , H04N21/8405
摘要： A method for providing a multimedia contents list and an apparatus using the same are provided to supply a multimedia contents list independent from contents except contents relate to a keyword, thereby enabling a user to conveniently use multimedia contents. An input unit receives a keyword from a user. A controller(170) produces a multimedia contents list. The controller control to display the list independent from the second contents except the first contents related to the keyword. The controller displays an icon related to the keyword on the list. The list in which the first contents and the second contents are divided is displayed through an icon related to the keyword.
摘要翻译：提供一种用于提供多媒体内容列表的方法和使用该多媒体内容列表的装置，以提供独立于与关键字相关的内容以外的内容的多媒体内容列表，从而使得用户能够方便地使用多媒体内容。输入单元从用户接收关键字。控制器（170）产生多媒体内容列表。控制器控制显示独立于第二个内容的列表，但与关键字相关的第一个内容除外。控制器在列表中显示与该关键字相关的图标。通过与关键字相关的图标来显示第一内容和第二内容被划分的列表。

42. 发明授权

KR100234364B1 반도체 제조장치의 스테퍼의 촛점측정에 사용하는 마스크 패턴과 이 마스크 패턴을 이용한 스테퍼의 촛점측정방법 失效
标题翻译：用于测量步进器的焦点的掩模图案和使用其来测量聚焦的方法
公开(公告)号：KR100234364B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970002679
申请日：1997-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박정철
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70 , G03F9/70
摘要： 본 발명은 반도체 제조장치의 스테퍼(stepper)의 촛점측정에 사용하는 마스크 패턴, 상기 마스크 패턴을 이용한 스테퍼의 촛점측정방법에 관해 개시한다.
본 발명은 스테퍼의 분해능을 능가하는 따라서 스테퍼에 의해 마스크 형태대로 형성되지 못하는 제1 패턴군과 제2 패턴군이 형성되어 있고 상기 제1 및 제2 패턴군은 상기 스테퍼의 분해능보다 큰 따라서 그 간격의 형성이 가능한 제1 간격을 갖는 마스크 패턴를 사용하여 상기 제1 간격을 측정하여 상기 스테퍼의 촛점을 측정한다. 이러한 측정시에 노광량을 실제 반도체장치의 제조공정에서 사용되는 정도의 광량을 사용하므로 실제 공정과의 높은 정합성을 이룰 수 있다. 더욱이 종래 기술에서 처럼 PSM을 사용하지 하고 노말 마스크 패턴을 사용함으로써 마스크 제작을 위한 별도의 추가공정이 필요치않는 등 스테퍼의 촛점측정이 편리하고 공정이 간단해지는 잇점이 있다.

43. 发明公开

KR1019980066904A 반도체 제조장치의 스테퍼의 촛점측정에 사용하는 마스크 패턴과 이 마스크 패턴을 이용한 스테퍼의 촛점측정방법 失效
标题翻译：用于测量半导体制造设备的步进器的焦点的掩模图案以及使用掩模图案测量步进器的焦点的方法
公开(公告)号：KR1019980066904A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002679
申请日：1997-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박정철
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체 제조장치의 스테퍼(stepper)의 촛점측정에 사용하는 마스크 패턴, 상기 마스크 패턴을 이용한 스테퍼의 촛점측정방법에 관해 개시한다.
본 발명은 스테퍼의 분해능을 능가하는 따라서 스테퍼에 의해 마스크 형태대로 형성되지 못하는 제1 패턴군과 제2 패턴군이 형성되어 있고 상기 제1 및 제2 패턴군은 상기 스테퍼의 분해능보다 큰 따라서 그 간격의 형성이 가능한 제1 간격을 갖는 마스크 패턴를 사용하여 상기 제1 간격을 측정하여 상기 스테퍼의 촛점을 측정한다. 이러한 측정시에 노광량을 실제 반도체장치의 제조공정에서 사용되는 정도의 광량을 사용하므로 실제 공정과의 높은 정합성을 이룰 수 있다. 더욱이 종래 기술에서 처럼 PSM을 사용하지 하고 노말 마스크 패턴을 사용함으로써 마스크 제작을 위한 별도의 추가공정이 필요치않는 등 스테퍼의 촛점측정이 편리하고 공정이 간단해지는 잇점이 있다.

44. 发明授权

KR1019950007570B1 미세패턴의 형성방법 失效
标题翻译：形成分钟图案的方法
公开(公告)号：KR1019950007570B1
公开(公告)日：1995-07-12
申请号：KR1019920025353
申请日：1992-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박정철
IPC分类号： G03F7/20
摘要： The method includes the steps of applying a chemical-amplified positive photoresist (2) of 1.0 micro m thickness on a silicon wafer (3), exposing the wafer using a mask (1) and an excimer laser, baking the wafer for one minute at 60 deg.C., acid-treating the photoresist layer using an acetic acid solution for 1.5 minutes to change the resist layer portion of 600 angstrome into a soluble layer (5), and developing the wafer to obtain a line pattern, thereby forming micropatterns of exact sizes.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：在硅晶片（3）上涂覆1.0微米厚度的化学放大的正性光致抗蚀剂（2），使用掩模（1）和准分子激光器曝光晶片，将晶片烘烤1分钟 60℃，使用乙酸溶液对光致抗蚀剂层进行酸处理1.5分钟，将600埃的抗蚀剂层部分改变为可溶层（5），并显影晶片以获得线图案，从而形成微图案精确尺寸。

45. 发明公开

KR1019940015668A 미세패턴의 형성방법 失效
公开(公告)号：KR1019940015668A
公开(公告)日：1994-07-21
申请号：KR1019920025353
申请日：1992-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박정철
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 프로파일을 향상시킬 수 있는 미세패턴의 형성방법이 개시되어 있다. 화학 증폭형 포토레지스트를 도포한 후, 마스크를 사용하여 노광한다. 다음에 베이크하고 레지스트 표면을 산처리하거나, 마스크를 사용하여 노광 공정전, 또는 후에 전면노광을 수행한다. 현상하여 레지스트 패턴을 수득한다. 단면이 수직형인 레지스트 패턴이 얻어지게 된다.

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