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31. 发明授权

KR101121639B1 전자 방출 장치의 음극부 구조 有权
标题翻译：电子发射器件的阴极结构
公开(公告)号：KR101121639B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020090116765
申请日：2009-11-30
申请人： 한국전기연구원 , 세종대학교산학협력단
发明人： 김정일 , 최해영 , 조은주 , 한성태 , 김종욱 , 이한성 , 이내성
IPC分类号： H01J35/06 , H01J1/304
摘要： 본발명은전자방출장치의음극부구조에관한것으로서, 전자를방출하는음극부; 및상기음극부의상부에배치되는양극부;를포함하는전자방출장치에있어서, 상기음극부는, 표면에요철이형성된기판; 및상기기판의상부에형성되는에미터;를포함하는것을특징으로하며, 음극부의기판에형성된요철에의해에미터로부터방출되는단위면적당방출전류를최대화시킬수 있는음극부를제공할수 있다.

32. 发明公开

KR1020100058750A 공동 공진기 한쪽 면을 이용한 펄스 전자 증폭기 失效
标题翻译：脉冲电子束放大器，使用一个CAVITY谐振器
公开(公告)号：KR1020100058750A
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080117266
申请日：2008-11-25
申请人： 한국전기연구원
发明人： 전석기 , 김정일 , 정순신
IPC分类号： H01J43/02 , H01J25/20 , H01J23/20
摘要： PURPOSE: A pulse electron amplifier using one side of a cavity resonator is provided to generate a pulse electron beam with electron amplification by a secondary electron on one wall of a resonator by additionally applying an AC voltage to the cavity resonator with a constant DC voltage through an electromagnetic wave. CONSTITUTION: A pulse electron amplifier is comprised of two metal plates(510,520) and a dielectric rod with a photonic crystal structure. A protruded surface(521) is formed in a longitudinal direction vertical to an electron beam direction. A DC voltage is applied between two metal plates. An electromagnetic wave passes between the dielectric rods with the photonic crystal structure as an AC voltage. The protruded surface generates an electronic beam through the electron amplification according to the size of the electromagnetic wave and the DC voltage.
摘要翻译：目的：提供使用空腔谐振器的一侧的脉冲电子放大器，通过在恒定的直流电压通过附加地向空腔谐振器施加AC电压，以在谐振器的一个壁上产生具有通过二次电子的电子放大的脉冲电子束电磁波。构成：脉冲电子放大器由两个金属板（510,520）和具有光子晶体结构的介质棒组成。在垂直于电子束方向的纵向方向上形成突出表面（521）。在两块金属板之间施加一个直流电压。电磁波通过光电晶体结构的介质棒之间作为交流电压。突出表面根据电磁波的大小和直流电压通过电子放大产生电子束。

33. 发明公开

KR1020100055657A 평면 반사체 회전을 이용한 광 지연기 失效
标题翻译：光学延迟线使用旋转平面反射器
公开(公告)号：KR1020100055657A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020080114486
申请日：2008-11-18
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김근주 , 진윤식 , 전석기 , 김정일
IPC分类号： G02B27/00
CPC分类号： G02B26/122 , G02B17/023 , G02B17/06 , G02B26/105
摘要： PURPOSE: An optical delay line using a rotating planar reflector is provided to increase the repetition rate of a time delay by including a reflection structure. CONSTITUTION: An optical delay line comprises a reflection structure. The reflection structure comprises a plurality of an V-type reflection surface(10). The reflecting surface forms an arbitrary angle. The reflection structure revolves around a rotary shaft at a constant angular velocity. The reflection structure changes the optical path difference of an incident light. The reflection structure reflects reversely the incident light. The optical delay line comprises a retro-reflector(50).
摘要翻译：目的：提供使用旋转平面反射器的光学延迟线，以通过包括反射结构来增加时间延迟的重复率。构成：光学延迟线包括反射结构。反射结构包括多个V型反射面（10）。反射面形成任意角度。反射结构围绕旋转轴以恒定角速度旋转。反射结构改变入射光的光程差。反射结构反映了入射光。光学延迟线包括后向反射器（50）。

