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31. 发明公开

KR1020020002285A 구리 연마에 사용되는 화학 기계 연마용 수계 분산체 有权
标题翻译：用于抛光铜的化学机械抛光水分散
公开(公告)号：KR1020020002285A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020010037921
申请日：2001-06-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 모또나리,마사유끼 , 핫또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: To obtain an aqueous dispersion for chemical machine polishing useful for polishing copper, having a high polishing rate, capable of decreasing an erosion rate in overpolishing. CONSTITUTION: This aqueous dispersion for a chemical machine polishing comprises a heterocycle-containing compound, a surfactant and an oxidizing agent and has the mass ratio of the heterocycle-containing compound to the surfactant of 1:10-1:0.03. The aqueous dispersion further can contain a abrasive grain. Quinaldic acid, benzotriazole, etc., preferably as the heterocycle-containing compound. A sulfonate such as potassium dodecylbenzenesulfonate, ammonium dodecylbenzenesulfonate, etc., are preferably as the surfactant and ammonium persulfate, hydrogen peroxide, etc., are preferable as the oxidizing agent. An inorganic particle such as colloidal silica, etc., an organic particle such as a polymer particle, etc., or an organic inorganic composite particle obtained by combining both the particles is used as the abrasive grain.
摘要翻译：目的：获得能够降低抛光速度的抛光速度高的用于抛光铜的化学机械抛光用水性分散体。构成：用于化学机械抛光的水性分散体包含含杂环化合物，表面活性剂和氧化剂，并且含杂环化合物与表面活性剂的质量比为1:10-1:0.03。水性分散体还可以含有磨粒。季戊酸，苯并三唑等，优选作为含杂环化合物。优选十二烷基苯磺酸钾，十二烷基苯磺酸铵等磺酸盐作为表面活性剂，优选过硫酸铵，过氧化氢等作为氧化剂。作为磨粒，使用胶体二氧化硅等无机粒子，聚合物粒子等有机粒子或将这两种粒子组合而成的有机无机复合粒子。

32. 发明公开

KR1020010070501A 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的化学机械抛光和化学机械抛光方法的水性分散剂
公开(公告)号：KR1020010070501A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：KR1020010001513
申请日：2001-01-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우찌꾸라,가즈히또 , 모또나리,마사유끼 , 핫또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C23F3/04 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: An aqueous dispersant for chemical mechanical polishing is provided, which can form sufficiently flattened good damascene wiring and is used in the manufacture of a semiconductor device and a chemical mechanical polishing method using the dispersant. CONSTITUTION: The aqueous dispersant has such a feature that, when a copper film, a barrier metal film, and an insulating film are polished under the same condition, the ratio (RCu/RBM) of the polishing speed RCu of the copper film to that RBM of the barrier metal film becomes 0.5-2 and the ratio (RCu/RIn) of the polishing speed RCu of the copper film to that RIn of the insulating film becomes 0.5-2. The chemical mechanical polishing method uses the aqueous dispersant.
摘要翻译：目的：提供用于化学机械抛光的水分散剂，其可以形成足够扁平的良好的镶嵌线，并且用于制造使用该分散剂的半导体器件和化学机械抛光方法。构成：水分散剂具有这样的特征，即在相同条件下对铜膜，阻挡金属膜和绝缘膜进行研磨时，铜膜的研磨速度RCu与该膜的抛光速度RCu的比（RCu / RBM）阻挡金属膜的RBM为0.5-2，铜膜的研磨速度RCu与绝缘膜的RIn的抛光速度RCu的比（RCu / RIn）为0.5〜2。化学机械抛光方法使用水性分散剂。

33. 发明公开

KR20180059557A 개선된 디싱을 위한 코발트 억제제 조합 审中-公开
公开(公告)号：KR20180059557A
公开(公告)日：2018-06-04
申请号：KR20187013822
申请日：2016-10-18
IPC分类号： C09G1/02 , C09G1/14 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 본발명은 (a) 연마제입자, (b) 약 1 내지약 2의옥탄올-물 logP를갖는아졸화합물, (c) 음이온성머리기및 C-C지방족꼬리기를포함하는코발트부식억제제, (d) 코발트촉진제, (e) 코발트를산화시키는산화제및 (f) 물을포함하며약 3 내지약 8.5의 pH를갖는화학-기계적연마조성물을제공한다. 본발명은기판을본 발명의화학-기계적연마조성물로화학-기계적으로연마하는방법을추가로제공한다. 전형적으로, 기판은코발트를포함한다.

