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21. 发明授权

KR100457158B1 대칭적인 스위칭 특성을 위한 마그네틱 메모리 셀 失效
标题翻译： 대칭적인스위칭특성을위한마그네틱메모리셀
公开(公告)号：KR100457158B1
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020010084899
申请日：2001-12-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창석 , 장인우 , 경희
IPC分类号： H01L21/82
摘要： PURPOSE: A magnetic memory cell for symmetric switching property is provided to be capable of reducing demagnetization filed and improving symmetric switching property by controlling coupling field of a pinned layer and a free layer. CONSTITUTION: A magnetic memory cell for symmetric switching property comprises the first ferroelectric layer(21), a spacer(22), a seed layer(23), an anti-ferroelectric layer(24), the second ferroelectric layer(25) as a pinned layer, an insulating layer(26), and a free layer(27). The seed layer(23) and the second ferroelectric layer(25) have same magnetization direction. By controlling the thickness of the spacer(22) and the coupling field, the demagnetization field is reduced.
摘要翻译：目的：提供一种用于对称开关特性的磁存储单元，通过控制钉扎层和自由层的耦合场，能够减小去磁场并提高对称开关特性。一种用于对称开关特性的磁存储单元，包括第一铁电层（21），隔离层（22），晶种层（23），反铁电层（24），第二铁电层（25）固定层，绝缘层（26）和自由层（27）。种子层（23）和第二铁电层（25）具有相同的磁化方向。通过控制间隔物（22）的厚度和耦合场，减磁场减少。

22. 发明公开

KR1020040006335A ＭＲＡＭ의 센싱 마진 제어 장치 无效
标题翻译： MRAM感应控制装置
公开(公告)号：KR1020040006335A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020020040585
申请日：2002-07-12
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 장인우 , 이계남 , 김창석
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/165
摘要： PURPOSE: A sensing margin control apparatus of a MRAM is provided to improve a sensing margin by improving current driving capability of a transistor. CONSTITUTION: A MTJ(Magnetic Tunnel Junction)(10) senses a current of a bit line. A transistor(T2) is connected to the above MTJ and thus its gate is connected to a word line. And a resistor(R) is connected between a source and a drain of the above transistor and to form a resistance term. The resistance term formed between the source and the drain of the transistor corresponds to channel resistance and contact resistance of the transistor.
摘要翻译：目的：提供MRAM的感测余量控制装置，以通过改善晶体管的电流驱动能力来改善感测裕度。构成：MTJ（磁隧道结）（10）感测位线的电流。晶体管（T2）连接到上述MTJ，因此其栅极连接到字线。并且电阻器（R）连接在上述晶体管的源极和漏极之间并形成电阻项。在晶体管的源极和漏极之间形成的电阻项对应于晶体管的沟道电阻和接触电阻。

23. 发明公开

KR1020030056447A 자기저항 램 및 그 제조방법 失效
标题翻译：磁阻RAM及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030056447A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010086662
申请日：2001-12-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창석 , 이계남 , 장인우 , 경희
IPC分类号： H01L27/10
摘要： PURPOSE: A magnetoresistive RAM(Random Access Memory) and a method for manufacturing the same are provided to be capable of simplifying manufacturing processes by forming a reading word line and a writing word line using the same processing. CONSTITUTION: A magnetoresistive RAM comprises an MOS transistor and an MTJ(Magnetic Tunnel Junction)(116). The MOS transistor further includes a reading word line(108) and a writing word line(110). The MTJ(116) is formed on the writing word line(110) and connected to a source contact region(104b) of the MOS transistor. A bit line(118) is electrically connected to the MTJ(116).
摘要翻译：目的：提供一种磁阻RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）及其制造方法，以便通过使用相同的处理形成读取字线和写入字线来简化制造工艺。构成：磁阻RAM包括MOS晶体管和MTJ（磁隧道结）（116）。 MOS晶体管还包括读取字线（108）和写入字线（110）。 MTJ（116）形成在写入字线（110）上并连接到MOS晶体管的源极接触区（104b）。位线（118）电连接到MTJ（116）。

