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31. 发明授权

KR1019930001898B1 급속열처리 장치용 양면가열형 진공반응로 失效
标题翻译：真空反应炉
公开(公告)号：KR1019930001898B1
公开(公告)日：1993-03-19
申请号：KR1019900007227
申请日：1990-05-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김윤태 , 전치훈 , 이영수 , 김보우
IPC分类号： H01L21/263
摘要： The vacuum reactor for heating both sides of the workpiece in the rapid heat treatment apparatus includes an upper tungsten halogen lamp (1) on the wall (7) of the vacuum reactor the sides of which are welded by an oxidized aluminum plate, an infrared heating part (3) provided at the top of an upper window (5), a lower tungsten halogen lamp (2) provided at the lower infrared heating part (4) provided at the bottom of an lower window (6). The reaction room (A) is formed by the upper window, the lower window, and the reactor walls (7).
摘要翻译：用于在快速热处理设备中加热工件的两侧的真空反应器包括在真空反应器的壁（7）上的上卤钨灯（1），其侧面由氧化铝板焊接，红外线加热设置在上部窗口（5）的顶部的部分（3），设置在下部窗口（6）的底部处的下部红外加热部分（4）处的下部钨卤素灯（2）。反应室（A）由上窗，下窗和反应器壁（7）形成。

32. 发明授权

KR100057469B1 급속열처리 장치용 적외선 가열장치 失效
标题翻译：用于快速热处理系统的红外加热装置
公开(公告)号：KR100057469B1
公开(公告)日：1992-12-19
申请号：KR1019900007231
申请日：1990-05-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이영수 , 김윤태 , 전치훈 , 김보우 , 이두영
IPC分类号： H01L21/477

33. 发明授权

KR1019920009371B1 양면 가열형 급속열처리 장치 失效
标题翻译：双面加热快速热处理系统
公开(公告)号：KR1019920009371B1
公开(公告)日：1992-10-15
申请号：KR1019900007234
申请日：1990-05-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김윤태 , 전치훈 , 이영수 , 김보우
IPC分类号： H01L21/263
摘要： The apparatus is used for forming a thin insulating film of silicone oxides or silicon nitrides or minimizing thermal deficiency generated from long and high-temp. process in manufacturing semiconductor VLSI circuits. The apparatus comprises an interfacing section (1) for inputting operating conditions; main controller (2) for controlling all operations including controlling of wafer support-frame controller (4) according to operating conditions of the section (1); chamber controller (3) for controlling lamp power supply section (5), gas controller (6), vacuum discharge section (7), temperature sensing section (8) according to the controller (2); cooling-water controlling section (10) for supplying water to the inner wall of reactor (11).
摘要翻译：该装置用于形成硅氧化物或氮化硅的薄绝缘膜或最小化从长期和高温产生的热缺陷。制造半导体VLSI电路的过程。该装置包括用于输入操作条件的接口部分（1）主控制器（2），用于控制所有操作，包括根据部分（1）的操作条件控制晶片支撑框架控制器（4）; 用于控制灯电源部分（5），气体控制器（6），真空放电部分（7），根据控制器（2）的温度检测部分（8））的室控制器（3）用于向反应器（11）的内壁供水的冷却水控制部（10）。

34. 发明公开

KR1019910020822A 급속열처리 장치용 양면가열형 진공반응로 失效
标题翻译：用于快速热处理系统的双面加热式真空反应器
公开(公告)号：KR1019910020822A
公开(公告)日：1991-12-20
申请号：KR1019900007227
申请日：1990-05-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김윤태 , 전치훈 , 이영수 , 김보우
IPC分类号： H01L21/263
摘要： 내용 없음

35. 发明授权

KR100041668B1 다결정실리콘용 저압화학 증착장치의 가스공급계 失效
标题翻译：多晶硅低压化学气相沉积设备的供气系统
公开(公告)号：KR100041668B1
公开(公告)日：1991-05-09
申请号：KR1019870014927
申请日：1987-12-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 정기로 , 김상호
IPC分类号： H01L21/223