34. 发明公开

KR1020100010558A 습식공정을 이용한 광결정 수동소자의 제조방법 有权
标题翻译：使用湿蚀刻的光子晶体无源器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020100010558A
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：KR1020080071466
申请日：2008-07-23
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김정일 , 전석기 , 진윤식 , 김근주 , 손채화 , 박시현
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/3063
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a photonic crystal passive device using wet etching is provided to use all dielectric photonic crystal properties by coating a silicon crystal with a conductive material. CONSTITUTION: A photonic crystal structure is formed on a silicon wafer(21) through an anisotropic wet process. A dielectric layer(22) used as an etching mask is deposited. A photoresist(23) is coated on the dielectric layer by using a spin coater. The dielectric layer and photoresist are patterned. The remaining photoresist is removed by using an asher. A silicon cover is coated with a high conductivity material to prevent the loss of electromagnetic wave.
摘要翻译：目的：提供使用湿蚀刻的光子晶体无源器件的制造方法，以通过用导电材料涂覆硅晶体来使用所有介电光子晶体性质。构成：通过各向异性湿法在硅晶片（21）上形成光子晶体结构。沉积用作蚀刻掩模的电介质层（22）。通过使用旋转涂布机将光致抗蚀剂（23）涂覆在电介质层上。图案化电介质层和光致抗蚀剂。剩余的光致抗蚀剂通过使用灰渣除去。硅覆盖层涂覆有高导电性材料，以防止电磁波的损失。

35. 发明公开

KR1020090056202A 냉음극 전자원 및 그 제조방법 失效
标题翻译：冷阴极电子源及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090056202A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123258
申请日：2007-11-30
申请人： 한국전기연구원
发明人： 전석기 , 김정일 , 진윤식 , 김근주 , 손채화 , 박시현
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/30
摘要： A cold cathode electron source and manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing cost by using the insulator formation technology which uses a wet etch process and adhesive. The cold cathode electron source comprises a cold cathode and a grid body portion. The cold cathode comprises a first silicon wafer(110), a conductive metal(120), and an insulating adhesive(130) and an electric field emission material(140). The grid body portion comprises a grid and a metal layer(220). The grid is formed in the one side of the second silicon wafer(210). The lamination film is laminated on the reverse surface of the second silicon wafer. The grid is exposed in the opposite of the second silicon wafer.
摘要翻译：提供冷阴极电子源及其制造方法，以通过使用使用湿蚀刻工艺和粘合剂的绝缘体形成技术来降低制造成本。冷阴极电子源包括冷阴极和栅极体部分。冷阴极包括第一硅晶片（110），导电金属（120）和绝缘粘合剂（130）和电场发射材料（140）。网格体部分包括网格和金属层（220）。格栅形成在第二硅晶片（210）的一侧。层压膜层压在第二硅晶片的反面上。栅格暴露在与第二硅晶片相对的位置。

36. 发明授权

KR102214291B1 캐소드 교체형 마그네트론 有权
公开(公告)号：KR102214291B1
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020170158173
申请日：2017-11-24
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김근주 , 김정일 , 김상훈 , 김인수 , 이용석 , 이정훈
IPC分类号： H01J25/52
摘要： 본발명은캐소드교체형마그네트론에관한것으로서, 본발명의캐소드교체형마그네트론은, 캐소드고정부위에진공플랜지(Vacuum Flange)를구비하여열고닫을수 있게함으로써용이하게캐소드전극을교체할수 있고내부자기장의측정과교정이가능하다.

