专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明公开

KR1020070045709A 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 失效
标题翻译：电子发射装置及使用其的电子发射显示装置
公开(公告)号：KR1020070045709A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020050102279
申请日：2005-10-28
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전상호 , 이상조 , 조진희 , 안상혁 , 홍수봉 , 제병길
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J9/025 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J31/127
摘要： 본 발명은 전자 방출부별로 에미션 전류량에 차이를 유발하는 외부 요인이 존재할 때 이로 인한 특정 전자 방출부의 전압 강하를 최소화할 수 있는 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극들과 절연되어 위치하는 게이트 전극들과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들을 포함하며, 각각의 캐소드 전극은 기판에 설정되는 단위 화소마다 개구부를 형성하는 주 전극과, 개구부 내측에서 주 전극과 이격되어 위치하며 전자 방출부가 놓이는 다수의 격리 전극들과, 주 전극과 격리 전극들을 전기적으로 연결하는 저항층을 포함한다. 이때 적어도 하나의 격리 전극이 같은 단위 화소에 위치하는 다른 격리 전극에 대해 주 전극과 상이한 이격 거리를 가진다.
전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 저항층, 집속전극, 전압강하
摘要翻译：本发明涉及一种电子发射器件，当存在引起每个电子发射部分的发射电流量的差异的外部因素时，该电子发射器件能够最小化特定电子发射部分的电压降。以及与阴极电连接的多个电子发射部分，其中每个阴极电极为设置在衬底中的每个单位像素形成开口，的主电极和从位于开口内侧的主电极间隔开，并且包括多个隔离的电极和主电极和用于电连接电极部的电子发射被放置在分离的电阻层。此时，至少一个隔离电极具有距主电极到位于相同单位像素中的其他隔离电极的不同距离。

32. 发明公开

KR1020070044175A 전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방출 디바이스 无效
标题翻译：电子发射装置和具有该电子发射装置的电子发射装置
公开(公告)号：KR1020070044175A
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050100195
申请日：2005-10-24
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전상호 , 이상조 , 조진희 , 안상혁 , 홍수봉 , 제병길
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J1/304 , H01J3/022 , H01J31/127
摘要： 본 발명은 전자 방출 균일도 및 전자빔 집속 효율을 개선할 수 있는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 절연층 패턴을 사이에 두고 순차적으로 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극, 제1 전극과 제2 전극을 연결하는 저항층, 및 제2 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부를 포함한다.
전자방출소자, 캐소드전극, 절연층패턴, 저항층, 게이트전극

33. 发明公开

KR1020070041126A 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 无效
公开(公告)号：KR1020070041126A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020050096927
申请日：2005-10-14
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전상호 , 이상조 , 조진희 , 안상혁 , 홍수봉
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
摘要： 본 발명은 전자빔 집속 효율을 높이기 위해 집속 전극의 개구부 형상을 개선한 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 기판과, 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 기판 위에 제공되어 전자 방출부들의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들 및 구동 전극들 상부에 위치하면서 다수의 전자 방출부들을 동시에 포괄하는 개구부를 형성하는 집속 전극을 포함한다. 이때 집속 전극 개구부는 각 전자 방출부에 대응하여 위치하는 개별 집속부들과, 개별 집속부들 사이에서 전자 방출부들의 배열 방향을 따라 일정한 길이를 가지며 형성되는 포괄 집속부를 포함한다.
집속전극, 개구부, 전자방출부, 개별집속부, 포괄집속부

34. 发明公开

KR1020070019836A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020070019836A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050073773
申请日：2005-08-11
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전상호 , 이천규 , 이상조 , 안상혁 , 홍수봉
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J31/127 , H01J29/32 , H01J29/481 , H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
摘要： 본 발명은 발광 효율을 향상할 수 있도록 설계된 전자 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명의 전자 방출 소자는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에서 서로 절연 상태를 유지하며 형성되는 제1 전극 및 제2 전극과, 제1 전극과 제2 전극 중 어느 한 전극에 형성되는 전자 방출부와, 제2 기판에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극의 어느 일면으로 형성되는 형광층을 포함한다. 여기서, 제1 전극과 제2 전극의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하고, 각 화소 영역에 대응하는 형광층의 면적을 A, 각 화소 영역에 대응하여 제2 기판에 도달한 전자빔 스폿의 면적을 B라 할 때, 형광층의 면적과 전자빔 스폿의 면적이 0.9 ≤ B/A ≤ 1.4 인 조건이 만족된다.
전자 방출 소자, 형광층, 전자빔, 스폿, 전자 방출부

