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31. 发明公开

KR1020160098319A 저전력 메모리 동작들을 수행하기 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：执行低功耗存储器操作的系统和方法
公开(公告)号：KR1020160098319A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020167018311
申请日：2014-11-26
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 센,지안 , 추아-오안,류고
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C7/1009 , G11C7/109 , G11C7/12 , G11C11/1673 , G11C2207/2263
摘要： 방법은, 단일메모리클럭사이클동안, MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지엘리먼트에저장된제 1 값을판독하고, 제 1 값을 MTJ 스토리지엘리먼트에저장될제 2 값과비교하고, 그리고비교에기초하여제 2 값을 MTJ 스토리지엘리먼트에선택적으로기록함으로써, MTJ 스토리지엘리먼트에서의메모리동작을수행하는단계를포함한다.

32. 发明公开

KR1020160085219A 열적으로 보조되는 스핀 토크 전가 스위칭을 이용한 자기 접합을 제공하는 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：使用热辅助转子转矩开关提供磁结的方法和系统
公开(公告)号：KR1020160085219A
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020160000896
申请日：2016-01-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 탕슈에티 , 펭겐 , 이장은
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/226 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 자기장치에이용될수 있는자기접합및 자기접합을제공하는방법에제공된다. 자기접합은다중막을포함하고, 자기접합을통해쓰기전류가흐를때 복수의안정적인자기상태간에스위칭가능한자유막, 비자성스페이서막및 고정막을포함하되, 상기스페이서막은상기고정막과상기자유막사이에배치되고, 상기쓰기전류는상기자유막이상온보다높은스위칭온도를갖도록상기자유막내에서줄 발열을생성하고, 상기자유막은자유막의평면외 소자에너지보다큰 자유막의수직자기이방성에너지를갖고, 상기다중막은온도에민감하고적어도하나의이중막을포함하되, 상기적어도하나의이중막각각은제1 막과제2 막을포함하고, 상기제1 막은자기전이금속과희토류의합금을포함하고, 제2 막은자성막을포함하고, 상기다중막은상온보자력과스위칭온도보자력을갖되, 상기스위칭보자력이상기상온보자력의 1/2보다크지않고, 상기고정막은고정막의평면외 소자에너지보다큰 고정막의수직자기이방성에너지를갖는다.
摘要翻译：提供可用于磁性装置的磁结和提供磁结的方法。磁结包括多层，并且当写入电流流经磁结，非磁性间隔层和被钉扎层时，包括可在多个稳定磁状态之间切换的自由层。间隔层布置在钉扎层和自由层之间。写入电流在自由层中产生焦耳加热，使得自由层具有高于室温的开关温度。自由层具有大于自由层的平面外装置能量的自由层的垂直磁各向异性能。多层对温度敏感，并且包括至少一个双层，其中每个双层包括第一和第二层，第一层包括磁性过渡金属和稀土的合金，第二层包括磁性层。多层膜具有室温矫顽力和开关温度矫顽力，其中开关温度矫顽力不超过室温矫顽力的一半。此外，被钉扎层具有大于自由层的平面外装置能量的自由层的垂直磁各向异性能。

33. 发明公开

KR1020160084317A 스핀 전달 토크 자기 램의 응용 분야에서 사용될 수 있는 수직 자기 접합에 하부 기준층을 제공하는 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：用于在旋转传动扭矩磁性随机存取存储器应用中可用的全能磁性接头中提供底端引导层的方法和系统
公开(公告)号：KR1020160084317A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020160000501
申请日：2016-01-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 탕,슈에티 , 에릭슨,더스틴윌리엄 , 이장은
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 자기접합및 상기자기접합을제공하는방법이설명된다. 자기접합은비자성스페이서층에의하여분리된자유층 및기준층을포함한다. 상기자유층은상기자기접합에기록전류가흐를때 안정한자기상태들사이에서스위치될수 있다. 상기기준층은자신의면-외자기소거에너지보다큰 수직자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy; 이하 PMA) 에너지를갖는다. 상기기준층을제공하는것은벌크 PMA(bulk perpendicular magnetic anisotropy; 이하 B-PMA) 층을제공하는것, 상기 B-PMA 층상에제1 계면 PMA(interfacial perpendicular magnetic anisotropy; 이하 I-PMA) 층을제공하는것, 및상기제1 I-PMA 층의구성성분의싱크(sink) 역할을하는희생층을제공하는것을포함한다. 그후, 어닐링이수행된다. 상기희생층 및상기제1 I-PMA 층의일부가상기어닐링후에제거된다. 상기제거공정후에, 추가적 I-PMA 층(들)이제공된다. 상기제1 I-PMA 층의잔존부분및 상기추가적 I-PMA 층(들)은 20옹스트롬(Angstroms) 이하의두께를갖는다.
摘要翻译：描述了磁结和用于提供磁结的方法。磁结包括由非磁性间隔层隔开的游离和参考层。当写入电流在磁结中流动时，自由层可在稳定的磁状态之间切换。参考层具有大于参考层的平面外退磁能的垂直磁各向异性（PMA）能量。提供参考层包括提供大量PMA（B-PMA）层，在B-PMA层上提供第一界面PMA（I-PMA）层，以及提供牺牲层，其用作第一 I-PMA层。然后进行退火。在退火之后去除牺牲层和第一I-PMA层的一部分。在除去过程之后提供额外的I-PMA层。第一I-PMA层和另外的I-PMA层的剩余部分的厚度为20埃或更小。

