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21. 发明公开

KR1020150127210A 소결된 나노결정 합금 审中-实审
标题翻译：烧结纳米晶体合金
公开(公告)号：KR1020150127210A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020157028190
申请日：2014-03-14
申请人： 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지
发明人： 슈크리스토퍼에이. , 박만수
IPC分类号： B22F3/10 , B22F1/00 , C30B29/00
CPC分类号： B22F3/10 , B22F1/0044 , B22F2998/10 , C22C1/045
摘要： 일실시예에서나노결정합금을형성하기위해복수의나노결정미립자를소결하는단계를포함하는방법이제공되며, 나노결정미립자중 적어도일부는제1 금속재료와제2 금속재료를포함하는비 평형페이즈를포함하고, 제1 금속재료는제2 금속재료내에용해성일수 있다. 소결된나노결정합금은벌크나노결정합금을포함할수 있다.

22. 发明授权

KR101200590B1 지르코니아의 변색 방법 有权
标题翻译：改变氧化锆颜色的方法
公开(公告)号：KR101200590B1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：KR1020090133046
申请日：2009-12-29
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 송오성 , 노병춘
IPC分类号： C30B29/00
摘要： 간단한 열처리 공정만으로 지르코니아의 색을 반영구적으로 변화시킬 수 있는 지르코니아의 변색 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 지르코니아(100)의 변색 방법은 지르코니아(100)를 진공 분위기, 환원성 분위기, 산화성 분위기 중 어느 하나의 분위기에서 열처리하여 지르코니아(100)의 색을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
지르코니아, 큐빅 지르코니아, 변색 방법, 인조 보석

23. 发明授权

KR101126086B1 금속 단결정 나노플레이트 및 그 제조방법 有权
标题翻译：单晶金属纳米板及其制备方法
公开(公告)号：KR101126086B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020090089527
申请日：2009-09-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김봉수 , 유영동
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , C30B29/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B22F1/0055 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F9/30 , B22F2001/0037 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/24413
摘要： 본 발명은 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 선구물질로 이용한 금속 나노플레이트(metal nano-plate)의 제조방법으로, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 금속 나노플레이트(nano-plate)가 형성되는 특징이 있다.
본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 제조할 수 있으며, 그 공정이 간단하고 재현성있으며, 제조된 나노플레이트가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 고 결정성 및 고순도 단결정 상태의 귀금속 나노플레이트인 장점을 가지며, 단결정 기판의 표면 방향을 제어하여 금속 나노플레이트의 형상 및 단결정 기판과의 배향성을 제어할 수 있는 장점을 가지며, 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
나노플레이트, 귀금속, 금속, 기상이송법, 기상합성법, 무촉매

24. 发明公开

KR1020110094178A 그라핀 필름의 제어된 성장 방법 有权
标题翻译：石墨膜的控制生长方法
公开(公告)号：KR1020110094178A
公开(公告)日：2011-08-22
申请号：KR1020117011250
申请日：2009-10-16
申请人： 에꼴레 폴리테크닉 , 상뜨로 나쇼날 드 라 러쉐르쉐 샹띠피크
发明人： 바라똥로랑 , 코조카루코스텔-소린 , 프리바디디에
IPC分类号： C23C16/02 , C30B25/02 , C30B29/00 , C01B31/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/02 , C01B32/182
摘要： 본 발명은 그라핀 필름의 제어된 성장을 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 하기 단계들을 포함하는 것을 특징으로 한다: 몰 농도의 임계비 C
M /C
M +C
C (여기서, C
M 은 금속/탄소 혼합물에서의 금속의 몰 농도이고 C
C 는 상기 혼합물에서의 탄소의 몰 농도임) 초과시 고체의 균일한 조성물이 획득될 수 있도록, 기판 (S
1 ) 의 표면에, 탄소와 함께 상평형도를 가지는 금속 층을 형성하는 단계; 금속 중의 탄소의 고체 용액을 획득하기 위해서 획득된 몰 농도 비가 임계비를 초과하도록, 금속 층을 소정 온도에서 탄소 원자들 또는 탄소 라디칼들 또는 탄소 이온들의 제어된 흐름에 노출시키는 단계; 혼합물의 상을 금속 및 그라파이트의 2개의 상들로 변경하여, 탄소 원자들을 포함하는 금속 층과 기판의 계면에서 적어도 하나의 하부 그라핀 필름 (31) 을 형성하고, 금속 층의 표면에서 상부 그라핀 필름 (30) 을 형성하는 단계.

