专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明授权

KR101774745B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR101774745B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160089231
申请日：2016-07-14
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 아키모토켄고 , 카와에다이스케
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要： 보텀게이트형의박막트랜지스터에있어서, 소스전극과드레인전극의사이에생길우려가있는전계집중을완화하여, 스위칭특성의열화를억제하는구조및 그제작방법을제공한다. 소스전극및 드레인전극위에산화물반도체층을갖는보텀게이트형의박막트랜지스터로하고, 산화물반도체층과접하는소스전극의측면의각도θ1 및드레인전극의측면의각도θ2를 20° 이상 90° 미만으로함으로써, 소스전극및 드레인전극의측면에있어서의전극상단으로부터전극하단까지의거리를크게한다.

22. 发明授权

KR101722905B1 반도체장치, 표시장치 및 전자기기 有权
标题翻译：半导体器件，显示器件和电子器件
公开(公告)号：KR101722905B1
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150033555
申请日：2015-03-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 우오치히데키 , 카와에다이스케
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/127 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F2001/13629 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： 실제동작의저해를저감하고, 노이즈에의한영향을저감한다. 전극과, 전극에전기적으로접속된배선과, 평면에서볼 때상기전극과중첩하는산화물반도체층과, 단면에서볼 때상기전극과상기산화물반도체층사이에설치된절연층과, 상기배선을거쳐상기전극으로부터신호가입력되고, 입력된상기신호에따라동작이제어되는기능회로를갖는구조이며, 산화물반도체층및 절연층과, 배선또는전극을사용해서용량소자를구성한다.
摘要翻译：实际操作的抑制被减少，并且噪声的影响被降低。在平面图中与电极重叠的氧化物半导体层;在横截面图中设置在电极和氧化物半导体层之间的绝缘层;以及经由布线设置在电极和电极之间的绝缘层，并且，功能电路根据输入信号控制动作，电容元件使用氧化物半导体层，绝缘层，配线或电极构成。

23. 发明授权

KR101701418B1 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101701418B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150016111
申请日：2015-02-02
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 오이카와요시아키 , 마루야마호타카 , 고도히로미치 , 카와에다이스케 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/02 , H01L27/32 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/156 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 본발명은산화물반도체층을이용하여, 전기특성이우수한박막트랜지스터를구비한반도체장치를제공하는것을과제의하나로한다. 채널형성영역에 SiOx를포함하는 In-Sn-O계산화물반도체층을이용하여, 전기저항값이낮은금속재료로이루어지는배선층과의콘택트저항을저감하기위하여, 소스전극층및 드레인전극층과상기 SiOx를포함하는 In-Sn-O계산화물반도체층과의사이에소스영역또는드레인영역을형성한다. 소스영역또는드레인영역, 및화소영역은동일층의 SiOx를포함하지않는 In-Sn-O계산화물반도체층을이용한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有使用氧化物半导体层的具有优异电特性的薄膜晶体管的半导体器件。包括SiOX的In-Sn-O系氧化物半导体层用于沟道形成区域。为了降低包含SiOX的In-Sn-O系氧化物半导体层与由电阻低的金属材料形成的布线层之间的接触电阻，在源电极层或漏极之间形成源极区或漏极区层和包含SiOX的In-Sn-O系氧化物半导体层。使用不包含SiOX的In-Sn-O系氧化物半导体层来形成源极区域或漏极区域以及像素区域。

24. 发明公开

KR1020150028795A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150028795A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：KR1020150016111
申请日：2015-02-02
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 오이카와요시아키 , 마루야마호타카 , 고도히로미치 , 카와에다이스케 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/02 , H01L27/32 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/156 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , G02F1/13439
摘要： 본 발명은 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 구비한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
채널 형성 영역에 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 저항값이 낮은 금속 재료로 이루어지는 배선층과의 콘택트 저항을 저감하기 위하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 상기 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층과의 사이에 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다. 소스 영역 또는 드레인 영역, 및 화소 영역은 동일층의 SiOx를 포함하지 않는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有通过使用氧化物半导体层具有优异电性能的薄膜晶体管的半导体器件。为了通过在沟道区域中使用包括SiO x的In-Sn-O系氧化物半导体层，通过使用具有低电阻值的金属材料制成的线路层来降低接触电阻，在源极区域或漏极区域之间形成源极区域或漏极区域电极层和漏电极层以及包含SiOx的In-Sn-O系氧化物半导体层。源极区域或漏极区域以及像素区域使用除了相同层的SiO x以外的In-Sn-O系氧化物半导体层。

