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21. 发明公开

KR1020140103096A 전치 왜곡 선형화 통신 시스템 및 송신기의 전치 왜곡 선형화 방법 审中-实审
标题翻译：数字预失真滤波系统及方法
公开(公告)号：KR1020140103096A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020147009885
申请日：2012-09-14
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 파샤이-코주리마지드 , 메이든리차드
IPC分类号： H04L25/49
CPC分类号： H04L25/49 , H03F1/3241 , H03F3/193 , H03F3/45179 , H03F2200/405 , H03F2203/45318 , H03F2203/45332 , H03F2203/45394 , H04B15/00 , H04L25/03343 , H04L25/03834 , H04L27/2614 , H04L27/367 , H04L2025/03414 , H04L2025/03503
摘要： 출력 부근에서 협대역 통과 필터(304)의 성능을 개선하는 디지털 전치 왜곡기(112)가 개시되어 있다. 디지털 전치 왜곡기(112)는 통과 대역 필터(304)의 특성에 근거하여 신호에 대한 진폭 수정을 제공한다. 필터 그룹 딜레이 전치 왜곡기(136)는 협대역 통과 필터(304)에 의해 발생하는 그룹 딜레이 변화를 수정하는데 또한 사용될 수 있다.

22. 发明公开

KR1020130019353A 출력 회로 有权
标题翻译：输出电路
公开(公告)号：KR1020130019353A
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020120087625
申请日：2012-08-10
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 마츠다아키요시 , 스즈키아키히로
IPC分类号： H03K19/0175 , H03F3/45
CPC分类号： H03K19/018528 , H03F1/0272 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F2200/411 , H03F2200/555 , H03F2203/45352 , H03F2203/45394 , H03F2203/45644 , H03F2203/45702 , H03K3/35613
摘要： PURPOSE: An output circuit capable of suppressing a timing shift between two output signals is provided to avoid voltage difference among nodes due to factors such as temperature change, thereby suppressing a timing shift among output signals due to factors such as temperature change. CONSTITUTION: A differential amplifier(30) includes an input unit(31) and a differential unit(32). The input unit generates a complementary inner signal based on a complementary input signal supplied to an input port. An input signal is supplied to the gate of a first transistor. An inverse input signal is supplied to the gate of a second transistor. The source of the first transistor is connected to wiring to which low voltage is supplied. The first transistor and a third transistor operate as a first inverter(33) receiving the input signal. The second transistor and a fourth transistor operate as a second inverter(34) receiving the inverse input signal. The input unit includes a sixth transistor, a seventh transistor, and an OR-gate(35).
摘要翻译：目的：提供一种能够抑制两个输出信号之间的定时偏移的输出电路，以避免因温度变化等因素导致的节点之间的电压差，由此抑制由温度变化等因素引起的输出信号之间的定时偏移。构成：差分放大器（30）包括输入单元（31）和差分单元（32）。输入单元基于提供给输入端口的互补输入信号产生互补的内部信号。输入信号被提供给第一晶体管的栅极。反向输入信号被提供给第二晶体管的栅极。第一晶体管的源极连接到供应低电压的布线。第一晶体管和第三晶体管作为接收输入信号的第一反相器（33）工作。第二晶体管和第四晶体管用作接收反相输入信号的第二反相器（34）。输入单元包括第六晶体管，第七晶体管和或门（35）。

23. 发明公开

KR1020120006277A 구동 증폭기 有权
标题翻译：驱动放大器
公开(公告)号：KR1020120006277A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020100066917
申请日：2010-07-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영택 , 전시범 , 이종수
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/32
CPC分类号： H03F3/245 , H03F3/189 , H03F3/195 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F2203/45394 , H03F2203/45481 , H03F2203/45554 , H03F2203/45594 , H03F2203/45596 , H03F2203/45638 , H03F2203/45644 , H03F3/24 , H03F1/32
摘要： PURPOSE: A drive amplifier is provided to prevent the disconnection of a link by selectively transmitting a corresponding signal to a mobile terminal according to the intensity of electricity. CONSTITUTION: The power supply voltage of a first positive input transistor(110) is applied in a drain terminal. The power supply voltage of a first negative input transistor(120) is applied in the drain terminal. A second negative input transistor(140) is cross-combined with the drain terminal of the first positive input transistor. Power supply voltage of the second negative input transistor is applied in the drain terminal. A second positive input transistor(130) is cross-combined with the drain terminal of the first negative input transistor. Power supply voltage of the second positive input transistor is applied in the drain terminal.
摘要翻译：目的：提供一种驱动放大器，通过根据电力强度选择性地向移动终端发送相应的信号，防止链路断开。构成：第一正输入晶体管（110）的电源电压施加在漏极端子中。第一负输入晶体管（120）的电源电压施加在漏极端子中。第二负输入晶体管（140）与第一正输入晶体管的漏极端子交叉组合。在漏极端子中施加第二负输入晶体管的电源电压。第二正输入晶体管（130）与第一负输入晶体管的漏极端交叉组合。漏极端子中施加第二正输入晶体管的电源电压。