24. 发明公开

KR1020030054686A 바이폴라 접합 트랜지스터를 이용한 마그네틱 램의 기억방법 失效
标题翻译：使用双极晶体管晶体管的磁记忆记忆方法
公开(公告)号：KR1020030054686A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：KR1020010084900
申请日：2001-12-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창석 , 강희복 , 경희 , 장인우
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16
摘要： PURPOSE: A memorizing method of a magnetic RAM(Random Access Memory) using a bipolar junction transistor is provided to the property and credibility of a semiconductor device by generating the magnetic field using a current that flows from an emitter to a collector of the bipolar junction transistor. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(211) is a base of a bipolar junction transistor. An emitter(213a) and a collector(213b) of the bipolar junction transistor are provided on an active region of the semiconductor substrate(211). An MTJ(Magnetic Tunnel Junction) cell(221) is provided on an active region separated between the emitter(213a) and the collector(213b). A word line(223) is provided on an upper portion of the MTJ cell(221). A bit line(235) is connected to the collector(213b). A reference voltage line(227) is connected to the emitter(213a).
摘要翻译：目的：通过使用从双极结的发射极到集电极流动的电流产生磁场，来提供使用双极结型晶体管的磁性RAM（随机存取存储器）的存储方法来实现半导体器件的性质和可信度晶体管。构成：半导体衬底（211）是双极结型晶体管的基极。双极结型晶体管的发射极（213a）和集电极（213b）设置在半导体衬底（211）的有源区上。在发射极（213a）和集电极（213b）之间分离的有源区上设置有MTJ（磁隧道结）单元（221）。字线（223）设置在MTJ单元（221）的上部。位线（235）连接到集电器（213b）。参考电压线（227）连接到发射极（213a）。

25. 发明公开

KR1020030054685A 대칭적인 스위칭 특성을 위한 마그네틱 메모리 셀 失效
标题翻译：用于对称切换属性的磁记忆单元
公开(公告)号：KR1020030054685A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：KR1020010084899
申请日：2001-12-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창석 , 장인우 , 경희
IPC分类号： H01L21/82
摘要： PURPOSE: A magnetic memory cell for symmetric switching property is provided to be capable of reducing demagnetization filed and improving symmetric switching property by controlling coupling field of a pinned layer and a free layer. CONSTITUTION: A magnetic memory cell for symmetric switching property comprises the first ferroelectric layer(21), a spacer(22), a seed layer(23), an anti-ferroelectric layer(24), the second ferroelectric layer(25) as a pinned layer, an insulating layer(26), and a free layer(27). The seed layer(23) and the second ferroelectric layer(25) have same magnetization direction. By controlling the thickness of the spacer(22) and the coupling field, the demagnetization field is reduced.
摘要翻译：目的：提供一种用于对称开关特性的磁存储单元，通过控制固定层和自由层的耦合场，能够减少去磁场，提高对称开关性能。构成：用于对称开关特性的磁存储单元包括第一铁电层（21），间隔物（22），种子层（23），反铁电层（24），第二铁电层（25）钉扎层，绝缘层（26）和自由层（27）。种子层（23）和第二铁电层（25）具有相同的磁化方向。通过控制间隔物（22）的厚度和耦合场，减小退磁场。

26. 发明公开

KR1020030034500A 마그네틱 램 无效
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：KR1020030034500A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020010065455
申请日：2001-10-23
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창석 , 이계남 , 장인우 , 임경식
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/5607
摘要： PURPOSE: A magnetic random access memory(MRAM) is provided to highly integrate a device by connecting one diode with a plurality of resistance varying elements wherein at least two resistance varying elements are connected in series or in parallel to store more bits in one cell. CONSTITUTION: A wordline(133) is formed on a semiconductor substrate(131). A diode(135) composed of n-type/p-type impurity layers is patterned on the wordline. A connection layer(139) is connected to the diode. A resistance varying element-bitline connection pair is composed of the first resistance varying element coupled to the connection layer and the first bitline(145) coupled to the first resistance varying element formed on the connection layer. The connection pair is vertically formed at least two times and is vertical to each adjacent bitline.
摘要翻译：目的：提供磁性随机存取存储器（MRAM）以通过将一个二极管与多个电阻变化元件连接来高度集成器件，其中至少两个电阻变化元件串联或并联连接以在一个单元中存储更多的位。构成：在半导体衬底（131）上形成字线（133）。由n型/ p型杂质层构成的二极管（135）在字线上图案化。连接层（139）连接到二极管。电阻变化元件 - 位线连接对由耦合到连接层的第一电阻变化元件和耦合到形成在连接层上的第一电阻变化元件的第一位线（145）组成。连接对垂直形成至少两次，并且垂直于每个相邻的位线。