37. 发明授权

KR101977381B1 방사선 치료 장치의 제어 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101977381B1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：KR1020170173680
申请日：2017-12-15
申请人： 한국생산기술연구원 , 한국전기연구원 , 한국전자통신연구원 , 가톨릭대학교 산학협력단
发明人： 지상훈 , 박상덕 , 장재호 , 유수정 , 김정일 , 김근주 , 이용석 , 김상훈 , 이수열 , 최장환 , 장홍석 , 강영남 , 김지나 , 황진호 , 신진솔 , 설윤지 , 김애란
IPC分类号： A61N5/10

38. 发明公开

KR1020170062122A 고출력 마그네트론 审中-实审
标题翻译：高功率磁控管
公开(公告)号：KR1020170062122A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167563
申请日：2015-11-27
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김근주 , 김정일 , 김인수 , 이정훈
IPC分类号： H01J25/50 , H05H13/00
CPC分类号： H01J25/50 , H05H13/00
摘要： 본발명의일 실시예에따른고출력마그네트론은, 고출력마그네트론에있어서, 음극(Cathode)와양극(Anode)를포함하는이극관; 및이극관에인가되는전기장을가변시키는튜너부를포함하되, 튜너부는복수개의튜너를포함하는것을특징으로하는고출력마그네트론을개시한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的高输出磁控管是具有包括阴极和阳极的极的高输出磁控管; 以及用于改变施加到极板的电场的调谐器部分，其中调谐器部分包括多个调谐器。

39. 发明公开

KR1020160053220A 이중 해상도의 관심 영역 내외 투영 데이터를 이용한 체내 단층 촬영 방법 및 시스템 审中-实审
标题翻译：使用区域内双分辨率投影数据的内部平面图的方法和系统
公开(公告)号：KR1020160053220A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150483
申请日：2014-10-31
申请人： 한국전기연구원
发明人： 진승오 , 김근주 , 김재홍 , 김정일 , 신기영 , 신동원 , 이정석 , 전석기
IPC分类号： A61B6/03 , G06T5/00
CPC分类号： G06T5/50 , G06K9/3233 , G06T11/003 , G06T2207/10081 , G06T2207/20016
摘要： 본발명은체내단층촬영방법및 시스템에관한것으로서, 보다구체적으로는피사체의관심영역에대해서는높은해상도로, 전체영역에대해서는낮은해상도로투영데이터를산출한후, 투영데이터의연속성을향상시키면서복원영상의총 변화량을최소화하는과정을반복하는함으로써피사체의엑스-선피폭량을줄이면서관심영역에대한고품질의영상을복원할수 있는체내단층촬영방법및 시스템에관한것이다.
摘要翻译：内部层析成像方法和系统技术领域本发明涉及一种内部层析成像方法和系统，更具体地涉及一种内部层析成像方法，包括以下步骤：为感兴趣的区域以高分辨率的质量计算投影数据，并且对于整个地区然后通过改善投影数据的连续性来重复最小化恢复图像的总体变化量，从而能够减少辐射剂量并恢复感兴趣区域中的高质量图像。

40. 发明授权

KR101604976B1 ＭＲＩ 유도 기반 다중 선형 가속기를 이용한 치료 시스템 및 이의 제어 방법 有权
标题翻译：使用磁共振成像引导的多线性加速器的治疗系统及其控制方法
公开(公告)号：KR101604976B1
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020130144749
申请日：2013-11-26
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김정일 , 김근주 , 신기영 , 전석기 , 진승오 , 김재홍 , 신동원
IPC分类号： A61N5/10 , A61B5/055
摘要： MRI(Magnetic Resonance Imaging) 유도기반선형가속기를이용한치료시스템에있어서, 대상체가위치되는영역에자기장을형성하는서로분리된형태의복수의마그네틱코일(split-type magnetic coil)을포함하는 MRI 장치; 복수의마그네틱코일이분리된공간에위치하며, MRI 장치내부에위치되는대상체로엑스선을방사하는제 1 선형가속기와제 2 선형가속기; RF 소스로부터제공되는 RF 신호를분할하여 RF 신호로부터분할된제 1 RF 신호를제 1 선형가속기로전달하고, RF 신호로부터분할된제 2 RF 신호를제 2 선형가속기로전달하는 RF 신호전달부; 및제 1 RF 신호와제 2 RF 신호의세기비율을조절하는조절부를포함하는것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른치료시스템이개시된다.

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