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21. 发明公开

KR1020050101985A 금속니켈이 도핑된 이산화티타늄 분말 및 그 제조방법 失效
标题翻译：二氧化钛粉末，金属镍及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050101985A
公开(公告)日：2005-10-25
申请号：KR1020040027245
申请日：2004-04-20
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이경섭 , 김선재 , 김동현 , 박하성
IPC分类号： B01J21/06
CPC分类号： B01J21/063 , B01J35/004 , B01J37/0072 , B01J37/04 , F01N3/021
摘要： 본 발명은 광촉매용 이산화티타늄 분말에 관한 것으로서, 사염화티탄산(TiCl
4 )을 이용하여 티타닐클로라이드(TiOCl
2 ) 수용액을 마련하는 단계와, 상기 티타닐클로라이드 수용액에서 준안정상태의 이산화티타늄(TiO
2 )분말을 형성하는 단계와, 상기 티타닐클로라이드 수용액으로부터 상기 준안정상태의 이산화티타늄분말을 수거하는 단계와, 상기 수거된 이산화티타늄분말에 금속 니켈(Ni)을 혼합하는 단계와, 상기 이산화티타늄분말과 니켈의 혼합물을 볼밀링함으로써 약 1∼10wt%의 니켈이 도핑된 이산화티타늄을 형성하는 단계를 포함하는 이산화티타늄분말 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 니켈로 도핑된 이산화티타늄분말은 큰 비표면적을 갖는 미세구조이면서, 니켈로 인해 에너지밴드갭 내에 포획준위를 형성하여 가시광선에서도 반응이 가능하므로, 광활성 및 광효율 측면에서 매우 우수하고 강한 산화-환원력을 갖는 유기물분해용 광촉매제로서 사용될 수 있다.

22. 发明公开

KR1020160124406A 테라헤르츠파를 이용한 비접촉 방식의 시편 분석장치 및 분석방법 审中-实审
标题翻译：使用太赫兹波进行非接触样本分析的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160124406A
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：KR1020160045037
申请日：2016-04-12
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 김학성 , 정완호 , 박성현 , 김동현
IPC分类号： G01R27/02 , G01N21/3586 , G01N29/11
CPC分类号： G01R27/02 , G01N21/3586 , G01N29/041 , G01N29/11
摘要： 테라헤르츠파를이용한비접촉방식의시편분석장치및 분석방법을제공한다. 상기분석장치는도전성물질층을구비하는시편에테라헤르츠파를조사하는방출부와상기시편에서반사되는테라헤르츠파또는상기시편을통해투과되는테라헤르츠파를수신하는수신부를구비할수 있다. 또한, 상기분석장치는상기수신된테라헤르츠파를사용하여상기도전성물질층의면저항을분석하는면저항분석부, 상기도전성물질층의피복밀도를분석하는피복밀도분석부, 상기도전성물질층의성분을분석하는성분분석부, 및상기도전성물질층의두께를분석하는두께분석부로이루어진군에서선택되는적어도하나를포함하는특성분석부, 상기특성분석부에서도출된결과를영상으로표시하는표시부, 및상기특성분석부에정보를입력할수 있는입력부를포함할수 있다.

23. 发明授权

KR101432091B1 스폿 용접용 다중 가압 전극 有权
标题翻译：用于点焊的多压电极
公开(公告)号：KR101432091B1
公开(公告)日：2014-08-22
申请号：KR1020140030236
申请日：2014-03-14
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이세헌 , 김동현
IPC分类号： B23K11/11 , B23K11/30
摘要： The present invention relates to a spot welding electrode capable of pressing multiple sides. According to the present invention, the spot welding electrode capable of pressing multiple sides includes an electrode (100) having a contact part (105), which contacts with a to-be-welded member (400), at an end portion thereof; and a pressing member (200) which is joined to the end portion of the electrode (100), encircles the contact part (105) to be separated from the contact part (105) at a certain distance (W), and presses the to-be-welded member (400).
摘要翻译：本发明涉及一种能够按压多个侧面的点焊电极。根据本发明，能够压制多个侧面的点焊电极包括在其端部具有与被焊接部件（400）接触的接触部（105）的电极（100）和连接到所述电极（100）的端部的按压部件（200）围绕所述接触部分（105）以一定距离（W）与所述接触部分（105）分离，并按压到焊接部件（400）。