35. 发明公开

KR1020070014680A 전자 방출 소자 无效
标题翻译：电子发射装置
公开(公告)号：KR1020070014680A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069514
申请日：2005-07-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이상조 , 이천규 , 전상호 , 안상혁 , 홍수봉 , 신종훈
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
摘要： An electron emission device is provided to concentrate electric field on an electron emission unit and enhance emission efficiency by forming an opening at the electron emission unit. A first and second substrates(10,20) are disposed opposite to each other. A cathode electrode(110) is formed on the first substrate. An insulating layer(112) having an opening(112a) and a gate electrode(114) having an opening(114a) are formed on the cathode electrode. An electron emission unit(116) is formed on the cathode electrode within the opening. The electron emission unit includes an opening in order to form at least two edges thereon.
摘要翻译：提供一种电子发射装置，用于将电场集中在电子发射单元上，并通过在电子发射单元处形成开口来提高发射效率。第一和第二基板（10,20）彼此相对设置。阴极电极（110）形成在第一基板上。在阴极上形成具有开口（112a）和具有开口（114a）的栅电极（114）的绝缘层（112）。在开口内的阴极上形成电子发射单元（116）。电子发射单元包括用于在其上形成至少两个边缘的开口。

36. 发明公开

KR1020070014626A 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 无效
标题翻译：电子发射装置和使用该电子显示装置的电子显示装置
公开(公告)号：KR1020070014626A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069430
申请日：2005-07-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 신종훈 , 이천규 , 안상혁
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
摘要： An electron emission device and an electron emission display device using the same are provided to enhance electron beam focusing efficiency by moving a position of an electron emission unit to a center of a corresponding pixel. An electron emission unit(12) is formed on substrates(2,4). A first and second electrodes(6,10) are disposed in an insulating state on the substrates in order to control emission of electrons of the electron emission unit. A third electrode(14) is formed on the first electrode and the second electrode in order to focus electron beams. The electron emission unit is exposed on the substrate by using an opening provided on the third electrode of the electrodes. One or more openings are formed at each pixel region on the substrate. The electron emission unit is separated from a center axis of the corresponding opening.
摘要翻译：提供电子发射装置和使用其的电子发射显示装置，以通过将电子发射单元的位置移动到对应像素的中心来增强电子束聚焦效率。电子发射单元（12）形成在基片（2,4）上。第一和第二电极（6,10）以绝缘状态设置在基板上，以便控制电子发射单元的电子的发射。为了聚焦电子束，在第一电极和第二电极上形成第三电极（14）。通过使用设置在电极的第三电极上的开口将电子发射单元暴露在基板上。在基板上的每个像素区域形成一个或多个开口。电子发射单元与对应的开口的中心轴分离。

37. 发明公开

KR1020060124975A 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：电子发射装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060124975A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020050046696
申请日：2005-06-01
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이상조 , 이천규 , 안상혁 , 홍수봉
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
摘要： An electron emission device and a method for manufacturing the same are provided to suppress short circuit between an electron emission part and an opposing electrode by forming an opening of a first exposure mask and an opening of a second exposure mask in different width values. A gate electrode(4) and an insulating layer(6) having a via-hole are formed on a substrate(2). An opposing electrode(18) and a cathode electrode(16) are formed by laminating a first and second electrode layers on the insulating layer. A first electrode layer(100) of the cathode electrode is projected to the opposing electrode. A first sacrificial layer is formed on the substrate. A part of a second electrode layer(120) of the opposing electrode is exposed by forming an opening. The exposed part of the second electrode layer is removed therefrom. A second sacrificial layer is formed on the substrate. A part of the second electrode layer of the cathode electrode is exposed by forming an opening. The exposed part of the second electrode layer is removed therefrom. An electron emission part(38) is formed between the cathode electrode and the opposing electrode. A gap is formed between the electron emission unit and the opposing electrode by removing the first electrode layer of the opposing electrode exposed on the substrate. The width of the opening of the second sacrificial layer is smaller than the width of the opening of the first sacrificial layer.
摘要翻译：提供电子发射器件及其制造方法，通过以不同的宽度值形成第一曝光掩模的开口和第二曝光掩模的开口来抑制电子发射部分和对置电极之间的短路。在基板（2）上形成具有通孔的栅电极（4）和绝缘层（6）。通过在绝缘层上层叠第一和第二电极层，形成对置电极（18）和阴极电极（16）。阴极电极的第一电极层（100）突出到相对电极。在基板上形成第一牺牲层。通过形成开口来暴露对置电极的第二电极层（120）的一部分。第二电极层的暴露部分被去除。在基板上形成第二牺牲层。阴极电极的第二电极层的一部分通过形成开口而露出。第二电极层的暴露部分被去除。在阴极电极和对置电极之间形成电子发射部分（38）。通过去除暴露在基板上的相对电极的第一电极层，在电子发射单元和相对电极之间形成间隙。第二牺牲层的开口的宽度小于第一牺牲层的开口的宽度。

