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    • 31. 发明公开
    • 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 유기 발광장치
    • 薄膜晶体管基板及其制造方法及使用其的有机发光器件
    • KR1020150083052A
    • 2015-07-16
    • KR1020150089071
    • 2015-06-23
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 심종식남우진신홍재장민규
    • H01L29/786H01L29/66H01L27/32
    • 박막트랜지스터의출력특성및 트랜스퍼특성을개선시킬수 있는본 발명의일 측면에따른박막트랜지스터기판은, 기판상에배치된하부게이트전극; 상기하부게이트전극상에배치된액티브층; 상기액티브층상에배치된소스전극및 드레인전극; 및상기소스전극및 드레인전극에의해정의되는채널영역을커버하도록상기소스전극, 드레인전극, 및액티브층상에배치된상부게이트전극을포함하는박막트랜지스터와, 상기소스전극및 드레인전극과동일한층에배치되어상기하부게이트전극과상기상부게이트전극을전기적으로연결시키는컨택부를포함하고, 상기컨택부는상기소스전극및 드레인전극과동일한물질인것을특징으로한다.
    • 能够改善薄膜晶体管的输出特性和传递特性的薄膜晶体管基板包括:设置在基板上的下栅电极; 设置在下栅电极上的有源层; 源电极和漏电极,设置在有源层上; 薄膜晶体管,其包括设置在所述源电极,所述漏电极和所述有源电极上的上栅极,以覆盖由所述源电极和所述漏电极限定的沟道区域; 以及与所述源极电极和所述漏极电极相同的层设置的接触部,所述接触部将所述下部栅电极与所述上部栅电极电连接,所述接触部由与所述源电极相同的母体 和漏电极。
    • 32. 发明授权
    • 발광표시장치
    • 发光显示装置
    • KR101528147B1
    • 2015-06-12
    • KR1020110105266
    • 2011-10-14
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 심종식남우진장민규
    • G09G3/30G09G3/20
    • G09G3/3233G09G2300/0852G09G2300/0861G09G2310/0254G09G2320/045
    • 본발명은구동스위칭소자들간전류구동능력편차를줄여표시장치의화질을개선할수 있는발광표시장치에관한것으로, 화상을표시하기위한다수의화소들을포함하며; 각화소가, 스캔라인으로부터의스캔신호에따라제어되며, 데이터라인과제 1 노드사이에접속된데이터스위칭소자; 발광제어라인으로부터의발광제어신호에따라제어되며, 상기제 1 노드와제 2 노드사이에접속된발광제어스위칭소자; 상기제 2 노드의전압에따라제어되며, 상기제 1 구동전원을전송하는제 1 구동전원라인과제 3 노드사이에접속된구동스위칭소자; 감지라인으로부터의감지신호에따라제어되며, 제 1 커패시터와제 2 노드사이에접속된감지스위칭소자; 초기화라인으로부터의초기화신호에따라제어되며, 상기제 3 노드와초기화전압을전송하는초기화전원라인사이에접속된초기화스위칭소자; 상기초기화라인으로부터의초기화신호에따라제어되며, 상기제 2 노드와기준전압을전송하는기준전원라인사이에접속된기준스위칭소자; 상기제 1 노드와상기제 2 노드사이에접속된제 2 커패시터; 상기제 1 노드와상기제 3 노드사이에접속된제 3 커패시터; 상기제 3 노드에애노드전극이접속되고제 2 구동전원을전송하는제 2 구동전원라인에캐소드전극이접속된발광다이오드를포함하며; 상기제 1 커패시터는상기감지스위칭소자와상기제 1 구동전원라인사이에접속되며; 상기스캔신호, 초기화신호, 발광제어신호및 감지신호는순차적으로발생되는초기화기간, 문턱전압검출기간, 데이터기입기간및 발광기간에근거하여액티브상태또는비액티브상태로변화하며; 상기초기화기간동안상기초기화신호, 감지신호및 발광제어신호가액티브상태로유지되는반면, 상기스캔신호가비액티브상태로유지되며; 상기문턱전압검출기간동안상기감지신호가액티브상태로유지되는반면, 상기초기화신호, 스캔신호및 발광제어신호가비액티브상태로유지되며; 상기데이터기입기간동안상기스캔신호및 감지신호가액티브상태로유지되는반면, 상기초기화신호및 발광제어신호가비액티브상태로유지되며; 상기데이터기입기간동안상기데이터라인으로데이터신호가공급되며; 상기발광기간동안상기발광제어신호가액티브상태및 비액티브상태를순차적으로가지거나, 또는액티브상태로유지되는반면, 상기스캔신호, 초기화신호및 감지신호가비액티브상태로유지됨을특징으로한다.
    • 34. 发明公开
    • 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
    • 有机发光二极管显示装置及其驱动方法
    • KR1020150033915A
    • 2015-04-02
    • KR1020130113782
    • 2013-09-25
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 배나영심종식
    • G09G3/32
    • 본발명은, 교차하여화소영역을정의하는게이트배선과데이터배선; 상기게이트배선및 데이터배선에연결되는스위칭박막트랜지스터와; 상기스위칭박막트랜지스터에연결되는구동박막트랜지스터와; 상기구동박막트랜지스터의게이트전극및 소스전극에연결되는스토리지커패시터와; 상기구동박막트랜지스터의소스전극에연결되어발광하는발광다이오드와; 상기구동박막트랜지스터의소스전극에연결되는제1 및제2센싱박막트랜지스터와; 상기제1센싱박막트랜지스터에연결되는아날로그-디지털변환기와; 상기제2센싱박막트랜지스터에연결되는전류원을포함하는유기발광다이오드표시장치를제공한다.
