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21. 发明公开

KR1019990084727A 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019990084727A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016694
申请日：1998-05-11
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 라사균 , 김홍석
IPC分类号： H01L29/41
摘要： 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 게이트라인 형성 후 종래의 할로이온주입을 실시하고 다시 박막을 형성하여 게이트측벽의 두께를 연장시킨 후 엘디디를 형성하므로서 쇼트채널효과를 억제함은 물론 엘디디 이온주입이나 소스/드레인 이온주입시 채널링효과(channeling effect)를 방지하도록한 더블셀프 에이치엘디디(double self HLDD) 트랜지스터 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법은 활성영역과 필드영역을 격리한 제 1 도전형 반도체기판상의 소정부위에 게이트절연막/게이트/캡절연층으로 이루어진 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 게이트 하단 모서리 부위의 기판에 제 1 도전형 불순물 제 1 이온층을 형성하는 단계와, 노출된 기판 표면 및 게이트 패턴의 표면 및 측면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 기판의 전면에 저농도로 제 2 도전형 불순물 이온주입하는 단계와, 게이트 패턴 측면에 형성된 절연막 표면에 제 2 절연막으로 이루어진 게이트측벽을 형성하는 단계와, 기판의 전면에 고농도로 제 2 도전형 불순물 이온주입하는 단계와, 불순물 이온을 확산시키는 단계를 포함하여 이루어진다.

22. 发明授权

KR100161856B1 위상 반전 마스크의 제조방법 失效
标题翻译：相移片的制造
公开(公告)号：KR100161856B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019950031654
申请日：1995-09-25
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26
摘要： 본 발명은 하프-톤 마스크(Half tone Mask)에 관한 것으로 특히, 도금방식에 의한 전면증착이 가능하도록 하여 공정을 단순화하고 공정변화에 무관하도록한 위상 반전 마스크의 제조방법에 관한 것이다.
메입 칩 영역과 가아드-보오드 영역으로 구분되는 위상 반전마스크의 제조방법에 있어서, 투광성 기판을 준비하는 단계, 상기 투광성 기판상에 위상 반전층과 금속막을 차례로 증착하는 단계, 상기 위상 반전층 및 금속막을 선택적으로 제거하여 하프-톤 마스크를 형성하는 단계, 상기 하프-톤 마스크중 가아드-보오드 영역의 금속막이 노출되도록 마스크층을 형성하는 단계, 그리고 상기 금속막을 도금하여 상기 가아드-보오드 영역에 선택적으로 차광층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것이다.

23. 发明授权

KR100160271B1 반도체 소자 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR100160271B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019890011520
申请日：1989-08-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김준기 , 여인석 , 김홍석
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 내용 없음.

24. 发明公开

KR1019940022874A 박막트랜지스터 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019940022874A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019930004169
申请日：1993-03-18
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 본 발명은 오프 전류를 작게 조절하므로써 소자 특성을 개선하기에 적당하도록 한 박막트랜지스터 제조방법에 관한것으로, 종래에는 오프 전류가 크기 때문에 온전류, 오프 전류율이 작아지므로 소자 특성이 저하하며 게이트 라인의 최소 선폭이 어려워 소자의 고집적화가 불가능 하였으나, 본 발명에서는 게이트 폴리실리콘(20)을 경사식각 한 후 표면에 게이트 산화막(22)을 형성하므로써 게이트 양측, 즉 게이트와 소오스/드레인(26) 사이의 게이트 산화막(4,22)이 두꺼워져 이후, 표면에 N형 저농도 이온 주입시 오프 전류가 감소하므로 온/오프 전류율이 증가하여 소자 특성이 개선되며 게이트 산화막(22) 형성시 게이트 선폭을 줄일 수 있기 때문에 소자의 고집적화를 실현할 수 있으므로 상기 결점을 개선시킬 수 있는것이다.