24. 发明授权

KR101080511B1 식별키 누출을 방지하는 ＩＣ 칩 및 이의 인증 방법 有权
标题翻译：集成电路芯片预防漏电识别密钥和集成电路芯片认证方法
公开(公告)号：KR101080511B1
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020110077271
申请日：2011-08-03
申请人： 한양대학교 산학협력단 , (주) 아이씨티케이
发明人： 김동규 , 최병덕 , 김동현 , 박상선 , 지광현
IPC分类号： G06K19/07 , G06K17/00 , H04L9/32
CPC分类号： G06Q20/4012 , G06F21/75 , G06F21/77 , G06F21/85 , G06K19/07345 , H04L9/3278
摘要： PURPOSE: An integrated circuit chip for preventing the leak of identification key and a method thereof are provided to fundamentally prevent the risk of an exposure of a PIN. CONSTITUTION: A PIN provider(210) offers PIN used for authentication when performing financial function using an IC chip. An input/output interface(220) transmits the PIN to the outside of the IC chip. If the PIN is offered to outside through the input and output interface at a first access about the IC chip, a cut-off part(230) physically cuts-off a connection between the input and output interface and the PIN providing part. The cut-off part includes a switch which applies over current to each fuse.
摘要翻译：目的：提供一种用于防止识别密钥泄漏的集成电路芯片及其方法，从根本上防止PIN曝光的风险。规定：使用IC芯片执行财务功能时，PIN提供商（210）提供用于认证的PIN。输入/输出接口（220）将PIN发送到IC芯片的外部。如果在关于IC芯片的第一次访问期间通过输入和输出接口向外部提供PIN，则截止部分（230）物理地切断输入和输出接口与PIN提供部分之间的连接。截止部分包括对每个保险丝施加过电流的开关。

25. 发明公开

KR1020100135444A 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법 失效
标题翻译：闪速存储器件和闪速存储器件编程方法
公开(公告)号：KR1020100135444A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053811
申请日：2009-06-17
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 김영일 , 이학수 , 김동현 , 윤한섭 , 곽계달
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/12 , G11C16/30
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/30
摘要： PURPOSE: A flash memory device and a method for programming the same are provided to shorten a program time by performing an erase operation by applying a negative voltage to a word line if the cell is over-programmed. CONSTITUTION: An ISPP voltage generator(110) provides a temporary program voltage to the selected cell and determines whether the selected cell is programmed after an ISPP voltage is provided. An error checking unit(120) determines the program or over-program of the selected cell according to the turn-on of the selected cell. A controller(130) controls the operation of the ISPP voltage generator and performs an erase operation based on the determination result of the error checking unit. An erase voltage generator(140) generates a negative voltage based on the control of the controller.
摘要翻译：目的：提供闪速存储器件及其编程方法，以通过在单元被过度编程的情况下通过对字线施加负电压来执行擦除操作来缩短编程时间。构成：ISPP电压发生器（110）向所选择的单元提供临时编程电压，并且在提供ISPP电压之后确定所选择的单元是否被编程。错误检查单元（120）根据所选择的单元的导通来确定所选择的单元的程序或过程。控制器（130）控制ISPP电压发生器的操作，并且基于错误检查单元的确定结果执行擦除操作。擦除电压发生器（140）根据控制器的控制产生负电压。

26. 发明授权

KR100964945B1 묽은 자성 반도체와 그 제조방법 失效
标题翻译：稀土磁性半导体及其制造工艺
公开(公告)号：KR100964945B1
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080034583
申请日：2008-04-15
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이경섭 , 신동욱 , 김선재 , 김동현 , 구남훈 , 정이헌 , 이보라
IPC分类号： H01L43/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 전이금속이 도프된 하이드로젠 티타네이트(H
2 Ti
2 O
5 ·H
2 O)로 이루어진 나노튜브이며, 상기 전이금속은 Ni, Co 및 Fe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소이고, 상온에서 강자성을 띠며 400K 이하의 온도에서 큐리온도(Curie temperature)를 갖는 것을 특징으로 하는 묽은 자성 반도체를 제공한다. 바람직하게, 상기 전이금속은 니켈(Ni)일 수 있다.
묽은 자성 반도체, 이산화티타늄, 니켈, 강자성 반도체

