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41. 发明授权

KR101753927B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101753927B1
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020127014217
申请日：2010-10-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이 , 고야마준 , 가또기요시
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C7/12 , G11C11/24 , G11C11/405 , G11C2211/4016 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/1108 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225
摘要： 목적은신규한구조를갖는반도체장치를제공하는것이다. 제1 배선; 제2 배선; 제3 배선; 제4 배선; 제1 게이트전극, 제1 소스전극, 및제1 드레인전극을포함하는제1 트랜지스터; 제2 게이트전극, 제2 소스전극, 및제2 드레인전극을포함하는제2 트랜지스터가포함된다. 제1 트랜지스터는반도체재료를포함하는기판위에제공되며, 상기제2 트랜지스터는산화물반도체층을포함한다.

42. 发明授权

KR101738996B1 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치 有权
公开(公告)号：KR101738996B1
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020127012588
申请日：2010-10-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 가또기요시 , 이에다요시노리 , 고야마준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/12 , G11C16/0466 , H01L21/28273 , H01L21/77 , H01L27/11521 , H01L27/1225 , H01L29/42324 , H01L29/7881
摘要： 신규한불휘발성메모리소자를포함하는장치를제공한다. 장치는채널형성영역을위한반도체재료로서산화물반도체를이용한불휘발성메모리소자를포함한다. 불휘발성메모리소자는, 제어게이트, 제1 절연막을개재하여제어게이트와중첩하는전하축적층, 및산화물반도체재료를이용하여형성되고제2 절연막을개재하여전하축적층과중첩하는산화물반도체층을포함한다.

43. 发明授权

KR101708607B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101708607B1
公开(公告)日：2017-02-20
申请号：KR1020167026897
申请日：2010-10-25
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 가또기요시 , 고야마준
IPC分类号： H04B1/40 , G06K19/07 , H01L27/06 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/78696 , G06K19/07749 , G06K19/07773 , H01L23/66 , H01L27/0688 , H01L27/1225 , H01L29/1033 , H01L29/7869 , H01L2223/6677 , H04B1/40 , Y02D70/00
摘要： 무선통신기능을갖는반도체장치의저 전력소비및 오랜수명을달성하는것이목적이다. 이목적은전원으로되는전지및 특정회로가채널형성영역이산화물반도체를이용하여형성된트랜지스터를통해서로전기적으로접속되는방식으로달성될수 있다. 산화물반도체의수소농도는 5×10(원자/cm) 이하이다. 따라서, 트랜지스터의리크전류가감소될수 있다. 결과적으로, 대기상태에서트랜지스터의전력소비가감소될수 있다. 또한, 반도체장치는오랜수명을가질수 있다.
摘要翻译：目的是实现具有无线通信功能的半导体器件的低功耗和长寿命。可以通过使用氧化物半导体形成沟道形成区域的晶体管将用作电源和特定电路的电池彼此电连接的方式实现目的。氧化物半导体的氢浓度低于或等于5×1019（原子/ cm3）。因此，可以减小晶体管的漏电流。结果，可以降低处于待机状态的半导体器件的功耗。此外，半导体器件可以具有长的寿命。

44. 发明公开

KR1020170018482A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170018482A
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020177003692
申请日：2010-10-12
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고야마준 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/12 , H04N5/3745
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/102 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/14612 , H01L27/14616 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L29/78693 , H01L31/095 , H04N5/37457
摘要： 본발명은안정된전기특성을가지는박막트랜지스터를가지는전위보유기능이높은고체촬상소자를제공한다. 산화물반도체층을이용하여박막트랜지스터의오프전류를 1×10A 이하로하고, 이박막트랜지스터를고체촬상소자의리셋트랜지스터및 전송트랜지스터의양쪽에이용함으로써신호전하축적부의전위가일정하게유지되고, 다이나믹레인지를향상시킬수 있다. 또한, 주변회로에상보형금속산화물반도체소자가제작가능한실리콘반도체를이용함으로써고속또한저소비전력의반도체장치를제작할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种具有高电位保持功能的固态成像装置，其具有电特性稳定的薄膜晶体管。氧化物使用具有小于1×10A的半导体层，并且通过使用上的复位晶体管和薄膜晶体管的固态图像传感器的转移晶体管的每一侧上的信号电荷存储部分中的电位的薄膜晶体管的截止电流被保持恒定，动态范围可以改进。此外，通过在外围电路中使用可以制造互补金属氧化物半导体器件的硅半导体，可以制造高速和低功率的半导体器件。