24. 发明授权

KR100433409B1 트랜스 컨덕터의 튜닝회로 失效
标题翻译： 트랜스컨덕터의튜닝회로
公开(公告)号：KR100433409B1
公开(公告)日：2004-05-31
申请号：KR1020020012223
申请日：2002-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정원 , 조계옥 , 이정은
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/343 , H03F3/191 , H03F3/45179 , H03F2203/45394 , H03F2203/45622 , H03F2203/45682
摘要： A transconductor tuning circuit for controlling transconductance of a transconductor. The tuning circuit includes a first MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistor. A source terminal of the first MOS transistor is connected to a power source. A gate terminal and a drain terminal of the first MOS transistor being connected to each other. A gate terminal and a drain terminal of a second MOS transistor being connected. A first input terminal of a first error amplifier is connected to the gate terminal of the first MOS transistor. A second input terminal of the first error amplifier is connected to the gate terminal of the second MOS transistor. The first error amplifier outputs an output signal in form of a bias signal for controlling tuning of the transconductor.
摘要翻译：跨导器调谐电路，用于控制跨导器的跨导。调谐电路包括第一MOS（金属氧化物半导体）晶体管。第一MOS晶体管的源极端连接到电源。第一MOS晶体管的栅极端子和漏极端子彼此连接。第二MOS晶体管的栅极端子和漏极端子连接。第一误差放大器的第一输入端连接到第一MOS晶体管的栅极端。第一误差放大器的第二输入端连接到第二MOS晶体管的栅极端。第一误差放大器以偏压信号的形式输出输出信号，用于控制跨导器的调谐。

25. 发明授权

KR100427878B1 증폭회로 失效
公开(公告)号：KR100427878B1
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020010057535
申请日：2001-09-18
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우메다도시유키 , 오타카쇼지
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45089 , H03D7/1433 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0043 , H03F1/3211 , H03F3/191 , H03F2203/45394 , H03F2203/45544 , H03F2203/45702 , H03F2203/45704 , H03F2203/45706
摘要： An amplifier circuit comprises a differential amplifier (102) configured by a differential pair of transistors, a common emitter amplifier (101) connected in parallel to the differential amplifier and configured by a pair of common-emitter configuration transistors, input and output terminals (Vin, Vout) which are common to the differential amplifier and the common emitter amplifier, and a bias controller (201) connected to the differential amplifier and the common emitter amplifier and configured to control a bias of at least one of the differential amplifier and the common emitter amplifier.
摘要翻译：放大器电路包括由差分晶体管对构成的差分放大器（102），并联连接至差分放大器并由一对共发射极配置晶体管构成的共射极放大器（101），输入和输出端子（Vin ，Vout），以及偏置控制器（201），连接到所述差分放大器和所述公共发射极放大器，并且被配置为控制所述差分放大器和所述公共端中的至少一个的偏置射极放大器。＆lt;图像＆GT;

26. 发明公开

KR1020030072931A 트랜스 컨덕터의 튜닝회로 失效
标题翻译：调谐电路
公开(公告)号：KR1020030072931A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020012223
申请日：2002-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정원 , 조계옥 , 이정은
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/343 , H03F3/191 , H03F3/45179 , H03F2203/45394 , H03F2203/45622 , H03F2203/45682
摘要： PURPOSE: A tuning circuit of a transconductor is provided, which extends an operation frequency range and reduces characteristics change due to external environment. CONSTITUTION: According to the tuning circuit of a transconductor(23) for controlling transconductance of the transconductor, the first MOS transistor(M4) and the second MOS transistor(M7) are connected to a power supply voltage through a source port and their gate port and drain port are connected each other in a MOS diode structure. Each gate port of the first MOS transistor and the second MOS transistor is connected to an input port of the first error amp(A2), which outputs an output signal as a tuning control bias signal of the transconductor.
摘要翻译：目的：提供跨导体的调谐电路，延长了工作频率范围，减少了由外部环境引起的特性变化。构成：根据用于控制跨导体跨导的跨导体（23）的调谐电路，第一MOS晶体管（M4）和第二MOS晶体管（M7）通过源极端口及其栅极端口连接到电源电压并且漏极端口以MOS二极管结构彼此连接。第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的每个栅极端口连接到第一误差放大器（A2）的输入端口，其输出输出信号作为跨导器的调谐控制偏置信号。