25. 发明公开

KR1020120007068A 반도체 장치의 제작 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120007068A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：KR1020117028525
申请日：2010-04-20
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 아키모토켄고 , 카와에다이스케
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1214 , H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L29/78648
摘要： 박막 트랜지스터의 스레시홀드 전압을 제어하기 위해, 박막 트랜지스터의 채널 형성 영역의 상하에 게이트 절연막을 통하여 게이트 전극을 형성했을 때에, 프로세스수의 증가를 초래하지 않고, 전기 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 구비한 반도체 장치를 얻는 것을 과제의 하나로 한다.
산화물 반도체층의 상방에 제공하는 게이트 전극을 형성할 때, 산화물 반도체층의 패터닝과 동시에 형성함으로써, 제 2 게이트 전극의 제작에 필요한 프로세스수의 증가를 삭감한다.
摘要翻译：在薄膜晶体管的氧化物半导体层上设置的栅电极的形成与氧化物半导体层的图案化一起进行。

26. 发明公开

KR1020100051560A 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100051560A
公开(公告)日：2010-05-17
申请号：KR1020090106742
申请日：2009-11-06
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 아키모토켄고 , 카와에다이스케
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to prevent the switching property of a thin film transistor from deteriorating by forming a region for compensating the concentration of electric field between a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: A gate electrode(101) is formed on a substrate with an insulation surface. An insulation layer(102) is formed on the gate electrode. A source electrode(105a) and a drain electrode(105b) are formed on the insulation layer. A buffer layer is formed on the source electrode and the drain electrode. An oxide semiconductor layer(103) is formed on the buffer layer. The oxide semiconductor layer is contact the each lateral side of the drain electrode and the source electrode.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过形成用于补偿源电极和漏电极之间的电场浓度的区域来防止薄膜晶体管的开关特性劣化。构成：在具有绝缘表面的基板上形成栅电极（101）。在栅电极上形成绝缘层（102）。源电极（105a）和漏电极（105b）形成在绝缘层上。在源电极和漏电极上形成缓冲层。在缓冲层上形成氧化物半导体层（103）。氧化物半导体层与漏电极和源电极的每个侧面接触。

27. 发明公开

KR1020100049106A 표시 장치, 이 표시 장치를 구비한 전자기기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有显示装置的显示装置和电子装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100049106A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020107005019
申请日：2008-07-31
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고바야시사토시 , 미야구치아츠시 , 모리야요시타카 , 쿠로카와요시유키 , 카와에다이스케
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/78696 , H01L29/458 , H01L29/78606
摘要： To provide a display device including a thin film transistor in which high electric characteristics and reduction in off-current can be achieved. The display device having a thin film transistor includes a substrate, a gate electrode provided over the substrate, a gate insulating film provided over the gate electrode, a microcrystalline semiconductor film provided over the gate electrode with the gate insulating film interposed therebetween, a channel protection layer provided over and in contact with the microcrystalline semiconductor film, an amorphous semiconductor film provided over the gate insulating film and on a side surface of the microcrystalline semiconductor film and the channel protection layer, an impurity semiconductor layer provided over the amorphous semiconductor film, and a source electrode and a drain electrode provided over and in contact with the impurity semiconductor layer. The thickness of the amorphous semiconductor film is larger than that of the microcrystalline semiconductor film.
摘要翻译：提供一种显示装置，其具有可以实现高电特性和减少截止电流的薄膜晶体管。具有薄膜晶体管的显示装置包括基板，设置在基板上的栅极电极，设置在栅电极上的栅极绝缘膜，设置在栅极上的微晶半导体膜，栅极绝缘膜插入其间，沟道保护设置在所述微晶半导体膜上并与所述微晶半导体膜接触的非晶半导体膜，设置在所述栅极绝缘膜上并且在所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧表面上的非晶半导体膜，设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层，以及源极电极和漏极电极，其设置在杂质半导体层上并与其接触。非晶半导体膜的厚度大于微晶半导体膜的厚度。

