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31. 发明公开

KR1020150063600A 연마 조성물 有权
标题翻译：磨料成分
公开(公告)号：KR1020150063600A
公开(公告)日：2015-06-09
申请号：KR1020157013309
申请日：2013-11-19
申请人： 니타 하스 인코포레이티드
发明人： 마쓰시타다카유키
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/02
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F1/30 , H01L21/02024
摘要： 본발명의연마조성물은, 하기일반식(1)으로표시되는단량체와비닐에스테르계단량체와의공중합체로서, 측쇄에 1,2-디올구조를가지는폴리비닐알코올계수지와, 유기산과, pH 2.0 이상의용액중에서표면의제타전위(zeta potential)가마이너스이며또한등전점(isoelectric pointt, 等電點)을가지지않도록표면이화학적으로수식(修飾)된연마입자를포함한다.(단, 식중, R∼R는각각독립적으로수소원자또는유기기를나타내고, X는단결합또는연결기를나타내고, R및 R은, 각각독립적으로수소원자또는 R-CO-(식중, R는알킬기를나타냄)를나타낸다.)
摘要翻译：本发明的抛光组合物，并与所述单体和由具有在侧链分支1,2-二醇结构的系数的通式（1），聚（乙烯醇）表示的乙烯基酯单体，和有机酸，pH为2.0以上的共聚物（缩写为R 1至R 2）是具有化学修饰的表面以致不具有等电点（ζ电位）的磨粒，独立地表示氢原子或有机基团，X表示末端键或连接基团，并且R和R各自独立地表示氢原子或R-CO-，其中R表示烷基。

32. 发明公开

KR1020150052873A 폴리피롤리돈 연마 조성물 및 방법 审中-实审
标题翻译：聚硅氧烷抛光组合物和方法
公开(公告)号：KR1020150052873A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020157008753
申请日：2013-09-04
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 나기브산트네빈
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/04 , C09G1/16 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要： 본발명은피롤리돈중합체, 아미노포스폰산, 테트라알킬암모늄염 및물을포함하는연마조성물을제공하되, 상기조성물은 7 내지 11.7의 pH을가진다. 본발명은이러한연마조성물을기재, 특히실리콘함유기재를연마하는데사용하는방법을추가적으로제공한다.

33. 发明公开

KR1020150047444A 실리콘 웨이퍼의 화학적 기계적 연마 방법 审中-实审
标题翻译：化学机械抛光硅膜的方法
公开(公告)号：KR1020150047444A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020140145146
申请日：2014-10-24
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 , 니타 하스 인코포레이티드
发明人： 이타이야스유키 , 치앤바이니앤 , 나카노히로유키 , 제임스데이비드비 , 가와이나오코 , 가와바타가츠마사 , 요시다고이치 , 미야모토가즈타카 , 머네인제임스 , 예펭지 , 드그루트말티더블유
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/20
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/24
摘要： 실리콘웨이퍼를제공하는단계; 원료성분의반응생성물인연마층을갖는연마패드를제공하는단계(원료성분은다관능성이소시아네이트및 경화제패키지를포함하고, 경화제패키지는아민개시된폴리올경화제및 고분자량폴리올경화제를포함하고, 연마층은 0.4 g/㎤초과의밀도; 5 내지 40의쇼어 D 경도; 100 내지 450 %의파괴점신장률; 및 25 내지 150 ㎛/hr의절삭속도를나타내고, 연마층은실리콘웨이퍼를연마하도록구성된연마표면을가짐); 및연마표면과실리콘웨이퍼간의동적접촉을생성하는단계를포함하는실리콘웨이퍼의연마방법을제공한다.
摘要翻译：提供了一种用于抛光硅晶片的方法，其包括以下步骤：提供硅晶片; 提供一种抛光垫，其包括作为原料成分（原料成分包括多官能异氰酸酯和固化剂包装）的反应产物的研磨层，固化剂包装包括胺引发的聚合物固化剂和高分子量多元醇固化剂，抛光层的密度大于0.4g / cm 3，肖氏D硬度为5-40，破坏点伸长百分比为100-450％，切割速度为25-150μm/ hr，抛光层具有所述抛光表面形成以抛光所述硅晶片）; 并产生抛光表面和硅晶片之间的动态接触。