45. 发明授权

KR101693816B1 시프트 레지스터, 표시 장치, 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：移位寄存器，显示装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR101693816B1
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020127011565
申请日：2010-09-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고야마준
IPC分类号： G11C19/00 , G09G3/20 , G09G3/32 , G09G3/36 , G11C19/28
CPC分类号： H01L27/1225 , G09G3/3266 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2310/0267 , G09G2330/021 , G11C19/28
摘要： 본발명은시프트레지스터또는이 시프트레지스터를가지는표시장치의소비전력을저감하는것을과제로한다. 시프트레지스터는클록신호가 1개의배선에의해공급되는것이아니라, 복수의배선에의해공급된다. 또한, 이복수의배선중 어느하나는시프트레지스터의전체동작기간을통하여클록신호를공급하는것이아니라일부의기간에서만클록신호를공급한다. 그때문에, 클록신호의공급에따라서구동되는용량부하를저감할수 있다. 그결과, 시프트레지스터의소비전력을저감할수 있다.
摘要翻译：发明内容本发明克服了降低具有该移位寄存器的移位寄存器或显示装置的功耗的问题。移位寄存器由多个布线提供，而不是由一个布线提供。此外，间歇布线中的任何一个仅在一部分时间段内提供时钟信号，而不是在移位寄存器的整个操作时段内提供时钟信号。因此，可以减少根据时钟信号的供应而驱动的电容负载。结果，移位寄存器的功耗可以降低。

46. 发明授权

KR101582636B1 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기 有权
标题翻译：显示装置和包括显示装置的电子装置
公开(公告)号：KR101582636B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020147004299
申请日：2010-09-24
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 미야케히로유키
IPC分类号： G09G3/30 , H01L27/32
CPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/2003 , G09G3/3233 , G09G2330/021 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 소비전력이억제된표시장치를제공하는것을일 과제로한다. 또한, 소비전력이억제된자발광형의표시장치를제공하는것을일 과제로한다. 또한, 어두운곳에서도장시간사용이가능한, 소비전력이억제된자발광형의표시장치를제공하는것을일 과제로한다. 고순도화된산화물반도체를이용한박막트랜지스터로회로를구성하여화소가일정한상태(영상신호가기입된상태)를유지하는것을가능하게한다. 그결과, 정지화를표시하는경우에도안정된동작이용이하다. 또한, 구동회로의동작간격을길게할 수있으므로표시장치의소비전력을감소시킬수 있다. 또한, 자발광형의표시장치의화소부에축광재료를적용하여발광소자광을축적하면어두운곳에서도장시간이용이가능해진다.

47. 发明公开

KR1020150088825A 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020150088825A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020157016147
申请日：2013-11-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고야마준 , 미야케히로유키
IPC分类号： G09G3/36 , G09G5/00
CPC分类号： G09G3/3655 , G09G3/3648 , G09G3/3696 , G09G2320/041 , G09G2320/103 , G09G2340/0435
摘要： 표시품질의손상없이신규의표시장치를제공하기위해, 표시장치는 30Hz 이하의프레임주파수로정지화상을표시하는화소부를포함하는표시패널, 표시패널의온도를검출하는온도검출부, 보정데이터를포함하는보정테이블을기억하는기억장치, 및온도검출부의출력에따라보정테이블로부터선택된보정데이터가입력되는제어회로를포함한다. 화소부는복수의화소를포함한다. 화소들은각각트랜지스터, 표시소자및 용량소자를포함한다. 제어회로는화소들각각에포함된용량소자에, 제어회로에입력된보정데이터에기초하는전압을출력한다.
摘要翻译：为了在不损害显示质量的情况下提供新的显示装置，显示装置包括：显示面板，包括用于以30Hz或更小的帧频显示静止图像的像素部分，用于检测显示面板的温度的温度检测器，一种用于存储校正表的存储装置以及一种用于根据温度检测部分的输出输入从校正表中选择的校正数据的控制电路。像素部分包括多个像素。每个像素包括晶体管，显示元件和电容器元件。控制电路将基于输入到控制电路的校正数据的电压输出到包括在每个像素中的电容元件。

