会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 33. 发明公开
    • 이산화탄소 환원 전극 및 이의 제조방법
    • 二氧化碳还原电极及其制备方法
    • KR1020160010070A
    • 2016-01-27
    • KR1020140090895
    • 2014-07-18
    • 한국과학기술연구원
    • 민병권고재현황윤정
    • C25B11/00C25B11/04
    • Y02P20/135C25B11/00C25B11/04
    • 본발명은화석연료를대체하기위한청정연료개발의일환으로간주되는전기화학적/광전기화학적이산화탄소환원반응에서전기화학촉매로응용될수 있는금속(예: 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는아연(Zn)) 전극을나노구조화시켜성능을개선시킬수 있는방법에관한것으로서, 간단하고저비용의산소플라즈마공정을통해넓은표면적과많은활성자리들을갖는이산화탄소환원촉매를제작하고이를통해전체적인이산화탄소환원반응의효율과안정성을향상시킬수 있는전극의제조방법에관한것이다.
    • 二氧化碳还原电极及其制备方法技术领域本发明涉及一种二氧化碳还原电极及其制备方法,更具体地,涉及通过纳米金属(金(Au),银(Ag),铜(Cu) ,或锌(Zn))电极,其可以用作电化学/光电化学二氧化碳还原反应中的电化学催化剂,其被认为是开发清洁燃料以代替化石燃料的一部分。 制备二氧化碳还原电极的方法通过简单和低成本的氧等离子体工艺制造具有大表面积和多个活性部位的二氧化碳还原催化剂,从而可以提高整体的效率和稳定性 二氧化碳还原反应。
    • 37. 发明公开
    • 용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법
    • 大容量无机无机薄膜太阳能电池的制造
    • KR1020120140078A
    • 2012-12-28
    • KR1020110059713
    • 2011-06-20
    • 한국과학기술연구원
    • 민병권김재훈박세진김창수하정명
    • H01L31/18H01L31/072
    • Y02E10/50Y02P70/521H01L31/18H01L31/072
    • PURPOSE: A method for manufacturing a bulk hetero junction inorganic thin film solar cell based on a solution process is provided to improve solar cell efficiency by minimizing a moving distance between an electrode and electrons or holes by a bulk hetero junction. CONSTITUTION: A ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink is obtained by adding polymer binder after the n type semiconductor nanoparticle dispersion solutions are mixed with Cu, In, and Ga precursor solutions(101). After a conductive substrate is coated with ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink(102), a ClG oxide-n type semiconductor mixed thin film is made by a thermal process under an air or oxygen atmosphere(103). Sulfurization or selenization ClGS-n type semiconductor thin film is made by thermally processing the ClG oxide thin film under sulfurization or selenization gas atmosphere(104). [Reference numerals] (100) Cu, In, Ga precursor; (101) CIG precursor-N type semiconductor nanoparticles mixing paste; (102) Mixed paste coating; (103) Thermal process 1 ClG-N type semiconductor mixed thin film; (104) Thermal process 2 sulfurization or selenization CIGS-N type semiconductor mixed thin film; (105) Manufacturing a device
    • 目的:提供一种用于制造基于溶液工艺的体异质结无机薄膜太阳能电池的方法,以通过使体异质结最小化电极与电子或空穴之间的移动距离来提高太阳能电池的效率。 构成:在n型半导体纳米颗粒分散液与Cu,In和Ga前体溶液(101)混合之后,通过加入聚合物粘合剂获得ClG前体n型半导体纳米颗粒糊或油墨。 在用ClG前体n型半导体纳米粒子糊剂或墨水(102)涂覆导电性基材之后,通过在空气或氧气氛下的热处理(103)制造ClG氧化物n型半导体混合薄膜。 硫化或硒化ClGS-n型半导体薄膜是通过在硫化或硒化气体气氛下热处理ClG氧化物薄膜制成的(104)。 (100)Cu,In,Ga前体; (101)CIG前驱体-N型半导体纳米粒子混合糊剂; (102)混合糊涂; (103)热工艺1 ClG-N型半导体混合薄膜; (104)热处理2硫化或硒化CIGS-N型半导体混合薄膜; (105)制造设备