25. 发明公开

KR1020100033950A 금속 단결정 나노플레이트 및 그 제조방법 有权
标题翻译：单晶金属纳米材料及其制备方法
公开(公告)号：KR1020100033950A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：KR1020090089527
申请日：2009-09-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김봉수 , 유영동
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , C30B29/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B22F1/0055 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F9/30 , B22F2001/0037 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/24413
摘要： PURPOSE: A metal firm crystallization nanoplate and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a transition metal binary alloy nanoplate, a noble metal nanoplate, a noble metal binary alloy nanoplate, and a transition metal nanoplate using a vapor phase transport process without using a catalyst. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal firm crystallization nanoplate comprises the following steps: heat-processing a precursor including a metal material, metal halide or their compound at the front-end of a furnace, and a mono crystal substrate positioned at the back-end of the furnace under the flow of inert gas; and forming a single crystalline metal nano plate on the mono crystal substrate. The single crystalline metal nano plate is in a form of a sheet with various angles.
摘要翻译：目的：提供金属公司的结晶纳米板及其制造方法，以制造过渡金属二元合金纳米板，贵金属纳米板，贵金属二元合金纳米板和使用不使用催化剂的气相输送方法的过渡金属纳米板。构成：金属结晶纳米板的制造方法包括以下步骤：在炉前部对包含金属材料，金属卤化物或其化合物的前体进行加热处理，以及位于后端的单晶基板，炉底在惰性气体流下; 并在单晶衬底上形成单晶金属纳米板。单晶金属纳米板是具有各种角度的片材的形式。

26. 发明授权

KR100592741B1 탄화규소성형체 有权
标题翻译：硅碳化硅制造
公开(公告)号：KR100592741B1
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1019980035466
申请日：1998-08-31
申请人： 도카이 카본 가부시키가이샤
发明人： 구로야나기아키히로 , 야스나카도미야 , 우시지마유지 , 가나이겐이치
IPC分类号： C30B29/00
摘要： 본 발명은 강도 특성 및 열 특성이 뛰어난 CVD-SiC 성형체로 포함하는 탄화규소 성형체를 제공한다. CVD법에 의해 제작한 SiC 성형체(CVD-SiC 성형체)로서, SiC 결정 성장 방향의 열전도율이 100∼300W/m·K 범위이고, 내부 조직의 평균 입자 직경이 4∼12㎛인 탄화규소 성형체를 제공한다. SiC 결정 성장 방향의 열전도율과 그것과 직각 방향의 열전도율과의 비가 1.10∼1.40인 것이 바람직하다.

27. 发明公开

KR1020010046624A 에르븀과 이터비움 이온이 주입된이트리움칼슘옥시보레이트 화합물 및 결정 성장방법,그리고 이러한 결정을 사용하여 제조된 광기능 소자 失效
标题翻译：铬和铝离子镀铝白云母氧化物化合物，其晶体生长方法和使用晶体制备的光学器件
公开(公告)号：KR1020010046624A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990050460
申请日：1999-11-13
申请人： 한국화학연구원
发明人： 유영문 , 정석종 , 이성영 , 아게예프알렉산더유
IPC分类号： C30B29/00
CPC分类号： C01F17/0012 , C30B15/203 , C30B29/10
摘要： PURPOSE: A crystalline solid material, a method for growing its crystal, an optical device prepared by using the crystal, and a method for preparing the optical device are provided, which solid material is erbium and ytterbium ions-doped ytterbium calcium oxyborate. CONSTITUTION: The crystalline solid material is represented by the formula: (Er(x)Yb(y)Y(1-x-y))Ca(4+z)B3O(10+z), wherein x is 0.005-0.10, y is 0.005-0.30 and z is 0.00-0.5. The crystal of the solid material is grown with the temperature gradient of 5-300 deg.C/cm by Czochralski method with the increasing velocity of 0.1-10mm/hr and the rotation velocity of 0-70 rpm. A YCa4O(BO3)3 crystal is used as a crystal seed. The solid material crystal is single crystal or thin film crystal. The optical device is a 1.5-1.6 micrometers laser generating device, a nonlinear optical device, a self frequency doubling device or a range finding device.
摘要翻译：目的：提供一种结晶固体材料，其晶体生长方法，使用晶体制备的光学器件，以及制备该光学器件的方法，该固体材料是铒和镱离子掺杂的硼酸镱钙矾土。结构：结晶固体材料由下式表示：（Er（x）Yb（y）Y（1-xy））Ca（4 + z）B3O（10 + z），其中x为0.005-0.10，y为 0.005-0.30，z为0.00-0.5。固体材料的晶体通过Czochralski法以5-300摄氏度/厘米的温度梯度生长，其速度为0.1-10毫米/小时，旋转速度为0-70转/分钟。使用YCa4O（BO3）3晶体作为晶种。固体材料晶体是单晶或薄膜晶体。光学装置是1.5-1.6微米的激光产生装置，非线性光学装置，自倍频装置或测距装置。