34. 发明公开

KR1020150035453A 실리콘 웨이퍼 연마용 화학적 기계적 연마 조성물 및 관련 방법 审中-实审
标题翻译：一种用于抛光硅片的化学机械抛光组合物及相关方法
公开(公告)号：KR1020150035453A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020140129323
申请日：2014-09-26
申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 , 니타 하스 인코포레이티드
发明人： 이타이야스유키 , 나르슈쿠마르펜타 , 카와이나오코 , 나카노히로유키 , 하바신이치 , 오타요시하루 , 마쓰시타타카유키 , 테라모토마사시 , 나카시마사키코 , 토다토모유키 , 요시다코이치 , 리멜버른쿡
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , H01L21/31051
摘要： 물; 임의로연마제; 화학식 (I)에따른양이온; 화학식 (II)에따른피페라진또는피페라진유도체; 및, 사급암모늄화합물을함유하는 pH 9 내지 12의실리콘웨이퍼연마용화학적기계적연마조성물이제공된다. 상기화학적기계적연마조성물의제조방법및 그의사용방법이또한제공된다.
摘要翻译：提供了一种用于抛光硅晶片的化学机械抛光组合物，其包含：水，任选的研磨剂; 式（I）的阳离子; 哌嗪或根据式（II）的哌嗪衍生物; 和季铵化合物; 其中化学机械抛光组合物的pH为9〜12。还提供了制造和使用化学机械抛光组合物的方法。

35. 发明公开

KR1020150020265A 웨이퍼용 연마액 조성물 审中-实审
标题翻译：抛光溶液组合物
公开(公告)号：KR1020150020265A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020147031215
申请日：2013-05-21
申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
发明人： 사카이다,히로아키 , 이시미즈,에이이치로우
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/02 , B24B37/04
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/14 , C09K3/1463 , H01L21/02024 , H01L21/304 , H01L21/30625 , C09K3/1454
摘要： 전자산업에 있어서의 기판용 웨이퍼의 연마에 있어서, 웨이퍼 표면에 친수성을 부여하고, 또한 헤이즈를 효과적으로 개선시키는 것이 가능한 연마액 조성물의 제공을 과제로 한다. 본 발명은, 물, 실리카 입자, 알칼리 화합물, 폴리비닐알코올 및 음이온 변성 폴리비닐알코올을 포함하고, 또한 폴리비닐알코올에 대한 음이온 변성 폴리비닐알코올의 질량비가 0.6 내지 5.5인 웨이퍼용 연마액 조성물이다. 상기 음이온 변성 폴리비닐알코올은, 카르복실기 또는 설폰산기로 변성된 폴리비닐알코올인 것이 바람직하다.

36. 发明公开

KR1020140129175A 연마용 조성물 审中-实审
公开(公告)号：KR1020140129175A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147025658
申请日：2013-03-11
申请人： 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
发明人： 다마다,슈이치 , 야리타,사토루
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C23F1/30 , C23F1/40 , C23F3/02 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , H01L21/3212
摘要： 본 발명은, IV족 재료를 함유하는 부분을 갖는 연마 대상물을 연마했을 때, 에칭을 원인으로 한 단차가 연마 대상물의 표면에 발생하는 것을 억제할 수 있는 연마용 조성물을 제공한다. 본 발명은, IV족 재료를 함유하는 부분을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도에서 사용되는 연마용 조성물이며, 산화제와 방식제를 함유하는 연마용 조성물이다. 방식제는, 분자 내에 함유되는 2개 이상의 카르보닐기가 분자 내에서 탄소 원자를 통해 결합한 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 1,3-디케톤 화합물, 1,4-디케톤 화합물 및 트리케톤 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.

37. 发明公开

KR1020140129001A 웨이퍼의 양면 연마방법 审中-实审
标题翻译：抛光波形表面的方法
公开(公告)号：KR1020140129001A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147022202
申请日：2013-01-30
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사토,카즈야 , 타나카,유키 , 코바야시,슈이치
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B53/00 , B24B53/12
CPC分类号： B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , H01L21/304
摘要： 본 발명은, 캐리어의 홀딩홀에 웨이퍼를 유지하고, 그 유지된 웨이퍼를 연마포가 첩부된 상하정반 사이에 끼워 넣고, 상기 캐리어를 자전 및 공전시켜 상기 웨이퍼의 양면을 동시에 연마하고, 이 웨이퍼의 연마를 배치식으로 반복하는 웨이퍼의 양면 연마방법으로서, 상기 배치식으로 반복하는 웨이퍼의 연마에 있어서, 상기 캐리어를 공전시키는 방향을 배치마다 반대방향으로 전환하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 양면 연마방법이다. 이에 의해, 드레싱에 의한 생산성의 저하를 억제하면서, 고평탄도의 웨이퍼를 안정적으로 얻을 수 있는 웨이퍼의 양면 연마방법이 제공된다.