34. 发明公开

KR1020160070825A 저장 유닛, 메모리 및 저장 유닛을 제어하는 방법 有权
标题翻译：存储单元，存储器和存储单元控制方法
公开(公告)号：KR1020160070825A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：KR1020167012625
申请日：2014-10-15
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린인인 , 웨이주린 , 자오준펭 , 양웨이 , 푸야롱 , 양카이
IPC分类号： G11C19/08 , G11C8/16 , G11C11/16
CPC分类号： G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0676 , G11C8/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： 본발명의실시예들은, 저장밀도를증가시키고전력소비를감소시키기위한저장유닛, 메모리, 및저장유닛을제어하는방법을제공한다. 저장유닛은: U자형자기트랙, 제1 구동회로, 제2 구동회로, 제1 구동포트, 및제2 구동포트를포함하며, 상기 U자형자기트랙은, 제1 포트, 제2 포트, 제1 저장영역, 및제2 저장영역을포함하고, 상기제1 구동회로는상기제1 저장영역을구동하도록구성되고, 상기제2 구동회로는상기제2 저장영역을구동하도록구성되며, 상기제1 포트, 상기제2 포트, 상기제1 구동포트, 및상기제2 구동포트의입력전압을제어하고상기제1 구동회로를구동함으로써, 상기제1 저장영역내에서전류펄스가생성되고, 상기제1 저장영역내의자기구역이구동되어이동하고, 상기제1 포트, 상기제2 포트, 상기제1 구동포트, 및상기제2 구동포트의입력전압을제어하고상기제2 구동회로를구동함으로써, 상기제2 저장영역내에서전류펄스가생성되고, 상기제2 저장영역내의자기구역이구동되어이동한다.

35. 发明公开

KR1020160069433A MRAM 기반의 프레임 버퍼링 장치, 그 장치를 포함하는 디스플레이 구동 장치 및 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：基于MRAM（磁性随机存取存储器）的帧缓冲装置和包括其的显示驱动装置和显示装置
公开(公告)号：KR1020160069433A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020140175381
申请日：2014-12-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이중재 , 고관협 , 김대식 , 서보영
IPC分类号： G09G3/20 , G11C11/15
CPC分类号： G06T1/60 , G06F12/00 , G06F12/0238 , G09G2330/021 , G09G2340/0435 , G09G2360/12 , G09G2360/18 , G11C5/02 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1695 , G09G3/20 , G09G3/2003 , G11C11/15
摘要： 본발명의기술적사상은 PSR 방식을채용하면서도사이즈및 소비전력을보다감소시킬수 있는 MRAM 기반의프레임버퍼링장치, 그장치를포함하는디스플레이구동장치및 디스플레이장치를제공한다. 그프레임버퍼링장치는 MRAM(Magnetic Random Access Memory)으로형성되고적어도하나의프레임데이터를저장하는프레임버퍼메모리; 외부자기장을검출하는자기장센서; 및검출된상기외부자기장의세기에따라상기프레임데이터의저장을제어하는프레임버퍼컨트롤러;를포함한다.
摘要翻译：本发明的技术思想提供了一种基于使用PSR方法并减小尺寸和功耗的磁随机存取存储器（MRAM）的帧缓冲装置，以及包括该帧缓冲装置的显示驱动装置和显示装置。帧缓冲装置包括：帧缓冲存储器，其由MRAM形成并至少存储帧数据; 检测外部磁场的磁传感器; 以及帧缓冲控制器，其根据检测到的外部磁场的强度来控制帧数据的存储。

36. 发明公开

KR1020160062122A 위상 자기 이력 조셉슨 접합 메모리 셀 审中-实审
标题翻译：相位滞后磁性JOSEPHSON连接存储单元
公开(公告)号：KR1020160062122A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020167011128
申请日：2014-07-16
申请人： 노스롭 그루먼 시스템즈 코포레이션
发明人： 헤아,안나와이. , 헤아,쿠엔틴피. , 나아만,오페르
IPC分类号： G11C11/44 , B82Y10/00 , G01R33/035 , G11C11/15 , H01L27/18 , H01L39/02 , H01L39/22
CPC分类号： G11C11/44 , B82Y10/00 , G01R33/0354 , G01R33/0358 , G11C11/15 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/18 , H01L39/025 , H01L39/223
摘要： 일실시예는메모리셀을설명한다. 메모리셀은제 1 기록전류및 제 2 기록전류에응답하여이진논리 1 상태에대응하는제 1 이진논리상태및 이진논리 0 상태에대응하는제 2 이진논리상태중 하나를저장하고, 저장된디지털상태에기초하여초전도위상을생성하도록구성되는위상이력자기조셉슨접합(PHMJJ)을포함한다. 메모리셀은또한 PHMJJ의초전도위상에기초하고, 판독전류에응답하여저장된디지털상태에대응하는출력을제공하도록구성되는임계전류를가진적어도하나의조셉슨접합을포함한다.