34. 发明公开

KR20180054952A 증착용 마스크 제조방법, 이에 의해 제조된 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR20180054952A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20160151133
申请日：2016-11-14
申请人： 주식회사 포스코
发明人： JUNG GWAN HO , LEE JAE RYUNG , KIM KI SOO , LEE JAE KON , KIM JONG KWEON
IPC分类号： C23C14/04 , C22C38/08 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23F1/02 , C23F3/04 , H01L51/00 , H01L51/56
CPC分类号： C23C14/042 , C22C38/08 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23F1/02 , C23F3/04 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要： 본발명은금속박에복수개의미세한관통홀을형성한증착용마스크, 이에사용되는금속박및 그제조방법, 그리고, 상기증착용마스크를사용하여유기 EL 소자를제조하는방법에관한것으로서, Ni: 34~46중량%와잔부 Fe 및불가피불순물을포함하는증착용마스크로사용되는 Fe-Ni 합금금속박으로서, 상기금속박은적어도일면에패턴형성영역과무지영역을포함하되, 상기패턴형성영역은상기무지영역에비하여두께가얇고, 표면조도가작으며, 상기무지영역은상기금속박의가장자리에위치하여패턴형성영역을포위하는것인증착용마스크로사용되는 Fe-Ni 합금금속박을제공한다.

35. 发明公开

KR1020180016029A 텅스텐 베리어층 연마용 슬러리 조성물 有权
公开(公告)号：KR1020180016029A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR1020160099872
申请日：2016-08-05
申请人： 주식회사 케이씨텍
发明人： 박한터 , 공현구 , 이상미
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C23F3/04
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C23F3/04 , C09K3/1409 , C09K3/1454
摘要： 본발명은텅스텐베리어층연마용슬러리조성물에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른텅스텐베리어층연마용슬러리조성물은, 연마입자; 및황-함유아미노산;을포함하고, 엣지오버이로젼(edge over erosion; EOE)을개선하는것일수 있다.

36. 发明公开

KR1020170127815A 구리 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 审中-实审
标题翻译：用于铜抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020170127815A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058439
申请日：2016-05-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 신나율 , 김원중 , 도균봉 , 황기욱
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C23F3/04 , H01L21/321 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C23F3/04 , H01L21/304 , H01L21/321
摘要： 본발명은 (메트)아크릴산과아졸치환기를갖는 (메트)아크릴아미드화합물의공중합체, 산화제, 부식억제제, 착화제, 및용매를포함하는구리연마용 CMP 슬러리조성물및 이를이용한연마방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明是一种（甲基）涉及一种共聚物，和氧化剂，腐蚀抑制剂，络合剂和CMP浆料组合物和使用相同的方法进行铜的抛光研磨，包含丙烯酸和具有唑取代的化合物的（甲基）丙烯酰胺的溶剂。

37. 发明公开

KR1020170068584A 부식 억제제 및 관련 조성물 및 방법 审中-实审
标题翻译：腐蚀抑制剂及相关组合物和方法
公开(公告)号：KR1020170068584A
公开(公告)日：2017-06-19
申请号：KR1020177013244
申请日：2015-10-21
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 카바노프,마리 , 크래프트,스티븐 , 울프,앤드류 , 카터,필리프더블유. , 시크마,엘리제 , 크로스,제프리 , 페트로,벤자민
IPC分类号： C23F11/10 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/321 , B24B37/24 , C09G1/02 , C09D5/08
CPC分类号： B24B37/24 , C09D5/08 , C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , C23F11/10 , H01L21/3212
摘要： 본발명은금속을함유하는기재의부식을억제하는방법을제공한다. 기재는임의의적합한형태일수 있다. 일부구현예에서, 금속은코발트이다. 일부구현예에서방법은반도체웨이퍼와함께사용될수 있다. 본발명은또한화학적기계적연마조성물및 기재를연마하는방법을제공한다. 부식억제제가본 명세서에개시된방법및 조성물에서사용될수 있다. 억제제는양쪽성계면활성제(amphoteric surfactant), 술포네이트, 포스포네이트, 카르복실레이트, 아미노산유도체, 포스페이트에스테르, 이세티오네이트, 술페이트, 술포숙시네이트, 술포신니메이트, 또는그들의임의의조합을포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于抑制含有金属的基材的腐蚀的方法。基材可以是任何合适的形式。在一些实施例中，金属是钴。在一些实施例中，该方法可以与半导体晶片一起使用。本发明还提供了一种化学机械抛光组合物和抛光基材的方法。腐蚀抑制剂可用于本文公开的方法和组合物中。抑制剂包括两性表面活性剂（两性表面活性剂），磺酸盐，膦酸盐，羧酸盐，氨基酸衍生物，磷酸酯，羟乙磺酸盐，硫酸盐，磺基琥珀酸盐，甲酸盐你醇桶，或它们的任何组合它包括。

