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21. 发明授权

KR100326107B1 압접형 반도체 소자 및 전력 변환 장치 有权
标题翻译：压力焊接型半导体器件和功率转换器
公开(公告)号：KR100326107B1
公开(公告)日：2002-03-07
申请号：KR1019990019285
申请日：1999-05-27
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 고다니가즈야 , 마쓰모도도시아끼 , 도비따마사유끼
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L24/72 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/30107 , H01L2924/00
摘要： 2중링형상게이트도체(9)는게이트전극(2a)에접속된제 1 링형상게이트도체(7)와, 제 2 링형상게이트도체(8)와, 제 1 링형상게이트도체(7)와제 2 링형상게이트도체(8)를접속하는접속도체(13)로구성하고, 제 1 링형상게이트도체(7)와제 2 링형상게이트도체(8)와캐소드포스트전극(4)을자기/상호인덕턴스에의한전압강하가같아지도록구성함으로써, 각단위소자(세그먼트)를통하는병렬인덕턴스를거의균등화할수있어서, 소자면내의게이트전류분포를거의균등화할수 있다.

22. 发明授权

KR100305238B1 ESD보호를위한실리콘제어정류기 失效
公开(公告)号：KR100305238B1
公开(公告)日：2001-09-24
申请号：KR1019960705178
申请日：1996-01-03
申请人： 내셔널 세미콘덕터 코포레이션
发明人： 첸훙쉥 , 슈친민 , 텡씨에스
IPC分类号： H01L29/74
摘要： 실리콘 제어 정류기 (SCR) 구조체는 거의 4-10V 의 약하게 도핑된 확산 (LDD) 접합 항복 전압에 의해 트리거된다. 이 SCR 구조체는 자기장 플레이트 다이오드와 종래의 SCR 기준의 ESD 보호 회로에 존재하는 저항 2 차 보호 소자의 필요성을 제거하여, 신호선상의 RC 지연을 최소화하고 회로 크기를 감소시킨다. 이 SCR 구조체의 공정은 CMOS 공정에 필적하고 서브미크론 기술과 비교가능하다.

23. 发明授权

KR100301549B1 매크로셀어레이용정전기방전보호장치 失效
标题翻译：用于大单元阵列的静电放电保护装置
公开(公告)号：KR100301549B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019970708186
申请日：1996-05-13
申请人： 사르노프 코포레이션
发明人： 에이버리,레슬리,로날드
IPC分类号： H01L29/74
摘要： 본 발명은 바람직한 회로를 형성하도록 접속된 복수개의 개별적인 회로 셀로 구성된 집적 회로용 정전기 방전(ESD)보호 회로에 관한 것이다. 바람직하게 상호 근접하여 간격지워진 한 쌍의 버스 라인은 상기 회로 셀로 구성된 회로 주변에서 연장된다. 복수개의 정전기 방전(ESD)보호 회로는 전기적으로 상기 버스 라인 사이에서 서로 일정 간격 이격되어, 바람직하게는 보호되어야 할 회로의 전기적 접속부에 근접하여 접속된다.

24. 发明公开

KR1020010073734A 웨이브가이드 광 싸이리스터 失效
标题翻译：波导型光电传感器
公开(公告)号：KR1020010073734A
公开(公告)日：2001-08-03
申请号：KR1020000002550
申请日：2000-01-20
申请人： 최영완
发明人： 최영완 , 이정준 , 김두근
IPC分类号： H01L29/74
摘要： PURPOSE: A waveguide-type optical thyristor is provided to enable a fast switching, maximize characteristic of a unitary device and increase optical absorption efficiency and lasing effect. CONSTITUTION: An N+ layer having a larger energy band gap is connected to a grounding metal. A p layer having a smaller energy band gap is grown in a stacked structure on an upper part of an electrode semiconductor layer. An n layer having a smaller energy band gap is grown in a stacked structure on an upper part of the p layer. A P+ layer having a larger energy band gap is grown in a stacked structure on an upper part of the n layer. The N+ layer is connected to the earth and includes a substrate. The first thyristor is structured in a waveguide form which has four layers of P+-n-p-N+ on a left side of the substrate. The second thyristor is structured in a waveguide form which has four layers of P+-n-p-N+ on a right side of the substrate. A metal film is connected to a load resistance which is connected to a battery to receive a predetermined voltage, and is installed on the P+ layers of the second thyristor and the first thyristor.
摘要翻译：目的：提供一种波导型光晶闸管，以实现快速切换，最大限度地提高整体设备的特性，增加光吸收效率和激光效应。构成：具有较大能带隙的N +层连接到接地金属。具有较小能带隙的p层在层叠结构中生长在电极半导体层的上部。具有较小能带隙的n层以层叠结构生长在p层的上部。具有较大能带隙的P +层在层叠结构中生长在n层的上部。 N +层连接到地球并且包括基板。第一晶闸管以波导形式构成，其在衬底的左侧具有四层P + -n-p-N +。第二晶闸管以波导形式构成，其在衬底的右侧具有四层P + -n-p-N +。金属膜连接到负载电阻，该负载电阻连接到电池以接收预定电压，并且安装在第二晶闸管和第一晶闸管的P +层上。

