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31. 发明公开

KR1020160101738A 기판 처리장치 审中-实审
标题翻译：加工基材的装置
公开(公告)号：KR1020160101738A
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020150023829
申请日：2015-02-17
申请人： 주식회사 원익아이피에스
发明人： 전태호 , 김진호 , 이상진 , 손병국 , 이우성 , 허진필
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66 , H01L27/14
CPC分类号： H01L21/683 , H01L22/34 , H01L27/14 , H01L2221/683
摘要： 본기술의일 실시예에의한기판처리장치는밀폐된처리공간을형성하는챔버, 챔버저부에설치되고상면에기판이안착되며, 상면과수직하는중심축을따라회전가능한서셉터를포함하는서셉터어셈블리및 서셉터측면과대향하는위치에마련되는제 1 센서부를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的基板处理装置包括：具有密封处理空间的室; 安装在室底部的基座组件允许将基板放置在其顶表面上，并且具有围绕垂直于其顶表面的中心轴旋转的基座; 以及形成在与所述基座的侧面相对的位置的第一传感器部。因此，本发明提高了基座组件的安装精度。

32. 发明授权

KR101605298B1 임시 본딩된 반도체 웨이퍼 디본딩 有权
标题翻译：绝缘粘结半导体晶体管
公开(公告)号：KR101605298B1
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020157008968
申请日：2012-10-29
申请人： 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
发明人： 조지,그레고리 , 로젠달,크리스토퍼
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978
摘要： 캐리어웨이퍼와소자웨이퍼간 접착을위해제어된섭동을제공하는장치및 방법이개시된다. 기계적, 화학적, 열적또는방사될수 있는상기제어된섭동은, 상기소자웨이퍼의손상없이상기두 웨이퍼들을용이하게분리한다. 상기제어된섭동은상기접착층내의(예를들어, 박리층과접착제사이) 인터페이스또는웨이퍼/접착제인터페이스에서두 개의웨이퍼를결합하는접착제내의크랙을개시한다. 그러면, 상기크랙은, 크랙을개시하기위해사용된전술한방법, 또는이들의조합중 하나를이용하여전파될수 있다.

33. 实用新型

KR2020160000083U 반도체 기판들을 형성하기 위한 장치 审中-实审
标题翻译：用于形成半导体衬底的装置
公开(公告)号：KR2020160000083U
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR2020150000888
申请日：2015-02-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 요네하라,타카오 , 아름스트롱,칼제이. , 오즈케스킨,파티머트
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/00
CPC分类号： C30B33/00 , B32B38/10 , B32B43/006 , C30B25/02 , H01L21/02005 , H01L21/02513 , H01L21/02658 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/67092 , H01L21/67383 , H01L21/6776 , H01L21/6838 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68363 , Y10T156/1121 , Y10T156/1132 , Y10T156/19 , Y10T156/1922 , Y10T156/1944
摘要： 독립형(free-standing)이고실질적으로단결정질(monocrystalline)인반도체기판들을형성하기위한장치가설명된다. 템플레이트(template) 기판은, 템플레이트기판의각각의주 표면상에다공성층을형성하는프로세스를받는다. 다공성층은평활화되고, 그후에, 각각의다공성층 상에에피택셜층이형성된다. 템플레이트기판으로부터에피택셜층들을분리시키기위해기계적인에너지가사용되며, 그템플레이트기판은임의의남아있는다공성및 에피택셜재료를제거함으로써재활용된다.

34. 发明公开

KR1020150035197A 스테이지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 审中-实审
标题翻译：舞台装置和用于制造包括该装置的半导体装置的装置
公开(公告)号：KR1020150035197A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130115471
申请日：2013-09-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박상욱 , 김의석 , 장상돈
IPC分类号： H01L21/683 , B23Q1/26
CPC分类号： H01L21/68764 , G03F7/70775 , H01L2221/683
摘要： 스테이지장치및 이를포함하는반도체제조장치를제공한다. 상기스테이지장치는 X축방향으로연장되는간섭반사경및 상기간섭반사경을고정하기위한제 1 내지제 3 플렉셔구조물들을포함한다. 상기제 1 플렉셔구조물은상기간섭반사경을 Y축방향과 Z축방향으로고정한다. 상기제 2 플렉셔구조물은상기간섭반사경을상기 Y축방향과상기 Z축방향으로고정한다. 상기제 3 플렉셔구조물은상기간섭반사경을상기 X축방향과상기 Z축방향으로고정한다.
摘要翻译：提供了一种舞台装置和包括该舞台装置的半导体装置制造装置。舞台装置包括在X轴方向上延伸的干涉反射镜，以及用于固定干涉反射器的第一至第三挠曲结构。第一挠曲结构将干涉反射体固定在Y轴和Z轴方向上。第二挠曲结构将干涉反射体固定在Y轴和Z轴方向上。第三挠曲结构将干涉反射体固定在X和Z轴方向上。