36. 发明授权

KR1019900000757B1 내화금속용 저압화학증착장치의 가스공급계 失效
标题翻译：用于难熔金属的低压化学气相沉积设备的供气系统
公开(公告)号：KR1019900000757B1
公开(公告)日：1990-02-15
申请号：KR1019870014273
申请日：1987-12-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 정기로 , 이용일 , 유형준
IPC分类号： C23C14/24
摘要： A gas supply system for chemical vapour deposition under low pressure is used for depositing W and WSi2 on Si and GaAs base in process of semiconductor material manufacturing and gives a precise and safe way for the growth of film. The system has advantages of precise gas flow control by locating hydraulic valve for gas supply time control before mass-flow controller; safety; and easy maintenance of mass- flow controller by installing N2 inlet line, by-pass line, exhaust line, valves and heating tape.
摘要翻译：在低压下进行化学气相沉积的气体供给系统用于在半导体材料制造过程中在Si和GaAs基底上沉积W和WSi2，为薄膜的生长提供了一种精确而安全的方法。该系统具有精确的气体流量控制，通过在质量流量控制器之前定位液压阀供气时间控制; 安全; 并通过安装N2入口管路，旁路管线，排气管路，阀门和加热带，方便维护质量流量控制器。

37. 发明公开

KR1019890011030A 다결정실리콘용 저압화학 증착장치의 가스공급계 失效
公开(公告)号：KR1019890011030A
公开(公告)日：1989-08-12
申请号：KR1019870014927
申请日：1987-12-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 정기로 , 김상호
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 내용 없음

38. 发明公开

KR1019890010267A 내화금속용 저압화학증착장치의 가스공급계 失效
公开(公告)号：KR1019890010267A
公开(公告)日：1989-08-07
申请号：KR1019870014273
申请日：1987-12-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 정기로 , 이용일 , 유형준
IPC分类号： C23C14/24

39. 发明公开

KR1020170051146A 전력 반도체 모듈 및 그것의 안정화 방법 审中-实审
标题翻译：功率半导体模块及其稳定方法
公开(公告)号：KR1020170051146A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020160040357
申请日：2016-04-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김민기 , 장현규 , 정동윤 , 고상춘 , 이현수 , 전치훈
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/772
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L29/772 , H01L29/778
摘要： 본발명은 Sense-FET를사용한안정화회로구조를제안한다. 본발명에따른전력반도체모듈은 D-Mode FET와상기 D-Mode FET와동일한구조를가지며면적을달리하는 Sense-FET를포함한다. 전력반도체모듈은 Sense-FET의구동을위해필요한 E-Mode FET 뿐만아니라, 저항, 커패시터, 인덕터, 또는다이오드등과같은회로소자를포함하는안정화회로를포함한다.
摘要翻译：本发明提出了一种使用感测-FET的稳定电路结构。根据本发明的功率半导体模块包括D模式FET和具有与D模式FET相同并且具有不同面积的结构的感测FET。功率半导体模块包括稳定电路，包括一个电路元件，诸如以及E模式FET为意识-FET，电阻器，电容器，电感器，或二极管的操作所需的。

40. 发明公开

KR1020170033219A 전자 소자 审中-实审
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：KR1020170033219A
公开(公告)日：2017-03-24
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이형석 , 김기환 , 고상춘 , 김진식 , 나제호 , 남은수 , 박영락 , 박준보 , 전치훈 , 정동윤
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
摘要： 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.
摘要翻译：由此提供电子设备。该电子器件包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体层和第二半导体层以及布置在第二半导体层上的源电极，栅电极和漏电极。所述电子器件还包括场板，所述场板与所述源电极电连接并且在所述漏电极的方向上并且远离所述衬底朝向所述漏电极延伸。

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