28. 发明公开

KR1020090035426A 박막트랜지스터, 및 박막트랜지스터를 가지는 표시장치, 및그들의 제작방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管，具有薄膜晶体管的显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090035426A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020080095347
申请日：2008-09-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 쿠로카와요시유키 , 진보야스히로 , 고바야시사토시 , 카와에다이스케
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78696 , H01L29/458 , H01L27/1214
摘要： A thin film transistor, a display device having a thin film transistor is provided to manufacture a thin film transistor having a high electrical property by using non-crystalline thin film as a channel. A buffer layer(73) is formed on a non crystalline, and a pair of semiconductor films(72) having impurity element is formed on the buffer. Wirings(71a~71c) are formed on the pair of the semiconductor film, and the thickness of the non-crystalline having a donor is between 1nm and 50nm. non-crystalline semiconductor film is non-crystalline containing a silicon film or germanium. The donor is made of phosphorus, arsenic, antimony.
摘要翻译：提供薄膜晶体管，具有薄膜晶体管的显示装置，通过使用非晶体薄膜作为沟道来制造具有高电特性的薄膜晶体管。在非晶体上形成缓冲层（73），在缓冲器上形成具有杂质元素的一对半导体膜（72）。在一对半导体膜上形成布线（71a〜71c），具有供体的非晶体的厚度为1nm〜50nm。非晶体半导体膜是含有硅膜或锗的非晶体。供体由磷，砷，锑制成。

29. 发明公开

KR1020080001620A 반도체장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020080001620A
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020070059837
申请日：2007-06-19
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 쿠로카와요시유키 , 이케다타카유키 , 엔도마사미 , 뎀보히로키 , 카와에다이스케 , 이노우에타카유키
IPC分类号： G06K19/07 , H01L29/786 , H01L27/02 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/07749
摘要： A semiconductor device is provided to prevent data transmitted from the semiconductor device to a reader/writer from being wrongly recognized as data transmitted from the reader/writer to the semiconductor device to improve the reliability of the semiconductor device. A semiconductor device(101) includes an antenna circuit(102), a transmission circuit(103), a receiving circuit(104) and an operation processing circuit(105). The antenna circuit transmits and receives an RF signal, rectifies the RF signal, outputs the rectified RF signal to the transmission circuit, and modulates the RF signal according to a modulation signal inputted from the transmission circuit. The transmission circuit generates the modulation signal from transmission data output from the operation processing circuit, outputs the modulation signal to the antenna circuit and outputs a signal indicating whether the RF signal is transmitted from the antenna circuit to a reader/writer. The receiving circuit generates a demodulation signal from the rectified signal inputted from the antenna circuit and the signal indicating whether the RF signal is transmitted and outputs the demodulation signal to the operation processing circuit. The operation processing circuit performs an operation using the demodulation signal and outputs the transmission data to the transmission circuit.
摘要翻译：提供一种半导体器件，用于防止从半导体器件发送到读取器/写入器的数据被错误地识别为从读取器/写入器传输到半导体器件的数据，以提高半导体器件的可靠性。半导体器件（101）包括天线电路（102），发送电路（103），接收电路（104）和运算处理电路（105）。天线电路发送和接收RF信号，整流RF信号，将经整流的RF信号输出到发送电路，并根据从发送电路输入的调制信号对RF信号进行调制。发送电路从运算处理电路输出的发送数据生成调制信号，将调制信号输出到天线电路，并输出表示RF信号是否从天线电路发送到读写器的信号。接收电路根据从天线电路输入的整流信号和指示RF信号是否发送的信号产生解调信号，并将解调信号输出到运算处理电路。操作处理电路使用解调信号进行操作，并将发送数据输出到发送电路。

30. 发明授权

KR102260789B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR102260789B1
公开(公告)日：2021-06-07
申请号：KR1020200095769
申请日：2020-07-31
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 아키모토켄고 , 카와에다이스케
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/02

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式