25. 发明公开

KR1019940016440A 반도체 노광장비의 렌즈배율변화 보정방법 및 그 장치 失效
标题翻译：用于校正半导体暴露中的透镜比例变化的方法和设备
公开(公告)号：KR1019940016440A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025457
申请日：1992-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 본 발명은 반도체 노광장비의 렌즈배율변화 보정방법 및 그 장치에 관한 것으로, 측정오차를 줄이기 위하여 웨이퍼 스테이지에 부착된 기준마크와 기준레티클의 정렬마크를 정렬하여 그 간격을 측정함으로써 렌즈의 배율변화를 확인 및 산술적으로 계산하는 단계와, 상기 렌즈배율 변화값과 인터페로 메타 데이타를 비교 측정하는 비교단계과, 상기와 같이 비교된 아나로그 데이타를 디지탈화 하는 변화단계와, 상기의 디지탈화된 기준마크 포지션값과 기입력된 기준마크값을 비교하여 렌즈구동량을 연산하는 연산단계, 이와같이 연산된 값으로 구동모터를 작동시키는 단계를 포함하여 렌즈를 상부 또는 하부로 이동시킴으로써 렌즈배율변화에 따른 보정을 자동으로 행하도록 구성한 것이다.
이와같이 된 본 발명의 보정방법 및 그 장치에 의하면, 렌즈의 배율변화측정 및 그에 따른 보정이 자동으로 이루어지므로 측정오차를 줄일 수 있고 장비를 보다 편리하게 사용할 수 있게 되는 효과가 있다.

26. 发明公开

KR1019890016653A 반도체 소자의 배선형성방법 失效
标题翻译：用于形成半导体元件的布线的方法
公开(公告)号：KR1019890016653A
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：KR1019880004895
申请日：1988-04-29
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 내용 없음

27. 发明授权

KR100253265B1 반도체 노광장비의 렌즈배율변화 보정방법 및 그 장치 失效
标题翻译：半导体曝光装置扩展变化透镜系数校正方法及装置
公开(公告)号：KR100253265B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019920025457
申请日：1992-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： H01L21/00
摘要： PURPOSE: A correction method and an apparatus for lens coefficient of expansion change of a semiconductor exposure apparatus are provided to automatically measure the lens coefficient of expansion change and control a lens drive motor, thereby decreasing measurement error and enhancing the conveniency in using the semiconductor exposure apparatus. CONSTITUTION: First, for reducing measurement error, a standard mark attached to a wafer stage and an alignment mark of a standard reticle are aligned and the gap between them is measured to verify and calculate the lens coefficient of expansion change. Then, the lens coefficient of expansion change and interferer meta data are compared. Next, the compared analog data is converted into digital data. Then, lens drive amount is operated by comparing the digitalized standard mark position value and the standard mark value. Finally, a drive motor(90) is operated using the operated value.
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体曝光装置的透镜倍率扩大变化的校正方法和装置，以自动测量透镜的膨胀变化系数并控制透镜驱动电动机，从而降低测量误差并提高使用半导体曝光的便利性仪器。规定：首先，为了减少测量误差，将标准标线上的标准标记和标准标线的对准标记对齐，并测量它们之间的间隙，以验证和计算透镜的膨胀变化系数。然后，比较透镜的膨胀系数和干涉元数据。接下来，将比较的模拟数据转换为数字数据。然后，通过比较数字标准标记位置值和标准标记值来操作镜头驱动量。最后，使用操作值操作驱动马达（90）。