27. 发明授权

KR101746107B1 적응형 전력증폭기 및 이를 포함하는 RF 송신기 有权
标题翻译：自适应功率放大器和包括它的RF发射器
公开(公告)号：KR101746107B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020160045001
申请日：2016-04-12
申请人： (주)에프씨아이
发明人： 강민철 , 황명운
IPC分类号： H03F1/02 , H03F1/22 , H03F1/30 , H03F1/56 , H04B1/04
CPC分类号： H03F1/3241 , H03F1/0227 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/165 , H03F2200/222 , H03F2200/333 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2203/45394 , H04B1/04 , H04B2001/0425 , H03F1/0211 , H03F1/22 , H03F1/30 , H04B1/0458
摘要： 적응형전력증폭기및 이를포함하는 RF 송신기를개시한다. 무선통신시스템에서신호를송신하는 RF 송신기에있어서, 외부전원공급장치와연결되어동작하는 DC-DC 컨버터; 디지털신호를아날로그신호로변환하는디지털-아날로그변환기; 상기아날로그신호의고조파성분을제거하여입력신호를제공하는필터부; 상기입력신호를원하는채널의주파수로상향변환시켜변조신호를제공하는 RF 상향변환기; 및상기 DC-DC 컨버터및 상기외부전원공급장치와연결되어다양한공급전압중 하나를선택적으로인가받아동작하고, 상기변조신호를증폭시켜 RF 출력신호를발생시키는전력증폭기를포함하는 RF 송신기를제공한다.
摘要翻译：公开了一种自适应功率放大器和包括其的RF发射器。一种用于在无线通信系统中发射信号的RF发射器，所述RF发射器包括：可操作地连接到外部电源的DC-DC转换器; 数字 - 模拟转换器，用于将数字信号转换成模拟信号; 滤波器单元，用于去除模拟信号的谐波分量并提供输入信号; RF上变频器，用于将输入信号上变频到期望的信道频率以提供调制信号; 并且功率放大器连接到DC-DC转换器和外部电源以选择性地接收各种电源电压中的一个并放大调制信号以产生RF输出信号。

28. 发明授权

KR101687444B1 정궤환 공통 게이트 저잡음 증폭기 有权
标题翻译：正反馈通用门低噪声放大器
公开(公告)号：KR101687444B1
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020137032956
申请日：2012-05-09
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 김남수 , 버크조셉패트릭
IPC分类号： H03F3/45 , H03F1/38 , H03F1/26 , H03F1/56
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/38 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/36 , H03F2203/45306 , H03F2203/45311 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45511 , H03F2203/45634 , H03F2203/45638
摘要： 정궤환공통게이트저잡음증폭기 (PFCGLNA) 는동일한도전타입인정궤환트랜지스터들 (147, 149) 및입력트랜지스터들 (151, 153) 을갖는다. 동일한도전타입의정궤환트랜지스터및 입력트랜지스터를제조하는것은프로세스변동들에대한민감성을감소시킨다. 정궤환트랜지스터들 (147, 149) 에의해생성된잡음은입력트랜지스터들 (151, 153) 에의해생성된잡음을상쇄시키는데이용된다. 일실시예에서, PFCGLNA 는 680 MHz 에서 980 MHz 까지의광대역주파수범위내의임의의주파수에대해실질적으로일정한입력임피던스를갖도록튜닝가능하고, 전체광대역주파수범위에걸쳐 2.2 dB 미만의잡음지수를갖는다.
摘要翻译：正反馈公共门低噪声放大器（PFCGLNA）具有正反馈晶体管和具有相同导电类型的输入晶体管。使正反馈和相同导电类型的输入晶体管降低对工艺变化的敏感性。由正反馈晶体管产生的噪声用于消除由输入晶体管产生的噪声。在一个实施例中，PFCGLNA：1）可调谐以对于从680MHz至980MHz的宽带频率范围内的任何频率具有基本恒定的输入阻抗，以及2）在整个宽带频率范围内具有小于2.2dB的噪声系数。 PFCGLNA的输入阻抗可以通过设置提供给LNA的数字可编程容量负载的多位数字控制值来调节驱动PFCGLNA的源。