35. 发明公开

KR1020150034262A 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 审中-实审
标题翻译：晶圆安装的验收手段
公开(公告)号：KR1020150034262A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020157003904
申请日：2010-12-20
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 윔프린거,마르쿠스 , 바겐레이트너,토마스 , 필베르트,알렉산더
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/68 , H01L21/67092 , H01L21/67288 , H01L21/683 , H01L22/12 , H01L21/682 , H01L2221/683
摘要： 본발명은웨이퍼의장착및 수용을위한수용수단에관한것으로, -장착표면(1o), -장착표면(1o) 상에웨이퍼를장착하기위한장착수단및 -웨이퍼의국부적인및/또는전체적인뒤틀림의능동, 특히국부적으로제어가능한, 적어도국부적인교정을위한교정수단(3, 4, 5, 6)을포함한다. 게다가, 본발명은전술된수용수단을사용하여제1 웨이퍼와제2 웨이퍼를정렬하기위한장치및 방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种接收装置，用于安装和容纳所述晶片安装表面（1O）， - 安装装置，用于安装在晶片上的安装表面（1O），以及 - 所述晶片的局部和/或整体失真用于至少局部校准的活动的，尤其是可在本地控制的校准装置（3,4,5,6）。此外，本发明涉及一种使用上述接收装置对准第一晶片和第二晶片的装置和方法。

36. 发明公开

KR1020140107279A 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：安装台和等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020140107279A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020147016724
申请日：2012-12-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사사키야스하루 , 스가마타다케시 , 아오토다다시
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065 , C09J201/00
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32091 , H01J37/32715 , H01L21/3065 , H01L21/6831 , H01L2221/683
摘要： 본 발명은 정전 척의 접착 결합에 이용되는 접착제의 열화를 방지할 수 있는 탑재대(70), 및 그러한 탑재대(70)를 구비하는 플라즈마 처리 장치(10)를 제공하는 것을 목적으로 한다. 탑재대(70)는 정전 척(50), 베이스(14) 및 통형상의 슬리브(80)를 구비한다. 정전 척(50)은 플라즈마에 노출되는 표면 및 이 표면과 대향하는 이면을 갖고, 제 1 관통 구멍이 형성된다. 베이스(14)는 정전 척(50)의 이면에 제 1 접착제(71)에 의해서 접합되고, 제 1 관통 구멍에 연통되어 상기 제 1 관통 구멍의 구경(R1)보다 큰 구경(R2)의 제 2 관통 구멍이 형성된다. 슬리브(80)는, 제 2 접착제(72)에 의해서, 제 1 관통 구멍과 연통한 상태로 정전 척(50)의 이면에 접합된다.

37. 发明公开

KR1020140097194A 임시 본딩된 반도체 웨이퍼 디본딩 및 소자 웨이퍼를 디본딩하는 시스템 有权
标题翻译：绝缘粘结半导体晶体管
公开(公告)号：KR1020140097194A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020147013643
申请日：2012-10-29
申请人： 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
发明人： 조지,그레고리 , 로젠달,크리스토퍼
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978
摘要： 캐리어 웨이퍼와 소자 웨이퍼 간 접착을 위해 제어된 섭동을 제공하는 장치 및 방법이 개시된다. 기계적, 화학적, 열적 또는 방사될 수 있는 상기 제어된 섭동은, 상기 소자 웨이퍼의 손상 없이 상기 두 웨이퍼들을 용이하게 분리한다. 상기 제어된 섭동은 상기 접착층 내의(예를 들어, 박리층과 접착제 사이) 인터페이스 또는 웨이퍼/접착제 인터페이스에서 두 개의 웨이퍼를 결합하는 접착제 내의 크랙을 개시한다. 그러면, 상기 크랙은, 크랙을 개시하기 위해 사용된 전술한 방법, 또는 이들의 조합 중 하나를 이용하여 전파될 수 있다.