37. 发明公开

KR1020160050400A 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：电阻式存储器件及其工作方法
公开(公告)号：KR1020160050400A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148455
申请日：2014-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤치원 , 박현국 , 변대석
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/10
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/1675 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0071 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092
摘要： 본개시는복수의제1 신호라인들과복수의제2 신호라인들이교차하는영역들에각각배치된복수의메모리셀들을포함하는메모리장치의동작방법으로서, 제1 셋기입구간에, 선택된메모리셀에연결되는제1 신호라인에제1 전압을인가하고제2 신호라인에상기제1 전압보다전압레벨이낮은제2 전압을인가함으로써상기선택된메모리셀에제1 기입전압을인가하는단계; 및제2 셋기입구간에, 상기제1 신호라인에상기제1 전압보다전압레벨이낮고, 상기제2 전압보다전압레벨이높은제3 전압을인가함으로써상기선택된메모리셀에제2 기입전압을인가하는단계를포함한다.
摘要翻译：本公开涉及一种用于操作存储器件的方法，所述存储器件包括布置在多个第一信号线和多个第二信号线相交的区域中的每个区域中的存储器单元。该方法包括在第一设置写入区域中将第一电压施加到连接到所选择的存储器单元的第一信号线并将低于第一电压的第二电压施加到第二信号线的步骤，从而施加第一写入电压到选定的存储单元; 以及在第二设定写入范围内向第一信号线施加低于第一电压且高于第二电压的第三电压的步骤，从而向选择的存储单元施加第二写入电压。因此，可以提高存储装置的耐久性。

38. 发明公开

KR1020160045694A 비파괴적 기록/판독 레벨링 审中-实审
标题翻译：非破坏性写作/阅读水平
公开(公告)号：KR1020160045694A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020167004171
申请日：2014-08-19
申请人： 에버스핀 테크놀러지스, 인크.
发明人： 안드레토마스
IPC分类号： G11C11/16 , G11C29/02 , G11C7/20 , G11C29/04
CPC分类号： G11C11/1675 , G06F12/0238 , G06F12/0804 , G06F12/0871 , G06F2212/1032 , G06F2212/7203 , G11C7/20 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C14/00 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2029/0407
摘要： 몇몇예들에서, 메모리디바이스는하나이상의연관된휘발성메모리어레이들을구비하는비휘발성메모리어레이(들)로구성된다. 메모리디바이스는메모리디바이스와연관된판독및 기록액세스타이밍을교정하기위해메모리디바이스와연관된전자디바이스또는메모리디바이스에의해수행된초기화또는교정시퀀스동안비휘발성메모리어레이(들)에대한액세스를방지하도록구성된비파괴적기록모드를포함할수 있다.
摘要翻译：在一些示例中，存储器设备配置有具有一个或多个相关联的易失性存储器阵列的非易失性存储器阵列。存储器设备可以包括非破坏性写入模式，其被配置为在由存储器设备执行的启动或校准序列期间防止对非易失性存储器阵列的访问，或者与存储器设备相关联的电子设备校准读取和写入与存储设备相关联的访问定时。

39. 发明授权

KR101607357B1 자기 메모리 소자 및 불휘발성 기억장치 有权
标题翻译：磁记忆元件和非易失存储器件
公开(公告)号：KR101607357B1
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020117011820
申请日：2009-08-25
申请人： 아이아이아이 홀딩스 3, 엘엘씨
发明人： 오기모토,야스시
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , G11C11/15 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/224 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要： 프리층(5), 비자성층(4), 핀층(3)으로이루어진스핀밸브구조를가지는자기메모리소자(8)로서, 프리층(5)이, 상기비자성층(4)측으로부터제 1 자성층(51), 중간층(52), 제 2 자성층(53)의 3층구조로이루어지며, 제 1 자성층(51)이강자성체, 중간층(52)이비자성체, 제 2 자성층(53)이, 기억유지온도영역에서자기보상점을가지는 N형페리자성체로이루어지며, 제 1 자성층과상기제 2 자성층의자화의방향이, 상기자기보상점(T)보다저온에서서로평행이다.

40. 发明公开

KR1020160031832A 자기 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：磁记忆装置
公开(公告)号：KR1020160031832A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：KR1020140122039
申请日：2014-09-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 피웅환 , 김광석 , 김기원 , 이성철 , 장영만
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/04 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 자기메모리장치가제공된다. 상기자기메모리장치는, 제1 자화층(magnetization layer); 상기제1 자화층상의터널배리어(tunnel barrier); 상기터널배리어상의제2 자화층; 및상기제2 자화층측벽의적어도일부분상의스핀전류보조층(spin current assisting layer);을포함한다.
摘要翻译：提供一种磁存储器件，包括：第一磁化层; 在第一磁化层上的隧道势垒; 隧道势垒上的第二磁化层; 以及在所述第二磁化层的侧壁的至少一部分上的自旋电流辅助层。本发明的目的是提供一种可在低工作电流下工作的磁存储器件。

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