28. 发明公开

KR1019990029850A 기능성입자분산형 박막, 그래뉼형 자성박막 및 그 제조방법 失效
标题翻译：功能粒子分散型薄膜，粒状磁性薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990029850A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980038245
申请日：1998-09-16
申请人： 히로쯔 요시히꼬 , 알프스 덴키 가부시키가이샤
发明人： 히로쯔요시히꼬 , 뱐보우 , 마끼노아끼히로
IPC分类号： C30B23/08 , C30B29/00 , H01F10/14 , C22C38/00
摘要： 결정배향성이 양호한 기층부재 상 또는 결정배향성이 양호한 하부층 상에, 상기 기층부재 또는 하부층의 결정배향성에 일치하도록 각각 기층부재 또는 하부층에 대하여 에피택시얼 성장된 복수의 종결정입자가 분산형성되고, 복수의 종결정입자의 주위에, 각각의 종결정입자를 둘러싸도록 각각의 종결정입자에 대하여 에피택시얼 성장되어 형성된 기능성입자가 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 기능성입자분산형 박막, 그래뉼형 자성박막 및 그 제조방법.

29. 发明授权

KR100177514B1 산업용 결정체를 성장시키는 방법 失效
标题翻译：工业晶体生长方法
公开(公告)号：KR100177514B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960018431
申请日：1996-05-29
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 미로슬라브비치르 , 데이비드사무엘후버
IPC分类号： C30B29/00
CPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/40 , C30B29/403
摘要： 본 발명은 큰 단결정체를 생산하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법의 초기 단계에서, 다수의 단결정 웨이퍼는 결정지형학적으로 배향되어 패턴화된 시드 플레이트를 형성한다. 패턴화된 시드 플레이트는 선택적으로 부식되어 맨 표면의 시드 플레이트를 노출시킨다. 노출되고, 패턴화된 시드 플레이트의 맨표면은 부식되어 다수의 핵형성 구조물을 형성한다. 핵형성 구조물 각각은 시드 플레이트의 표면 아래에서 밖을 향하여 돌출하고, 큰 단결정이 성장하기에 이상적인 구조물을 제공한다. 산출된 큰 단결정은 부식, 물리적 또는 화학적 수단에 의해 시드 결정체에서 분리된다.

30. 发明公开

KR1019960041432A 산업용 결정체를 성장시키는 방법 失效
标题翻译：如何种植工业晶体
公开(公告)号：KR1019960041432A
公开(公告)日：1996-12-19
申请号：KR1019960018431
申请日：1996-05-29
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 미로슬라브비치르 , 데이비드사무엘후버
IPC分类号： C30B29/00
摘要： 본 발명은 큰 단결정체를 생산하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법의 초기 단계에서, 다수의 단결정 웨이퍼는 결정지형학적으로 배향되어 패턴화된 시드 플레이트를 형성한다. 패턴화된 시드 플레이트는 선택적으로 부식되어 맨 표면의시드 플레이트를 노출시킨다. 노출되고, 패턴화된 시드 플레이트의 맨표면은 부식되어 다수의 핵형성 구조물을 형성한다.핵형성 구조물 각각은 시드 플레이트의 표면 아래에서 밖을 향하여 돌출하고, 큰 단결정이 성장하기에 이상적인 구조물을제공한다. 산출된 큰 단결정은 부식, 물리적 또는 화학적 수단에 의해 시드 결정체에서 분리된다.

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