25. 发明公开

KR1020010068222A 코너 게이트형 사이리스터 소자 失效
标题翻译：角钢门式电机装置
公开(公告)号：KR1020010068222A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000028
申请日：2000-01-03
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 정종원 , 이병용
IPC分类号： H01L29/74
摘要： PURPOSE: A corner gate type thyristor device is provided to minimize the invalid current component and enhance trigger characteristic by expanding a cathode area along outline of gate electrodes positioned in respective corners to surround the gate electrodes with the cathode area. CONSTITUTION: A P-type gate area(6) and an anode area(5) are respectively formed on first and second surfaces(2,3) of an N-type semiconductor substrate(1). A P+ type device isolation area(4) is formed on the substrate(1) and the anode area(5). An N+ type cathode area(7) surrounding an area to become a gate electrode is formed on the gate area(6), and a gate electrode(9) is formed on the gate area(6) surrounded by the cathode area(7). A cathode(10) is formed on the cathode area(7). An anode(8) is formed on the anode area(5). In this structure, the cathode(10) is used as a reference electrode, and practical voltage appliance is performed through the anode(8).
摘要翻译：目的：提供一种角栅型晶闸管器件，以通过沿位于各个角落的栅电极的轮廓扩大阴极区域来围绕具有阴极区域的栅电极来最小化无效电流分量并增强触发特性。构成：在N型半导体衬底（1）的第一和第二表面（2,3）上分别形成P型栅极区域（6）和阳极区域（5）。在衬底（1）和阳极区（5）上形成P +型器件隔离区（4）。在栅极区域（6）上形成围绕成为栅电极的区域的N +型阴极区域（7），在由阴极区域（7）包围的栅极区域（6）上形成栅电极（9）。阴极（10）形成在阴极区（7）上。阳极（8）形成在阳极区域（5）上。在该结构中，阴极（10）用作参考电极，通过阳极（8）进行实用的电压装置。

26. 发明授权

KR100276773B1 쌍방향사이리스터소자 失效
标题翻译：双向晶闸管元件
公开(公告)号：KR100276773B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980005080
申请日：1998-02-19
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 마리야나미쓰루
IPC分类号： H01L29/74
摘要： 동일 N형 실리콘기판(29)상에 형성된 쌍방향포토사이리스터(30)는 한쪽의 사이리스터(36)의 P게이트확산영역(33)과 대향하는 다른 사이리스터(46)의 애노드확산영역(42) 사이의 거리(L)를 40-1000μm, 더 바람직하게는 70-600μm로 하여, 기생하는 저항 또는 접합용량에 의한 미분회로에 의해 노이즈에 의한 오동작을 감소시킨다. P게이트확산영역(33)과, 애노드확산영역(42) 사이의 필드부에는 SiO
2 막(59)을 통해 산소 도프 반절연막(61)이 형성되며, Al배선(58)이 제거되어 필드수광부(39)를 형성한다. 필드수광부(39)는 P게이트확산영역(33)에 형성된 P게이트수광부(31)와 같이 접합용량을 수반하지 않게되어, dV/dt 내성의 저하를 초래하지 않고 광감도를 향상시킬 수 있다.