27. 发明公开

KR1020090109239A 묽은 자성 반도체와 그 제조방법 失效
标题翻译：稀土磁性半导体及其制造工艺
公开(公告)号：KR1020090109239A
公开(公告)日：2009-10-20
申请号：KR1020080034583
申请日：2008-04-15
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이경섭 , 신동욱 , 김선재 , 김동현 , 구남훈 , 정이헌 , 이보라
IPC分类号： H01L43/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y40/00 , H01L43/12
摘要： PURPOSE: A dilute magnetic semiconductor is provided to increase the non-surface area by making TiO2 power in which the transition metal is doped through the hydrothermal synthesis method with the titanate nanotube. CONSTITUTION: A dilute magnetic semiconductor is the nanotube consisting of the hydrogen titanate in which the transition metal is doped. The transition metal is the selected one from the group consisting of Ni, and Co and Fe element. In the room temperature, the dilute magnetic semiconductor has the curie temperature in a temperature less than 400K and has ferromagnetism.
摘要翻译：目的：提供一种稀薄的磁性半导体，通过利用钛酸盐纳米管通过水热合成方法制备掺杂了过渡金属的TiO2电力来增加非表面积。构成：稀磁半导体是由掺杂有过渡金属的钛酸氢盐构成的纳米管。过渡金属是由Ni和Co和Fe元素组成的组中选出的。在室温下，稀磁半导体的居里温度低于400K，具有铁磁性。

28. 发明授权

KR100609132B1 니켈을 함유하는 복합상 이산화티타늄 광촉매 및 그제조방법 失效
标题翻译：包含镍的复合二氧化钛光催化剂及其制造方法
公开(公告)号：KR100609132B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020040081835
申请日：2004-10-13
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이경섭 , 김선재 , 김동현 , 박하성
IPC分类号： B01J21/06
摘要： 본 발명은 가시광선 영역의 장파장 광선에서도 광촉매의 역할을 수행할 수 있는 티탄산니켈(NiTiO
3 )과 Ni가 도핑된 이산화티타늄(Ni doped TiO
2 )이 복합상으로 존재하는 이산화티타늄 분말 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해 제조되는 이산화티타늄 분말은 루타일(rutile)상 이산화티타늄 분말에 니켈이 중량%로 1~8% 함유된 이산화티타늄계 광촉매로서, 첨가된 니켈이 이산화티타늄 기지내에 도핑되어 있는 형태 및/또는 티탄산니켈의 형태로 존재하는 것을 특징으로 한다.
광촉매, 이산화티타늄, 티탄산니켈, 니켈 도핑, 극미세구조

29. 发明授权

KR101991786B1 초음파 접합 모니터링 장치 및 그 방법 有权
公开(公告)号：KR101991786B1
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：KR1020180117134
申请日：2018-10-01
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이세헌 , 김동현
IPC分类号： B23K20/10 , B23K20/233 , B23K20/00 , B23K103/18

30. 发明授权

KR101925677B1 테라헤르츠파를 이용한 비접촉 방식의 시편 분석장치 및 분석방법 有权
公开(公告)号：KR101925677B1
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：KR1020160045037
申请日：2016-04-12
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 김학성 , 정완호 , 박성현 , 김동현
IPC分类号： G01R27/02 , G01N21/3586 , G01N29/11
摘要： 테라헤르츠파를 이용한 비접촉 방식의 시편 분석장치 및 분석방법을 제공한다. 상기 분석장치는 도전성 물질층을 구비하는 시편에 테라헤르츠파를 조사하는 방출부와 상기 시편에서 반사되는 테라헤르츠파 또는 상기 시편을 통해 투과되는 테라헤르츠파를 수신하는 수신부를 구비할 수 있다. 또한, 상기 분석장치는 상기 수신된 테라헤르츠파를 사용하여 상기 도전성 물질층의 면저항을 분석하는 면저항 분석부, 상기 도전성 물질층의 피복 밀도를 분석하는 피복 밀도 분석부, 상기 도전성 물질층의 성분을 분석하는 성분 분석부, 및 상기 도전성 물질층의 두께를 분석하는 두께 분석부로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 특성 분석부, 상기 특성 분석부에서 도출된 결과를 영상으로 표시하는 표시부, 및 상기 특성 분석부에 정보를 입력할 수 있는 입력부를 포함할 수 있다.

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