28. 发明授权

KR100161838B1 디램셀의 제조방법 失效
标题翻译： DRAM单元的制作方法
公开(公告)号：KR100161838B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019900021629
申请日：1990-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： H01L27/00
摘要： 본발명은 커패시터 면적을 확장시킬 수 있는 디램셀의 제조방법을 제공하기 위한것으로 이를위해 기판위에 통상의 방법으로 필드영역과 액티브영역을 형성하고 각 영역위에 측벽스페이서를 갖는 게이트를 형성하는 단계,
산화막을 증착하고 포토/에치 공정을 실시하여 각 게이트 사이에 메몰콘택트를 형성하는 단계,
전체적으로 스토리지노드용 폴리실리콘막을 형성하고 포토/에치공정을 거쳐 상기 폴리실리콘막의 표면을 미세한 톱니파형으로 형성하는 단계,
포토/에치 공정을 거쳐 폴리실리콘막의 불필요한 부분을 제거하여 스토리지노드를 형성한 다음 커패시터 유전체막과 플레이트 폴리실리콘막을 차례로 증착하는 단계가 차례로 포함된다.

29. 发明授权

KR1019970007442B1 반도체 제조공정에서 비등방성 레지스트 플로잉을 이용한 오버레이(overlay) 및 임플랜트(implant) 비등방성 현상 보정방법 失效
标题翻译：通过在半导体工艺中使用非同源电阻流动来覆盖和植入非同位素晶体的校正方法
公开(公告)号：KR1019970007442B1
公开(公告)日：1997-05-08
申请号：KR1019880011246
申请日：1988-08-31
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/00
摘要： A correcting method of overlay and implant anisotropy phenomenon using anisotropy resist flowing in semiconductor manufacturing processes comprising the step irradiating far infrared rays on one side and top surface of resist in curing process to cure said resist; and the step flowing the other sides of said resist to correct overlay occurred in photo process and anisotropy ion injection due to wafer inclination occurred in implant process is disclosed. Thereby, it is possible to correct the productivity lowering due to overlay and the asymmetry due to implant anisotropy.
摘要翻译：一种使用在半导体制造工艺中流动的各向异性抗蚀剂的覆盖和注入各向异性现象的校正方法，其包括在固化过程中在远离红外线的一侧和顶表面上照射远红外线以固化所述抗蚀剂; 并且公开了在光刻工艺中流动所述抗蚀剂的另一侧以进行正确覆盖的步骤，并且在植入工艺中发生由于晶片倾斜引起的各向异性离子注入。因此，可以校正由于覆盖产生的降低和由于注入各向异性引起的不对称性。

30. 发明授权

KR1019970006260B1 박막트랜지스터 제조방법 失效
标题翻译： TFT的制造
公开(公告)号：KR1019970006260B1
公开(公告)日：1997-04-25
申请号：KR1019940000229
申请日：1994-01-07
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김홍석 , 송승용
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L27/11 , H01L29/78624 , Y10S148/15
摘要： A method for fabricating a thin film transistor capable of increasing on current and on/off current ratio of the transistor is disclosed. In-situ doped source and drain regions(13a and 13b) are formed by selectively etching a first semiconductor layer(13) and an undoped second semiconductor layer(15) is deposited on an insulating layer(12). By etching a third semiconductor layer(17) and a gate insulating layer(16), a gate electrode(17a) being overlap the source region(13a) and offset the drain region(13b) is formed. A lightly doped off-set(LDO) drain region(19) is formed in the second semiconductor layer(15) by an ion-implanting using the gate electrode(17a) as a mask. Then a high concentration source region(20a) and a high concentration drain region(20b) is formed in the second semiconductor layer(15) by annealing.
摘要翻译：公开了一种制造能够增加晶体管的电流和导通/截止电流比的薄膜晶体管的方法。通过选择性蚀刻第一半导体层（13）并且在绝缘层（12）上沉积未掺杂的第二半导体层（15）来形成原位掺杂源极和漏极区域（13a和13b）。通过蚀刻第三半导体层（17）和栅极绝缘层（16），形成与源极区域（13a）重叠并偏移漏极区域（13b）的栅电极（17a）。通过使用栅电极（17a）作为掩模的离子注入，在第二半导体层（15）中形成轻掺杂偏移（LDO）漏区（19）。然后，通过退火在第二半导体层（15）中形成高浓度源极区（20a）和高浓度漏极区（20b）。

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