27. 发明授权

KR100274483B1 고속 턴오프 다이리스터 구조 失效
标题翻译：高速关断晶闸管结构
公开(公告)号：KR100274483B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019930701128
申请日：1991-10-16
申请人： 해리스 코포레이션
发明人： 헤일먼,랜디,티이. , 프렌티스,존,에스.
IPC分类号： H01L29/74
摘要： 다이리스터 온에 따라 양극게이트영역(15, 28) 주위의 캐리어를 분로하기 위해 양극단자에 전기적으로 연결된 음극게이트영역(13)에 있는 제1활성분로영역(20,22)을 포함하고, 다이리스터온에 따라 음극게이트영역(13,28) 주위의 캐리어를 분로하기 위해 음극단자에 전기적으로 연결된 양극게이트영역(15)에 있는 제2분로영역을 포함하는 고속 턴오프 다이리스터.
상기 활성분로는 다이리스터가 턴오프된 후까지 동작하지 않는다. 활성분로는 PNPN 다이리스터인 한쌍의 상호 연결된 트랜지스터(Q
1 ,Q
2 )와 병렬로 구성된 트랜지스터(Q
3 ,Q
4 )이다.

28. 发明公开

KR1020000031674A 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 모듈 无效
标题翻译：绝缘栅双极晶体管模块
公开(公告)号：KR1020000031674A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980047825
申请日：1998-11-09
申请人： 페어차일드코리아반도체 주식회사
发明人： 김호현 , 김남진
IPC分类号： H01L29/74
摘要： PURPOSE: An IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) module is provided to repress a parasitic vibration without using an additional silicon resistance. CONSTITUTION: An IGBT module has a substrate(200) settled on a hit sink(100), and the substrate is divided into two blocks(A',B') to increase a rated current capacitance. Two IGBT chips(310,320) are aligned in parallel in the block(A'), while aligning two diodes(410,420) in parallel to correspond to each IGBT chip. The diodes form a current channel for the recovering time of the IGBT chips. The anode terminal of the diodes is connected to the emitter terminal of the IGBT chips, and the cathode terminal is connected to the collector terminal of the IGBT chips. Then, a certain part of the substrate is consisted of resistance(510,520) narrowly lengthened in a wrinkle shape for connecting the resistance to the gate terminal of the IGBT chips.
摘要翻译：目的：提供IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块来抑制寄生振动，而不需要额外的硅电阻。构成：IGBT模块具有沉积在击打槽（100）上的衬底（200），并且衬底被分成两个块（A'，B'）以增加额定电流电容。两个IGBT芯片（310,320）在块（A'）中并联排列，同时对准两个二极管（410,420），以对应于每个IGBT芯片。二极管形成IGBT芯片的恢复时间的电流通道。二极管的阳极端子连接到IGBT芯片的发射极端子，阴极端子连接到IGBT芯片的集电极端子。然后，衬底的某一部分由电阻（510,520）组成，其电阻（510,520）以折皱形状被狭长地延长，用于连接IGBT芯片的栅极端子的电阻。

29. 发明授权

KR100242436B1 안전 동작 영역을 증가시킨 트랜지스터 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：具有增加的安全操作区域的晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100242436B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019950034701
申请日：1995-10-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상용 , 최병하
IPC分类号： H01L29/74
摘要： 본 발명은 스위칭 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 이미터 영역의 중앙 부분이 형성되어 있는 베이스층의 농도를 다른 베이스층의 농도보다 높게 형성함으로써, 스위치 오프시 이미터 중앙 부분으로 전류가 집중되는 현상을 방지하도록 하는 스위칭 트랜지스터 및 그 제조 방법이다.

30. 发明公开

KR1019990080179A 에미터 스위치드 사이리스터의 개선된 구조 및 그에 따른제조방법 失效
标题翻译：发射极开关晶闸管的结构改进及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990080179A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980013244
申请日：1998-04-14
申请人： 한민구
发明人： 변대석 , 이병훈 , 최연익 , 한민구
IPC分类号： H01L29/74
摘要： 에미터 스위치드 사이리스터의 개선된 구조는, 종래의 에미터 스위치드 사이리스터가 갖는 스냅-백 현상을 최소로 억압하기 위하여, p
- 베이스 확산영역이 세그먼트 구조로 설계되고 각각의 세그먼트 p
- 베이스 확산 영역의 측방향 확산 영역이 서로 연결된다. 그 결과 p
- 베이스의 수평 경로상의 저항이 증가되어 래칭 전류가 종래의 구조에 비해 약 20배 정도로 감소된다.

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