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21. 外观设计

KR3003395910000S 失效
公开(公告)号：KR3003395910000S
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR3020020032258
申请日：2002-11-13
申请人： 주식회사 비첼
设计人： 강상규 , 김병인

22. 发明公开

KR1020030037410A ＩｎＧａＮＡｓ 화합물 반도체 박막 및 그 형성 방법 失效
标题翻译：金属化合物半导体薄膜及其生长方法
公开(公告)号：KR1020030037410A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：KR1020010068427
申请日：2001-11-05
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要： PURPOSE: An InGaNAs compound semiconductor thin film and a method for growth thereof are provided to prevent the desorption of nitrogen atoms by effectively adding the nitrogen atoms supplied from a metal organic compound containing Ga-N to the InGaNAs thin film. CONSTITUTION: An InGaNAs thin film(8) is deposited on a lower DBR(Distributed Bragg Reflector)(7) of a compound semiconductor device by using a plurality of precursors. At this time, at least one of the precursors is a metal organic compound containing molecule-type Ga-N. At this time, nitrogen atoms supplied through the metal organic compound having the molecule-type Ga-N are distributed in the InGaNAs thin film(8) with the predetermined concentration, wherein the molecule-type Ga-N has a strong cohesion, thereby protecting the desorption of the nitrogen atoms.
摘要翻译：目的：提供InGaNAs化合物半导体薄膜及其生长方法，通过有效地将含有Ga-N的金属有机化合物的氮原子有效地添加到InGaNAs薄膜来防止氮原子的解吸。构成：通过使用多种前体将InGaNA薄膜（8）沉积在化合物半导体器件的下DBR（分布式布拉格反射器）（7））上。此时，至少一种前体是含有分子型Ga-N的金属有机化合物。此时，通过具有分子型Ga-N的金属有机化合物供给的氮原子以规定浓度分布在InGaNAs薄膜（8）中，其中分子型Ga-N具有强的内聚力，从而保护氮原子的解吸。

23. 实用新型

KR200248896Y1 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：氮化物基半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR200248896Y1
公开(公告)日：2001-11-16
申请号：KR2020010019092
申请日：2001-06-25
申请人： 주식회사 비첼
发明人： 강상규
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/16
摘要： 본 고안은 질화물계 반도체 발광 소자의 칩 생산수율과 그 자체의 광 이용효율을 극대화시킨 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 고안에 의하면 기판(10)상에 질화물계 반도체로 된 활성층(30)과, 이 활성층(30)의 상부 및 하부에 각각 형성된 질화물계 반도체로 된 p형 및 n형 도핑층(50, 20)을 구비하여 이루어진 질화물계 반도체 발광 소자(100)에 있어서, 상기 질화물계 반도체의 결정 구조에 따른 정삼각형을 기본으로 하여, 이들의 조합으로 이루어진 수평 단면 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광 소자가 제공된다.

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