专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明公开

KR1020080072296A 상변화 메모리 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造相位可变存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020080072296A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：KR1020070010823
申请日：2007-02-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김도형 , 김신혜 , 이주범 , 박민영 , 정재교 , 송흥섭
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , H01L21/02362 , H01L21/76256 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： A method of manufacturing a phase change memory device is provided to prevent an interface of a phase change material film pattern from being contaminated by forming first and second capping films on the phase change material film pattern. An insulation film pattern(130) having an opening is formed on a substrate(100). Lower electrodes(140) for burying the opening are formed. A phase change material film pattern(150) and an upper electrode film pattern(160), which is connected to the lower electrodes, are laminated in a structure. A first capping film(190) is formed along a surface of the insulation film pattern of the structure. A second capping film(200) covers the first capping film, such that a void is generated between the structures.
摘要翻译：提供一种制造相变存储器件的方法，用于通过在相变材料膜图案上形成第一和第二封盖膜来防止相变材料膜图案的界面被污染。在衬底（100）上形成具有开口的绝缘膜图案（130）。形成用于埋入开口的下电极（140）。以与该下电极连接的相变材料膜图案（150）和上部电极膜图案（160）层叠而成。沿着结构的绝缘膜图案的表面形成第一覆盖膜（190）。第二封盖膜（200）覆盖第一封盖膜，使得在结构之间产生空隙。

32. 发明公开

KR1020080071345A 식각정지막을 갖는 반도체소자 및 그 제조방법. 无效
标题翻译：具有蚀刻阻挡层的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080071345A
公开(公告)日：2008-08-04
申请号：KR1020070009471
申请日：2007-01-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장경태 , 이주범 , 김도형 , 정재교 , 송흥섭 , 이미영
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/11517 , H01L21/28273 , H01L29/66825 , H01L29/788
摘要： A semiconductor device having an etch-stop layer and a manufacturing method thereof are provided to improve a space margin of an opening by forming a residual etch-stop layer pattern on a bottom surface and a sidewall of the opening. A plurality of parallel gate patterns are formed across an upper surface of a semiconductor substrate(10). A plurality of openings are formed in regions between the gate patterns. Spacers are formed to cover sidewalls of the gate patterns. An impurity ion region is formed by implanting impurity ions into the semiconductor substrate having the spacers. An etch stop layer(64) is formed on the substrate having the impurity region. A carbon-containing layer(67) is formed on the substrate including the etch stop layer. A carbon-containing layer pattern is formed by etching back the carbon-containing layer. An etch stop layer is etched by using the carbon-containing layer pattern as a mask. The carbon-containing layer pattern is removed.
摘要翻译：提供具有蚀刻停止层及其制造方法的半导体器件，以通过在开口的底表面和侧壁上形成残留的蚀刻停止层图案来改善开口的空间裕度。在半导体衬底（10）的上表面上形成多个平行栅极图案。在栅极图案之间的区域中形成多个开口。隔板形成为覆盖栅极图案的侧壁。通过将杂质离子注入到具有间隔物的半导体衬底中来形成杂质离子区域。在具有杂质区域的衬底上形成蚀刻停止层（64）。在包括蚀刻停止层的基板上形成含碳层（67）。通过对含碳层进行回蚀而形成含碳层图案。通过使用含碳层图案作为掩模蚀刻蚀刻停止层。除去含碳层图案。