38. 发明公开

KR1020140083961A 세정 방법, 컴퓨터 기억 매체, 세정 장치 및 박리 시스템 无效
标题翻译：清洁方法和计算机存储介质和清洁装置和分离系统
公开(公告)号：KR1020140083961A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020140072780
申请日：2014-06-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 소마야스타카 , 요시타카나오토 , 고메다히로시 , 마나베에이지 , 히라카와오사무 , 데구치마사토시 , 다무라다케시
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/78 , H01L21/677
CPC分类号： B32B43/006 , B32B38/10 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/673 , H01L21/67346 , H01L2221/683 , H01L2221/68304 , H01L2221/68318 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1911 , Y10T156/1978 , Y10T156/1994
摘要： The present invention properly cleans a joining surface of a processed substrate disposed at the inner side of an annular frame and held by the frame and a tape. A cleaning device comprises a wafer holding part (130) holding a processed wafer (W); and a cleaning jig (140) including a supply surface (141) covering a joining surface (Wj) of the processed wafer (W). The cleaning jig (140) is provided with a solvent supply part (150) supplying a solvent to a clearance (142); a rinse liquid supply part (151) supplying a rinse liquid to the clearance (142); and an inactive gas supply part (152) supplying the inactive gas to the clearance (142). The solvent from the solvent supply part (150) is diffused on the joining surface (Wj) due to surface tension and centrifugal force. The rinse liquid from the rinse liquid supply part (151) is diffused on the joining surface (Wj) due to surface tension and centrifugal force while being mixed with the solvent. The joining surface (Wj) is dried by an inactive gas from the inactive gas supply part (152) and the joining surface (Wj) is cleaned.
摘要翻译：本发明适当地清洁设置在环形框架的内侧并被框架和带子保持的处理基板的接合表面。清洁装置包括保持处理过的晶片（W）的晶片保持部（130）。以及包括覆盖处理过的晶片（W）的接合面（Wj）的供给面（141）的清洁夹具（140）。清洁夹具（140）设有向间隙（142）供应溶剂的溶剂供应部件（150）。向所述间隙（142）提供冲洗液体的冲洗液供给部（151）; 以及将惰性气体供给到间隙（142）的惰性气体供给部（152）。来自溶剂供给部（150）的溶剂由于表面张力和离心力而扩散在接合面（Wj）上。在与溶剂混合的同时，由于表面张力和离心力，来自冲洗液供给部（151）的冲洗液在接合面（Wj）上扩散。接合面（Wj）由来自惰性气体供给部（152）的惰性气体干燥，并且清洁接合面（Wj）。

39. 发明授权

KR101094122B1 기판의 온도의 공간 및 시간 제어를 위한 장치 有权
标题翻译：用于空间和时间控制温度在基板上的装置
公开(公告)号：KR101094122B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020097013821
申请日：2005-12-13
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리씨안소니제이. , 커멘던트키스 , 탑팬제임스
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32724 , H01J2237/20 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L2221/683 , H05B3/26 , Y10T29/49146 , Y10T29/53252 , Y10T279/23
摘要： 기판의 온도의 제어를 위한 장치는 온도가 제어되는 베이스, 히터, 금속판 및 유전체 재료층을 갖는다. 히터는 금속판으로부터 전기적으로 절연되는 한편, 금속판의 밑면에 열적으로 연결된다. 제1 접착재료층은 온도가 제어되는 베이스의 상면에 금속판과 히터를 본딩시킨다. 이 접착층은 기계적으로 플렉서블하고, 장치의 표면에 원하는 온도 패턴을 제공하기 위하여 히터와 외부 프로세스의 열 에너지의 균형을 맞추기 위하여 설계된 물리적인 특성을 갖는다. 제2 접착재료층은 금속판의 상면에 유전체 재료층을 본딩시킨다. 이 제2 접착층은 장치의 표면에 원하는 온도 패턴을 전달하기 위하여 설계된 물리적인 특성을 갖는다. 유전체 재료층은 정전기적 클램프 메커니즘을 형성하고, 기판을 지지한다.
기판 온도 제어 장치, 전기 커넥터, 기판 온도 제어 방법, 기판의 온도의 공간 제어, 플라즈마 에칭 시스템

40. 发明公开

KR1020090089449A 기판의 온도의 공간 및 시간 제어를 위한 장치 有权
标题翻译：用于空间和时间控制温度在基板上的装置
公开(公告)号：KR1020090089449A
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：KR1020097013821
申请日：2005-12-13
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리씨안소니제이. , 커멘던트키스 , 탑팬제임스
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32724 , H01J2237/20 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H01L2221/683 , H05B3/26 , Y10T29/49146 , Y10T29/53252 , Y10T279/23
摘要： An apparatus for control of a temperature of a substrate has a temperature-controlled base, a heater, a metal plate, a layer of dielectric material. The heater is thermally coupled to an underside of the metal plate while being electrically insulated from the metal plate. A first layer of adhesive material bonds the metal plate and the heater to the top surface of the temperature controlled base. This adhesive layer is mechanically flexible, and possesses physical properties designed to balance the thermal energy of the heaters and an external process to provide a desired temperature pattern on the surface of the apparatus. A second layer of adhesive material bonds the layer of dielectric material to a top surface of the metal plate. This second adhesive layer possesses physical properties designed to transfer the desired temperature pattern to the surface of the apparatus. The layer of dielectric material forms an electrostatic clamping mechanism and supports the substrate. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：用于控制基板的温度的装置具有温度控制的基座，加热器，金属板，电介质材料层。加热器在与金属板电绝缘的同时热耦合到金属板的下侧。第一层粘合剂材料将金属板和加热器粘合到温度受控底座的顶部表面。该粘合剂层具有机械柔性，并具有设计用于平衡加热器的热能和外部工艺的物理性能，以在设备的表面上提供期望的温度图案。第二层粘合剂材料将介电材料层粘合到金属板的顶表面上。该第二粘合剂层具有设计成将期望的温度图案转移到设备的表面的物理性质。介电材料层形成静电夹持机构并支撑基板。 ®KIPO＆WIPO 2009

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