29. 发明授权

KR101682375B1 구동 증폭기 有权
标题翻译：驱动放大器
公开(公告)号：KR101682375B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020100066917
申请日：2010-07-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영택 , 전시범 , 이종수
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/32
CPC分类号： H03F3/245 , H03F3/189 , H03F3/195 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F2203/45394 , H03F2203/45481 , H03F2203/45554 , H03F2203/45594 , H03F2203/45596 , H03F2203/45638 , H03F2203/45644
摘要： 본발명은구동증폭기에있어서,제 1 및제 2 차동(differential) 무선주파수(radio frequency: RF) 전압이각각입력되는게이트를포함하는제 1 및제 2 트랜지스터와, 상기제 2 트랜지스터의드레인에연결되는드레인과, 상기제 1 트렌지스터의게이트에연결되는소스를포함하며, 상기제 2 차동 RF 전압의증가에따라드레인-소스전류가증가하는제 3 트랜지스터와, 상기제 1 트랜지스터의드레인에연결되는드레인과, 상기제 2 트랜지스터의게이트에연결되는소스를포함하며, 상기제 1 차동 RF 전압의증가에따라드레인-소스전류가증가하는제 4 트랜지스터를포함한다.
摘要翻译：一种驱动放大器，具有改善的线性度，同时具有低电流消耗。驱动放大器包括第一和第二晶体管，其具有分别输入第一和第二差分射频（RF）电压的栅极; 具有连接到所述第二晶体管的漏极的漏极和连接到所述第一晶体管的栅极的源极的第三晶体管，以及随着所述第二差分RF电压的增加而增加的漏极 - 源极电流; 以及第四晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的漏极的漏极和连接到所述第二晶体管的栅极的源极，以及随着所述第一差分RF电压的增加而增加的漏极 - 源极电流。

30. 发明公开

KR1020140121347A 신호 처리 장치 审中-实审
标题翻译：信号处理装置
公开(公告)号：KR1020140121347A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020140037470
申请日：2014-03-31
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 오카모토유키 , 이케다타카유키 , 쿠로카와요시유키 , 타케무라야스히코
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/00
CPC分类号： H03F3/45076 , H03F1/223 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F3/45237 , H03F2203/45394 , H03F2203/45518 , H03F2203/45674 , H03K19/018528
摘要： 본 발명은 레벨 시프터를 제공하는 것을 과제로 한다.
일례에서는, 제 1 전위와 제 2 전위로 이루어지는 바이너리 신호를, 제 1 전위와 제 3 전위로 이루어지는 신호로 변환하는 레벨 시프터 및 그것을 이용한 신호 처리 회로이다. 또한, 제 1 전위는 제 2 전위보다 높고, 제 2 전위는 제 3 전위보다 높다. 제 1 전위와 제 3 전위의 차이는 3V 이상 4V 미만이어도 좋다. 여기서, 레벨 시프터는 증폭 회로에 입력되는 제 1 신호의 전위의 변화에 따라, 일정한 시간만 증폭 회로를 가동시키기 위한 제 2 신호를 생성하는 전류 제어 회로를 가진다. 또한, 레벨 시프터의 출력은 문턱값이 0V 미만인 N형 트랜지스터의 게이트에 입력된다. 그 외의 실시형태도 클레임된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种电平转换器。作为一个例子，提供了一种电平移位器，其将具有第一电位和第二电位的二进制信号转换为具有第一电位和第三电位的信号，以及使用其的信号处理电路。此外，第一电位高于第二电位，第二电位高于第三电位。第一电位和第三电位之间的差可以等于或高于3V并低于4V。此时，电平移位器包括电流控制电路，其产生仅用于操作放大电路的第二信号根据输入到放大电路的第一信号的电位变化，预定时间。此外，电平移位器的输出被输入到阈值电压为0V或更小的N型晶体管的栅极。要求保护其他实施例。

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