48. 发明公开

KR1020150044972A 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020150044972A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：KR1020157008857
申请日：2010-04-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이 , 고야마준 , 아라이야스유끼 , 가와마따이꾸꼬 , 미야구찌아쯔시 , 모리야요시따까
IPC分类号： G09F9/40 , G09G3/20 , G06F1/16 , G09G3/34
CPC分类号： G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/1423 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/344 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14 , G09F9/40
摘要： 본발명은가요성을갖는패널을취급하는때에, 구동회로의파손에대한위험성이적고, 간략한구조를가진전자장치(예를들어, 전자서적)에관한것이다. 전자장치는, 표시부(4301, 4307) 및주사선구동회로(4321a, 4321b, 4322a, 4322b)를각각포함하는복수의가요성표시패널(4311, 4322)과, 신호선구동회로(4323)와, 상기복수의가요성표시패널을고정하는바인딩부(4308)를포함하고, 상기신호선구동회로는상기바인딩부내측에구비된다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有简单结构的电子设备（例如，电子书），其在处理柔性面板时具有较小的驱动电路破损的风险。电子设备，包括一个显示器（4301，4307）和扫描线驱动电路（4321a，4321b，4322a，4322b），用于使多个柔性显示面板包括（4311，4322），并与信号线驱动电路（4323）的，所述多个以及用于固定柔性显示面板的装订部分4308，其中信号线驱动电路设置在装订部分内。

49. 发明公开

KR1020140090247A 표시 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020140090247A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020147015474
申请日：2010-04-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이 , 고야마준 , 아라이야스유끼 , 가와마따이꾸꼬 , 미야구찌아쯔시 , 모리야요시따까
IPC分类号： G09F9/00 , G09F9/40 , G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/13
CPC分类号： G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/1423 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/344 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14 , G09F9/00 , G02F1/13 , G09F9/40 , G09G3/34 , G09G3/36
摘要： 본 발명은 가요성을 갖는 패널을 취급하는 때에, 구동 회로의 파손에 대한 위험성이 적고, 간략한 구조를 가진 전자 장치(예를 들어, 전자 서적)에 관한 것이다. 전자 장치는, 표시부(4301, 4307) 및 주사선 구동 회로(4321a, 4321b, 4322a, 4322b)를 각각 포함하는 복수의 가요성 표시 패널(4311, 4322)과, 신호선 구동 회로(4323)와, 상기 복수의 가요성 표시 패널을 고정하는 바인딩부(4308)를 포함하고, 상기 신호선 구동 회로는 상기 바인딩부 내측에 구비된다.

50. 发明公开

KR1020140036335A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020140036335A
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020147006149
申请日：2010-09-27
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이 , 고야마준 , 이마이게이따로
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1207 , H01L27/1225
摘要： 본 발명의 목적은 새로운 구조를 갖는 반도체 장치를 제공하는 데 있다. 개시된 내용은, 반도체 재료를 함유하는 기판에 있는 채널 형성 영역, 채널 형성 영역이 그 사이에 개재되도록 형성된 불순물 영역들, 채널 형성 영역 위의 제1 게이트 절연층, 제1 게이트 절연층 위의 제1 게이트 전극, 및 불순물 영역에 전기적으로 접속하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 트랜지스터; 및 반도체 재료를 함유하는 기판 위의 제2 게이트 전극, 제2 게이트 전극 위의 제2 게이트 절연층, 제2 게이트 절연층 위의 산화물 반도체층, 및 산화물 반도체층에 전기적으로 접속하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치이다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种具有新结构的半导体器件。公开是，沟道形成区域，在包含形成杂质区域的半导体材料的衬底中的沟道形成区域被插入其间的上方，在沟道形成区域上的第一绝缘栅极层，上述权利要求1的第一栅极绝缘层，第一晶体管，包括栅电极，电连接到所述杂质区的第一源电极以及第一漏电极; 和第二源极电极电连接到第二栅电极，第二栅绝缘层上面的第二栅电极，上述氧化物半导体层的第二栅绝缘层，和包含半导体材料的衬底上的氧化物半导体层，以及包括第二漏电极的第二晶体管。

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