33. 发明授权

KR100829611B1 스택형 반도체 장치 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：堆叠半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100829611B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060110918
申请日：2006-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장경태 , 이주범 , 정재교 , 송흥섭 , 이미영
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L27/088
摘要： A stack type semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to maintain insulation property between a node contact plug and a word line by preventing a metal material from permeating from the node contact plug to a void. A first gate(30) is formed on a substrate. A first interlayer dielectric(50) is formed on the substrate to cover the first gate. A first active pattern(65) is formed on a portion of the first interlayer dielectric to penetrate the first interlayer dielectric, and is contacted with a portion of the substrate. A second gate(74) is formed on the first active pattern and the first interlayer dielectric. A buffer film(150) is formed on the first active pattern and the first interlayer dielectric to cover the second gate. A second interlayer dielectric(90) is formed on the buffer film. A node contact plug(170) penetrates the first and second interlayer dielectrics and the buffer film and is contacted with a portion of the substrate. The buffer film insulates the second gate from the node contact plug.
摘要翻译：提供堆叠型半导体器件及其制造方法，通过防止金属材料从节点接触插塞渗透到空隙中，以保持节点接触插塞与字线之间的绝缘性。第一栅极（30）形成在基板上。在基板上形成第一层间电介质（50）以覆盖第一栅极。第一有源图案（65）形成在第一层间电介质的一部分上以穿透第一层间电介质，并与衬底的一部分接触。第二栅极（74）形成在第一有源图案和第一层间电介质上。在第一有源图案和第一层间电介质上形成缓冲膜（150）以覆盖第二栅极。在缓冲膜上形成第二层间电介质（90）。节点接触插塞（170）穿透第一和第二层间电介质和缓冲膜并与衬底的一部分接触。缓冲膜将第二栅极与节点接触插塞绝缘。

34. 发明公开

KR1020070048820A 반도체 장치의 배선 구조물 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件中的布线结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070048820A
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：KR1020050105773
申请日：2005-11-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김대웅 , 이주범
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L21/7685 , H01L21/76856
摘要： 향상된 전기적 특성을 갖는 반도체 장치의 배선 구조물 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 적어도 하나의 금속 배선을 형성한 후에, 금속 배선의 상면 및 측면 상에 산화 방지 부재를 형성한다. 산화 방지 부재 상에 HDP-CVD 공정으로 산화물을 증착하여 절연막을 형성한다. 산화 방지 부재는 절연막을 형성하는 동안 금속 배선의 산화를 방지하여 반도체 장치의 전기적 특성을 개선한다.

35. 发明公开

KR1020060088775A 반도체 장치의 층간절연막 형성방법 无效
标题翻译：制造半导体器件的中间层电介质膜的方法
公开(公告)号：KR1020060088775A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050009734
申请日：2005-02-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변경문 , 이주범 , 김도형 , 차용원
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28158 , H01L21/02274 , H01L21/324
摘要： 반도체 장치의 제조에서 매립 특성이 우수한 층간절연막을 형성하는 방법에서는, 먼저 하부 구조물을 갖는 기판 상에 리세스 영역을 갖도록 패터닝된 금속 배선을 형성한다. 이어서, 300 내지 400℃의 온도에서 SiH
4 , O
2 , PH
3 및 H
2 가스를 제공하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착을 수행하여 상기 금속 배선의 리세스 영역을 충분하게 매립시키는 층간절연막을 형성한다. 이로써, 하부에 형성된 게이트 절연막의 전기적인 특성 열화를 줄일 수 있다. 또한, 상기 금속 배선 사이의 리세스 영역을 충분하게 매립한다. 따라서, 본 발명에 의하면 반도체 장치의 신뢰도 및 응답 속도를 향상시키며 수율 향상을 기대할 수 있다.

36. 发明公开

KR1020060015869A 커패시터 제조 방법 失效
标题翻译：制造电容器的方法
公开(公告)号：KR1020060015869A
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：KR1020040064250
申请日：2004-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주범 , 김신혜
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/0207 , H01L27/10817 , H01L27/10852
摘要： 개선된 구조적 안정성을 갖는 커패시터들을 형성하는 방법에 있어서, 매트릭스 형태로 배열된 스토리지 전극들과, 상기 스토리지 전극들의 상부들(upper portions)이 노출되도록 상기 스토리지 전극들을 감싸는 제1 몰드막과 제2 몰드막을 형성한다. 상기 제2 몰드막 및 상기 스토리지 전극들의 상부들 상에 제1 희생층 및 제2 희생층을 형성하여, 상기 스토리지 전극들의 행 방향 및 열 방향으로 상기 스토리지 전극들 사이의 공간들을 매립하고, 상기 스토리지 전극들의 대각선 방향으로 상기 스토리지 전극들 사이에서 리세스들을 형성한다. 상기 제1 희생층 및 제2 희생층으로부터 희생 스페이서들을 상기 스토리지 전극들의 상부들의 측면들 상에 형성하고, 상기 희생 스페이서들을 이용하여 제2 몰드막을 식각하여 스토리지 전극들을 상호 지지하는 안정화 부재를 형성한다. 이어서, 상기 스토리지 전극들 상에 유전막과 플레이트 전극을 형성하여 커패시터들을 완성한다.

