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31. 发明公开

KR1019970027375A 분말형 기화소스용 화학기상증착장치 및 그 방법 失效
标题翻译：用于粉末型汽化源的化学气相沉积设备及其方法
公开(公告)号：KR1019970027375A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：KR1019950046502
申请日：1995-11-30
申请人： 만도기계 주식회사
发明人： 조수제
IPC分类号： C30B25/00
摘要： 본 발명은 소스 분말을 이용하여 기판상에 층을 증착시키는 화학기증착(CVD)장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 특히 다수의 소스 분말을 혼합하고, 이것을 동시에 운반, 가열시킴으로써, 소스 가스의 기상에서 발생되는 불안정성을 극복하고, 조성조절이 용이하며 대량생산에 적합하도록 구성된 분말형 기화소스용 화학기상증착(CVD)장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 장치는, 소정의 비율로 배합된 각각의 소스 분말을 저장하는시료공급수단; 상기 시료공급수단에 저장된 소스 분말을 이동시키기 위한 운반수단; 상기 운반수단에 의하여 이송된 소스 분말로부터 소스가스를 발생시키기 위하여 적정 온도로 가열하는 제1가열수단; 상기 제1가열수단에 의하여 소스 분말로부터 발생된 증착용 소스 가스가 유입되어서 기판상에 증착되는 반응실; 상기 반응실의 기판을 소정 온도로 유지하기 위하여 가열하는 제2가열수단; 및 상기 반응실내의 압력을 적정 상태로 유지하기 위한 배기수단으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 따른 CVD 방법은, 소스 분말을 분쇄하여 소정이 비율로 혼합, 저장하는 단계(S1); 상기 단계(S1)에서 준비된 소스 분말을 소정의 장소로 이동시키는 단계(S2); 소정의 장소에 운반된 소스 분말로부터 소스 가스를 발생시키기 위하여 가열하는 단계(S3); 발생된 소스 가스를 증착시키기 위한 기판이 배칙된 반응실에 공급하는 단계(S4); 소스 가스를 특정 온도로 가열된 기판상에 증착시키는 단계(S5); 및 반응실에서 증착후에 발생되는 증착부산물을 배출하는 단계(S6)로 구성되는 것을 특징으로 한다.

32. 发明授权

KR100111126B1 CVD 증착장치 失效
公开(公告)号：KR100111126B1
公开(公告)日：1997-01-20
申请号：KR1019940007353
申请日：1994-04-08
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 정태성
IPC分类号： C30B25/00

33. 发明公开

KR1019960001188A 플라즈마 CVD 방법 无效
标题翻译：等离子体CVD法
公开(公告)号：KR1019960001188A
公开(公告)日：1996-01-25
申请号：KR1019950015928
申请日：1995-06-15
申请人： 소니 주식회사
发明人： 미야모또다까이끼
IPC分类号： C30B25/00
摘要： 본 발명의 목적은 미세하고 에스펙트비가 큰 접속구멍내로 함유염소량이 작고, 스텝커버리지가 뛰어난 TiN 배리아메탈층을 형성하는 플라즈마 CVD방법을 제공하는데 있다.
그 구성은 낮은 TiCℓ
4 분압의 플라즈마 CVD에 의한 제1TiN층(51)과 높은 TiCℓ
4 분압의 플라즈마 CVD에 의한 제2TiN층(52)을 연속하여 형성하는 2단계 플라즈마 CVD를 채용한다.
따라서 하지 Ti층(4)과의 계면에 편석하기 쉬운 염소량을 저감할 수 있고, Aℓ계 금속층(6)의 애프터코로션을 방지할 수 있다. 또 저염소량이므로 콘택트저항의 감소에도 기여한다.

34. 发明公开

KR1019960001186A 반도체 장치용 박막 형성 방법 失效
标题翻译：形成半导体器件薄膜的方法
公开(公告)号：KR1019960001186A
公开(公告)日：1996-01-25
申请号：KR1019950001984
申请日：1995-01-28
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 까츄유끼부사까 , 신쥬께미즈노
IPC分类号： C30B25/00

35. 发明授权

KR100081019B1 고해리압 화합물 반도체 단결정 성장방법 및 그 장치 失效
公开(公告)号：KR100081019B1
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019890010564
申请日：1989-07-26
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 시로다케이지 , 사사고오이찌 , 도미자와켄지
IPC分类号： C30B25/00

36. 发明公开

KR1019930700700A 알루미늄 질화물의 비괴상 단결정을 제조하는 방법 无效
标题翻译：一种制造氮化铝非质量块单晶的方法
公开(公告)号：KR1019930700700A
公开(公告)日：1993-03-15
申请号：KR1019920702978
申请日：1991-05-22
申请人： 리오 틴토 알칸 인터내셔널 리미티드
发明人： 사다시브카시나드나드카르니 , 루크파렌트
IPC分类号： C30B25/00
摘要： 내용 없음.

37. 发明授权

KR850001943B1 실리콘 결정체의 연속적 제조방법 失效
公开(公告)号：KR850001943B1
公开(公告)日：1985-12-31
申请号：KR810002705
申请日：1981-07-25
申请人： MONSANTO CO
发明人： GUTSCHE HENRY W
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/035 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/06

38. 发明公开

KR830006819A 실리콘체의 연속 화학증기 침전생성물을 위한 복합 가스막 失效
公开(公告)号：KR830006819A
公开(公告)日：1983-10-06
申请号：KR810002705
申请日：1981-07-25
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/035 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/06
摘要： 내용없음

39. 发明公开

KR830004445A 산화막의 광화학적 저온 증착법 失效
公开(公告)号：KR830004445A
公开(公告)日：1983-07-13
申请号：KR800004820
申请日：1980-12-17
IPC分类号： C01G1/02 , C01B13/14 , C01B13/20 , C01B33/12 , C01B35/12 , C01F7/02 , C23C16/40 , C23C16/48 , C30B25/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/316 , H01L21/473
摘要： 내용없음

40. 发明授权

KR102457101B1 에피택셜 성장장치 有权
公开(公告)号：KR102457101B1
公开(公告)日：2022-10-19
申请号：KR1020217028138
申请日：2013-10-28
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , C23C16/455 , C30B25/00 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/48

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