38. 发明公开

KR1020140117496A 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 审中-实审
标题翻译：抛光组合物，其制造方法，硅衬底的生产工艺和硅衬底
公开(公告)号：KR1020140117496A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020147021978
申请日：2013-01-16
申请人： 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
发明人： 다카하시,슈헤이 , 츠치야,고스케 , 다카미,신이치로 , 모리,요시오
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C01B33/02 , C09G1/04 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要： 연마용 조성물은, 원액 제조 공정, 원액 여과 공정, 희석 공정 및 희석액 여과 공정을 통해 얻어지는 여과 후의 희석액에 의해 구성된다. 원액 제조 공정에서는, 연마용 조성물의 원료를 혼합하여 원액을 제조하는 것이 행해진다. 원액 여과 공정에서는, 원액을 여과하는 것이 행해진다. 희석 공정에서는, 여과 후의 원액을 희석하여 희석액을 얻는 것이 행해진다. 희석액 여과 공정에서는, 희석액을 여과하는 것이 행해진다. 연마용 조성물은, 실리콘 기판을 제조하기 위해 실리콘 기판 원료를 연마하는 용도에서 예를 들면 사용된다.

39. 发明公开

KR1020140115177A 미세패턴 형성 시스템 및 미세패턴 형성방법 有权
标题翻译：制作精细图案的系统和方法
公开(公告)号：KR1020140115177A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029940
申请日：2013-03-20
申请人： 주식회사 잉크테크
发明人： 정광춘 , 유지훈 , 성준기 , 한효진
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02
CPC分类号： H05K3/1258 , B44B9/00 , G03F7/0002 , H05K3/0085 , H05K3/107 , H05K3/26 , H05K2203/0292 , H05K2203/0776 , B41F15/00 , H01L21/02008 , H01L21/02024 , H01L21/0273
摘要： The present invention relates to a system for forming a fine pattern. A system for forming a fine pattern includes a transfer part which successively transfers a substrate having an engraved pattern; and a filling part which simultaneously supplies a filling material into the substrate while being in contact with the substrate, and rotates around a virtual rotation axis which is vertical to the substrate in order to allow the filling material to be filled in the engraved pattern. Therefore, according to the present invention, the filling efficiency of the filling material into the engraved pattern of a fine line width by a rotation body which touches the substrate to rotate is improved, thereby providing a system which can manufacture a fine pattern easily, and a method for forming a fine pattern.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成精细图案的系统。用于形成精细图案的系统包括依次传送具有雕刻图案的基板的转印部件; 以及填充部，其在与基板接触的同时将填充材料供给到基板中，并且围绕与基板垂直的假想旋转轴线旋转，以使填充材料能够填充在雕刻图案中。因此，根据本发明，通过旋转体与接触基板旋转的旋转体，将填充材料填充到细线宽度的雕刻图案中，从而提供可以容易地制造精细图案的系统，以及形成精细图案的方法。

40. 发明授权

KR101432863B1 연마 반도체 웨이퍼 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产抛光半导体波长的方法
公开(公告)号：KR101432863B1
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020100071355
申请日：2010-07-23
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 뫼켈버트람 , 프란케헬무트
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , H01L21/02021 , H01L21/6708
摘要： 본 발명은 다음 단계, 즉
- 반도체 재료로 이루어진 로드(rod)로부터 반도체 웨이퍼를 슬라이싱(slicing)하는 단계와,
- 반도체 웨이퍼의 적어도 하나의 면에서 재료 제거 처리를 실시하는 단계, 그리고
- 반도체 웨이퍼의 적어도 하나의 면을 연마하는 단계
를 이 순서대로 포함하고, 상기 반도체 웨이퍼는 재료 제거 처리 후에 연마 대상인 적어도 하나의 면을 연마하기 전에 그 가장자리를 따라 최대 높이가 적어도 0.1 ㎛인 링 형상의 국부적인 융기부를 갖고, 이 국부적인 융기부는 반도체 웨이퍼의 가장자리에 있는, 폭이 10 mm인 링 내에서 그 최대 높이에 도달하는 것인 연마 반도체 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.

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