27. 发明授权

KR100535046B1 마그네틱 램의 형성방법 失效
标题翻译：一种磁性随机存取存储器的制造方法
公开(公告)号：KR100535046B1
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：KR1020020087083
申请日：2002-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이계남 , 장인우
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/32139
摘要： 본 발명은 마그네틱 램 ( magnetic RAM, 이하에서 MRAM 이라 함 ) 의 형성방법에 관한 것으로,
MRAM 의 제조 공정시 MTJ 셀 및 연결층의 특성 및 신뢰성을 향상시키기 위하여,
상기 연결층용 금속층 상에 MTJ 물질층인 고정자화층, 터널장벽층 및 자유자화층을 적층하고 상기 MTJ 물질층 상부에 하드마스크층을 형성한 다음, MTJ 셀 마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 하드마스크층과 자유자화층을 식각하며 상기 터널장벽층을 노출시키고 전체표면상부에 장벽층을 증착하고 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 상기 절연막 스페이서 및 하드마스크층을 식각 마스크로 하여 상기 터널장벽층, 고정자화층 및 연결층용 금속층을 식각함으로써 MTJ 셀을 형성하는 동시에 연결층을 패터닝하는 공정으로 단순화시키고 식각공정시 유발되는 반응생성물이나 폴리머의 유발을 최소화시킬 수 있도록 하여 반도체소자의 수율, 생산성, 특성 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.

28. 发明授权

KR100506064B1 자기저항 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이 失效
标题翻译：磁阻传感器和感应单元阵列使用相同
公开(公告)号：KR100506064B1
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020020082036
申请日：2002-12-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 임재형 , 정동윤 , 강희복 , 장인우 , 이승석
IPC分类号： G11C11/15
摘要： 본 발명은 자기저항 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이에 관한 것으로, 각각 다른 복수개의 성분으로 구성된 주변 물질들의 성분을 서로 다른 자기장의 검출에 따라 센싱하여 전기적 성분으로 분리 및 분석하도록 하는 기술을 개시한다.
본 발명의 센싱 셀 어레이는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 소자 및 자성물질(전류 라인)을 구비하는 자기저항 센서를 바이오 센서 칩에 복수개의 로오 및 컬럼 형태를 갖는 센싱 셀 어레이로 배치하여, 각각 다른 특성을 띠는 주변물질의 성분에 따라 각각 상이한 자기장을 센싱하여, 분석하고자 하는 주변물질의 성분을 전기적 성분으로 분리하도록 한다.

29. 发明公开

KR1020050063137A 반도체장치 无效
公开(公告)号：KR1020050063137A
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020030094490
申请日：2003-12-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 장인우 , 성진용 , 김진구 , 양영호 , 오상현 , 이계남
IPC分类号： H01L27/115
摘要： 본 발명은 반도체장치에 관한 것으로서 기판 상에 트렌치에 의해 일측의 측면이 노출되는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 층간절연층을 개재시켜 형성될 뿐만 아니라 상기 트렌치의 내부 표면 상에도 형성되어 상기 하부전극의 노출된 측면과 접촉되어 접촉부를 이루는 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 구비하는 데이터 저장부를 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 데이터 저장부가 동일한 방향을 가져 셀들의 하부전극과 트렌치가 동일한 방향으로 형성된다. 따라서, 트렌치를 형성하기 위한 포토 공정시 미스얼라인이 발생되어도 셀들은 접촉부의 면적이 동일하게 되어 균일한 리셋 전류를 가지므로 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

30. 发明授权

KR100487927B1 마그네틱 램의 형성방법 失效
标题翻译：如何形成磁力夯
公开(公告)号：KR100487927B1
公开(公告)日：2005-05-09
申请号：KR1020030049687
申请日：2003-07-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이계남 , 장인우 , 오상현 , 양영호 , 성진용 , 홍석경 , 김진구
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： H01L43/12
摘要： 본 발명은 마그네틱 램 ( magnetic RAM, 이하에서 MRAM 이라 함 ) 의 형성방법에 관한 것으로, 상부 금속층인 자유자화층의 식각으로 인한 식각잔류물로 인하여 하부층인 고정자화층과의 특성 열화를 방지하기 위하여, 할로 이온 임플란트 공정을 이용하여 상기 자유자화층의 식각될 부분을 비정질화시키고 이를 산화시켜 산화막으로 변환시킨 다음, 후속 공정으로 식각하는 MTJ 셀의 패터닝 공정을 실시함으로써 상기 자유자화층의 식각잔류물로 인한 소자의 전기적 특성 열화를 방지할 수 있고 그에 따른 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.

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