38. 发明公开

KR1020060104700A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060104700A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050027054
申请日：2005-03-31
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 안상혁 , 이상조 , 홍수봉 , 전상호 , 이천규
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
摘要： 본 발명은 전자 방출부와 집속 전극의 개구부 배열을 최적화하여 전자빔 퍼짐을 억제하고, 애노드 전계 차단에 효과가 있으며, 전자 방출량을 높일 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향하여 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에서 서로 절연된 상태로 배치되는 제1 전극들 및 제2 전극들과, 제 1 또는 제 2 전극들과 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 제1 전극들 또는 제2 전극들 상부에 형성되며 전자빔 통과를 위한 개구부를 구비하는 집속 전극을 포함한다. 여기서, 집속 전극은 1개의 화소 영역당 적어도 2개의 개구부를 구비하고, 적어도 2개의 전자 방출부가 각각의 집속 전극 개구부 내측에 대응하여 위치한다.
전자 방출 소자, FEA, 집속 전극, 절연층, 개구부

39. 发明公开

KR1020060104659A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060104659A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026992
申请日：2005-03-31
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 홍수봉 , 이천규 , 이상조 , 전상호 , 안상혁
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J29/04 , H01J1/304 , H01J31/127
摘要： 본 발명은 전자 방출부에서 방출된 전자들을 집속시키는 동시에 화소별 전자방출 특성을 균일하게 제어할 수 있는 구조를 마련한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과; 전압이 인가되는 주 전극과, 주 전극 내부에서 주 전극과 이격되어 위치하며 비아 홀을 형성하는 보조 전극과, 주 전극과 보조 전극 사이에 형성되는 저항층을 구비하는 캐소드 전극들과; 비아 홀 내측에서 보조 전극보다 낮은 높이로 형성되며, 그 측면이 보조 전극의 측면과 접촉하는 전자 방출부와; 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 상부에 위치하며, 전자 방출부를 개방시키기 위한 개구부를 갖는 게이트 전극들과; 제2 기판 위에 형성되는 형광층 및 형광층의 일면에 배치되는 애노드 전극을 포함한다.
전자방출, 캐소드전극, 비아 홀, 게이트전극, 집속전극, 애노드전극, 형광층

40. 发明公开

KR1020060104655A 전자 방출 소자 无效
公开(公告)号：KR1020060104655A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026988
申请日：2005-03-31
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 홍수봉 , 이천규 , 이상조 , 전상호 , 안상혁
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/304 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/127
摘要： 본 발명은 전자 방출부에서 방출된 전자들을 집속시키는 동시에 화소별 전자방출 특성을 균일하게 제어할 수 있는 구조를 마련한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 전자 방출 소자는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 일 방향으로 형성되는 제1 전극부 및 제1 기판 위에서 제1 전극부와 간격을 두고 배치되는 제2 전극부로 이루어진 캐소드 전극들과, 제2 전극부 위에 연결되는 전자 방출부와, 전자 방출부 보다 높게 형성되면서 전자 방출부를 둘러싸고, 제1 전극부와 제2 전극부를 연결하는 저항층과, 전자 방출부를 개방시키는 개구부를 갖는 절연층을 사이에 두고, 캐소드 전극들 위에 형성되는 게이트 전극들과, 제2 기판 위에 형성되는 형광층 및 형광층의 일면에 배치되는 애노드 전극을 포함한다.
전자방출, 집속, 캐소드 전극, 제1 전극부, 제2 전극부, 저항층, 게이트전극

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式