37. 发明公开

KR1020050119498A 커패시터 제조 방법 无效
标题翻译：制造方法
公开(公告)号：KR1020050119498A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：KR1020040044605
申请日：2004-06-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김신혜 , 김민 , 이주범
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： 개선된 구조적 안정성을 갖는 커패시터에 있어서, 콘택 영역이 형성된 기판 상에 상기 콘택 영역을 노출시키는 개구를 한정하는 다수의 몰드막들, 연마 저지막 및 마스크 패턴을 형성한 후 상기 콘택 영역 및 상기 개구의 내측면 상에 도전층을 형성한다. 상기 연마 저지막을 노출시키는 화학적 기계적 연마 공정을 수행하여 상기 도전층으로부터 스토리지 전극을 형성하고, 상기 다수의 몰드막들을 부분적으로 제거하여 상기 스토리지 전극과 인접하는 스토리지 전극을 상호적으로 지지하며 상기 스토리지 전극의 상부를 감싸는 안정화 부재를 형성한다. 이어서, 상기 스토리지 전극 상에 유전막을 형성하고, 상기 유전막 상에 플레이트 전극을 형성하여 커패시터를 완성한다. 상기 연마 저지막을 이용하여 스토리지 전극을 형성함으로써, 스토리지 전극들의 높이를 균일하게 할 수 있다.

38. 发明授权

KR100455382B1 듀얼 다마신 구조를 가지는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 有权
标题翻译： 듀얼다마신구조를가지는반도체자자의금속배선형성방듀얼
公开(公告)号：KR100455382B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020013264
申请日：2002-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종명 , 이현덕 , 박인선 , 이주범
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/28562 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L2221/1089
摘要： Methods of forming an integrated circuit device can include forming an interlevel dielectric film on an integrated circuit substrate including a conductive portion thereof. The interlevel dielectric film includes a contact hole therein exposing a portion of the conductive portion of the integrated circuit substrate, and the dielectric film includes a trench therein communicating with the contact hole wherein the trench is in a surface of the interlevel dielectric film opposite the integrated circuit substrate. A first metal layer is formed in the contact hole preferentially with respect to formation of the first metal layer on a surface of the interlevel dielectric film opposite the integrated circuit substrate. After preferentially forming the first metal layer in the contact hole, a second metal layer is formed on the surface of the interlevel dielectric film opposite the integrated circuit substrate.
摘要翻译：形成集成电路器件的方法可以包括在包括其导电部分的集成电路衬底上形成层间电介质膜。层间电介质膜包括其中形成有暴露集成电路衬底的导电部分的一部分的接触孔，并且电介质膜包括其中与接触孔连通的沟槽，其中沟槽位于层叠电介质膜的与集成电路相对的表面中电路基板。第一金属层优选地形成在接触孔中，相对于在层间介电膜的与集成电路衬底相对的表面上形成第一金属层。在接触孔中优先形成第一金属层之后，在层间介电膜的与集成电路衬底相对的表面上形成第二金属层。