    • 提供一种有机发光二极管显示装置,其包括数据线和彼此交叉并限定像素区域的栅极线; 连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管; 连接到开关薄膜晶体管的驱动薄膜晶体管; 存储电容器,连接到驱动薄膜晶体管的栅电极和源电极; 连接到驱动薄膜晶体管的源电极以发光的发光二极管; 连接到驱动薄膜晶体管的源电极的第一和第二感测薄膜晶体管; 模拟数字转换器,其连接到第一感测薄膜晶体管; 以及连接到第二感测薄膜晶体管的电流源。
    • 35. 发明公开
    • OLED 표시 장치 및 그의 구동 방법
    • 有机发光二极管显示装置及其驱动方法
    • KR1020140082001A
    • 2014-07-02
    • KR1020120150704
    • 2012-12-21
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 심종식이정현
    • G09G3/30
    • The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a driving method thereof. The OELD display device comprises first and second driving switching elements connected in series together with a light emitting element between first and second source voltage supply lines and having gates connected to each other; and a sensing switching element forming a current path between the gate and a drain of the first driving switching element in response to a sensing signal, wherein, during a sensing period of a threshold voltage of the first driving switching element, after a reference voltage is applied to the gate of the first driving switching element, the gate of the first driving switching element is floated and the sensing switching element is subsequently turned on in response to the sensing signal, whereby the second driving switching element is turned off and the threshold voltage of the first driving switching element is stored in the gate of the first driving switching element.
    • 本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示装置及其驱动方法。 OELD显示装置包括与第一和第二源电压供应线之间的发光元件串联连接并具有彼此连接的栅极的第一和第二驱动开关元件; 以及感测开关元件,其响应于感测信号在所述第一驱动开关元件的栅极和漏极之间形成电流路径,其中,在所述第一驱动开关元件的阈值电压的感测周期期间,在参考电压为 施加到第一驱动开关元件的栅极,第一驱动开关元件的栅极浮起,并且感测开关元件随后响应于感测信号而导通,由此第二驱动开关元件被关断,并且阈值电压 的第一驱动开关元件的第一驱动开关元件的栅极中。
    • 37. 发明授权
    • 교번 자기장 결정화 장치 및 이를 이용한 액정표시소자의제조방법
    • 用于替换磁场结晶的装置和使用其制造液晶显示装置的方法
    • KR101327850B1
    • 2013-11-11
    • KR1020070022517
    • 2007-03-07
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 백원봉심종식
    • G02F1/136H01L29/786G02F1/1368
    • 본 발명은 폴리 실리콘의 결정화도를 향상시키고 결정화비용을 절감할 수 있는 교번 자기장 결정화 장치 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
      이 교번 자기장 결정화 장치는 비정질 실리콘을 가열하여 상기 비정질 실리콘을 결정화시키는 가열부; 상기 비정질 실리콘의 결정화 진행 중에 상기 비정질 실리콘 쪽으로 교번 자기장을 공급하는 자기장 공급부; 및 상기 비정질 실리콘과 상기 자기장 공급부 사이에 구비되며, 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상에 형성되며 상기 자기장 공급부에서의 교번 자기장이 집속되는 자성체를 포함하는 적어도 하나의 자성체 마스크를 포함하며, 상기 자성체는 상기 비정질 실리콘 전면에 대응되도록 상기 베이스 플레이트 상에 형성되거나, 상기 비정질 실리콘에서 결정화될 영역에만 대응되도록 형성되어, 상기 자기장 공급부에서의 교번 자기장이 상기 자성체를 통과하며 유도 자기장을 생성하여, 상기 비정질 실리콘 중 상기 자성체에 대응되는 영역에만 상기 유도 자기장이 공급된다.
    • 39. 发明公开
    • 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
    • 有机电致发光器件及其制造方法
    • KR1020110138787A
    • 2011-12-28
    • KR1020100058877
    • 2010-06-22
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 심종식양희석정성구강병욱정한아름
    • H01L51/52H05B33/26
    • H01L51/5228H01L27/3246H01L27/3272H01L2251/56
    • PURPOSE: An organic electro-luminescence device and a manufacturing method thereof are provided to form a sub electrode on the top of a bank or between adjacent banks, thereby preventing a voltage drop of a second electrode by the sub electrode. CONSTITUTION: A first substrate(101) and a second substrate(102) are bonded by a seal pattern(120). A thin film driving transistor(DTr) and an organic electro-luminescence diode(E) are formed on the first substrate. A semiconductor layer(201) is formed on a pixel area(P) of the first substrate. A gate insulating film(203) is formed on the semiconductor layer. Source and drain electrodes(211,213) are formed on the top of a first interlayer insulating film(207a).
    • 目的:提供一种有机电致发光器件及其制造方法,以在堤的顶部或相邻堤之间形成子电极,由此防止副电极产生的第二电极的电压降。 构成:第一衬底(101)和第二衬底(102)通过密封图案(120)结合。 在第一基板上形成薄膜驱动晶体管(DTr)和有机电致发光二极管(E)。 半导体层(201)形成在第一基板的像素区域(P)上。 在半导体层上形成栅极绝缘膜(203)。 源极和漏极(211,213)形成在第一层间绝缘膜(207a)的顶部上。