38. 发明授权

KR101386305B1 금 ＣＭＰ 조성물 및 방법 有权
标题翻译：金CMP组合物和方法
公开(公告)号：KR101386305B1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020087031910
申请日：2007-05-22
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 브루식,블라스타 , 조우,렌지 , 톰슨,크리스토퍼
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C23F3/04 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 본 발명은 금 함유 기판 표면을 연마하기 위해 유용한 시아나이드 무함유 화학적-기계적 연마 (CMP) 조성물을 제공한다. CMP 조성물은 연마제, 금 산화제, 시아나이드 무함유 금 가용화제 및 이들을 위한 수성 담체를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기한 연마 조성물을 사용한 금 함유 기판 표면의 화학적-기계적 연마 방법을 제공한다.
금 함유 기판, CMP 조성물, 시아나이드 무함유 금 가용화제, 연마제, 금 산화제

39. 发明授权

KR101227830B1 반도체 공정에서 구리 제거 및 평탄화를 위한 습식 에칭 有权
标题翻译：用于铜去除和平面化的薄膜蚀刻方法在半导体处理中
公开(公告)号：KR101227830B1
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020107027667
申请日：2010-07-27
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 메이어,스티븐,티. , 웹,에릭 , 포터,데이비드,더블유.
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/28
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/34 , C23F3/04 , C25D5/48 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02074 , H01L21/288 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76858 , H01L21/76883 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체 기판 상의 노출된 구리 구역이, 약 5 내지 12 사이의 pH에서, (ⅰ) 두자리, 세자리, 및 네자리 착화제로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 착화제; 그리고 (ⅱ) 산화제를 포함하는 습식 에칭 용액에 의해 에칭될 수 있다. 많은 실시예에서, 이러한 에칭은 실질적으로 등방성이고, 구리 표면에 불용성 종을 가시적으로 형성함이 없이 발생한다. 상기 에칭은 반도체 제작에 있어서 다수의 공정(가령, 초과 구리 부분의 부분적 또는 완전한 제거, 구리 표면의 평탄화, 및 구리-충전 다마신 피쳐 내의 오목부 형성)에서 유용하다. 적합한 에칭 용액의 예시에는, 두자리 및 세자리 착화제 각각으로서 디아민(가령, 에틸렌디아민) 및/또는 트리아민(가령, 디에틸렌트리아민)을 포함하고 산화제로서 과산화수소를 포함하는 용액이 포함된다. 일부 실시예에서, 에칭 용액은 황산, 아미노산, 및 카르복시산과 같은 pH 조절제를 추가로 포함한다.

40. 发明授权

KR101195349B1 루테늄 ＣＭＰ 조성물 및 방법 有权
标题翻译： RUMENIUM CMP组合物和方法
公开(公告)号：KR101195349B1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020107004345
申请日：2008-07-31
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 화이트,다니엘라 , 파커,존
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04
摘要： 본 발명은 연마 공정 동안 산화제, 예컨대 과산화수소의 존재 하에서 독성 수준의 루테늄 테트록사이드를 형성시키지 않으면서 루테늄-함유 기판을 연마하는 화학-기계적 연마(CMP) 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 니트록사이드(예를 들어, 4-히드록시-TEMPO)와 같은 루테늄-배위성 산화 질소 리간드(NO 리간드)를 함유하는 수성 담체 중에 현탁된 미립자 연삭재(예를 들어, 실리카, 알루미나 및/또는 티타니아)를 포함한다. 산화제의 존재 하에서, NO 리간드는 산화 상태가 IV 이상인 루테늄 종이 기판의 표면에 침착되는 것을 방지하면서 동시에 기판의 CMP 동안 형성되는 산화 루테늄과 가용성 Ru(II) NO 배위 착물을 형성한다. 루테늄-함유 표면을 상기 CMP 조성물로 연마하는 CMP 방법을 또한 제공한다.

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