39. 发明公开

KR1020040042226A 이동통신 시스템에서 통화 호 설정 방법 无效
标题翻译：移动通信系统中的呼叫设置方法
公开(公告)号：KR1020040042226A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020070408
申请日：2002-11-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주범 , 현승택
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04M3/48 , H04W4/16 , H04W76/10
摘要： PURPOSE: A call setting method in a mobile communication system is provided to connect a caller to the other party immediately when the other party finishes a call communication with a third party by allowing the caller to set an on-hook function. CONSTITUTION: When an origination side mobile terminal transmits a call setup request message to an MSC(Mobile Switching Center)(200), the MSC performs a paging in a position area of a destination side mobile terminal(202). If the MSC recognizes that a channel has been already allocated to the destination side mobile terminal, the MSC transmits a message informing that the destination side mobile terminal is busy to the origination side mobile terminal(204). If a user of the origination side mobile terminal sets an on-hook function(206), the origination side mobile terminal transmits an on-hook state message to the MSC(208). The origination side mobile terminal and the MSC maintain the call setup(210) and the MSC checks whether a channel can be allocated to the destination side mobile terminal(212). If the destination side mobile terminal is in a normal state, the MSC allocates a radio traffic channel for setting up a speech path between the two mobile terminals(214). The MSC transmits an alerting signal to the destination side mobile terminal to request an incoming call setup(216). The MSC sends a call connection sound to the origination side mobile terminal(218). When the MSC receives a call connection request message from the destination side mobile terminal(222), it connects a call between the two mobile terminals(224).
摘要翻译：目的：提供移动通信系统中的呼叫设置方法，通过允许呼叫者设置挂机功能，当另一方完成与第三方的呼叫通信时，立即将呼叫者连接到另一方。构成：当起始侧移动终端向MSC（移动交换中心）（200）发送呼叫建立请求消息时，MSC在目的地侧移动终端（202）的位置区域中执行寻呼。如果MSC识别出信道已经被分配给目的侧移动终端，则MSC发送通知目的地侧移动终端正忙于发起侧移动终端的消息（204）。如果发起侧移动终端的用户设置挂机功能（206），则始发侧移动终端向MSC（208）发送挂机状态消息。始发侧移动终端和MSC维护呼叫建立（210），并且MSC检查信道是否可以被分配给目的地侧移动终端（212）。如果目的地侧移动终端处于正常状态，则MSC在两个移动终端（214）之间分配用于建立语音路径的无线电业务信道。 MSC向目的地侧移动终端发送提醒信号，以请求呼入建立（216）。 MSC向呼叫侧移动终端发送呼叫连接声音（218）。当MSC从目的地侧移动终端（222）接收到呼叫连接请求消息时，它连接两个移动终端（224）之间的呼叫。

40. 发明公开

KR1020030024257A 이동 통신 단말에서 동영상 데이터 실행 방법 失效
标题翻译：用于在移动通信终端中执行移动图像数据的方法
公开(公告)号：KR1020030024257A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：KR1020010057311
申请日：2001-09-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주범
IPC分类号： H04N7/14
CPC分类号： H04N5/93 , H04N19/44
摘要： PURPOSE: A method for executing moving picture data in a mobile communication terminal is provided to promptly execute moving picture data by decoding the moving picture data and executing the decoded moving picture data at the same time. CONSTITUTION: A control part controls a video decoder and a voice decoder to decode moving picture data corresponding to a random section to be executed at an initial stage in executing moving picture data according to a request of a user. An output part executes partial moving picture data to be first executed in the decoded moving picture data. The control part controls the video decoder and the voice decoder to decode moving picture data corresponding to a random section to be executed next during the execution of the moving picture data. The output part executes the decoded partial moving picture data to be executed next.
摘要翻译：目的：提供一种用于在移动通信终端中执行运动图像数据的方法，用于通过解码运动图像数据并同时执行解码的运动图像数据来立即执行运动图像数据。构成：控制部分控制视频解码器和语音解码器，以根据用户的请求，在执行运动图像数据的初始阶段解码对应于要执行的随机部分的运动图像数据。输出部分执行要在解码的运动图像数据中首先执行的部分运动图像数据。控制部分控制视频解码器和语音解码器来解码在执行运动图像数据期间随后要执行的随机部分的运动图像数据。输出部分执行下一个要执行的解码部分运动图像数据。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式