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11. 发明授权

KR102386476B1 반도체 장치 및 그의 구동 방법 有权
公开(公告)号：KR102386476B1
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：KR1020150150145
申请日：2015-10-28
IPC分类号： G11C11/406 , G11C7/04 , G11C7/22 , G11C11/4096
摘要： 반도체장치및 그의구동방법에관한것으로, 복수의제1 메모리영역을포함하는제1 메모리칩; 복수의임시메모리영역을포함하는임시메모리칩; 및상기복수의제1 메모리영역에대응하는제1 액세스정보및 제1 온도판독정보에기초하여상기복수의제1 메모리영역중 제1 액세스대상메모리영역을액세스하거나또는상기복수의임시메모리영역중 제1 임시메모리영역을액세스하기위한제어칩을포함하는반도체장치가제공된다.

12. 发明授权

KR102384880B1 소스 동기식 인터페이스로부터 수신하는 제어 디바이스의 캘리브레이션 有权
公开(公告)号：KR102384880B1
公开(公告)日：2022-04-07
申请号：KR1020177012788
申请日：2015-06-23
IPC分类号： G06F13/42 , G11C7/22 , H03K5/14
摘要： 일례로, 제어디바이스(104)는데이터경로(322), 클록경로(324), 멀티플렉싱회로(315), 및캘리브레이션유닛(302)을포함한다. 데이터경로는샘플링회로(319)의데이터입력에결합된데이터지연유닛(310)을포함한다. 클록경로는샘플링회로의클록입력에결합된클록지연유닛(312)을포함한다. 멀티플렉싱회로는레퍼런스클록또는데이터버스를데이터지연유닛의입력에선택적으로결합시키고, 레퍼런스클록또는소스클록을클록지연유닛의입력에선택적으로결합한다. 캘리브레이션유닛은샘플링회로의데이터출력에결합된다. 캘리브레이션유닛은, 데이터경로와클록경로사이에상대적지연을확립하고유지하기위해서샘플링회로의데이터출력에기초하여데이터지연유닛및 클록지연유닛의지연값들을조정하도록동작가능하다.

13. 发明授权

KR102378304B1 실시간 클럭 디코딩 결정 피드백 등화기가 있는 데이터 리시버를 구비한 장치 有权
公开(公告)号：KR102378304B1
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：KR1020207005924
申请日：2018-07-30
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/06 , G11C11/4091
摘要： 다양한실시예는실시간클럭디코딩결정피드백등화기를갖는데이터수신기를가진장치및 방법을포함한다. 다양한실시예에서, 디지털결정피드백루프는데이터수신기회로에서구현될수 있고, 관련된모든아날로그신호는입력신호데이터레이트에대해정적이다. 구현된데이터수신기회로는상이하지만정적인, 아날로그불균형및 결정-기반클럭디코더를갖는다수의데이터래치를포함할수 있다. 일예에서, 아날로그불균형은상이한기준전압일수 있다. 결정-기반클럭디코더는원하는아날로그불균형을갖는하나의데이터래치만을활성화하도록구성될수 있다. 동일한클럭디코더에부착된래치의출력은활성래치만이최종출력을구동하도록결합될수 있다. 추가의장치, 시스템및 방법이개시된다.

14. 发明授权

KR102359599B1 코드 시프트 산출 회로 및 코드 시프트값의 산출 방법 有权
公开(公告)号：KR102359599B1
公开(公告)日：2022-02-07
申请号：KR1020200073633
申请日：2020-06-17
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/04
摘要： [목적] 드라이브강도코드의편차를없앨수 있는코드시프트산출회로및 코드시프트값의산출방법을제공한다. [해결수단] 코드시프트산출회로의제1 연산회로는, 온도차이값및 드라이브강도코드대 온도의제1 변화율에근거해, 제1 출력값을생성하고, 온도차이값은, 전(前)의 ZQ 커맨드를취득했을때의구 온도와현재의 ZQ 커맨드를취득했을때의현 온도의사이의차이값이다. 코드시프트산출회로의제2 연산회로는, 전압차이값및 드라이브강도코드대 전압의제2 변화율에근거해, 제2 출력값을생성하고, 전압차이값은, 전(前)의 ZQ 커맨드를취득했을때의구 동작전압과현재의 ZQ 커맨드를취득했을때의현 동작전압의사이의차이값이다. 코드시프트산출회로의제3 연산회로는, 제1 출력값과제2 출력값을가산해시프트값을생성하고, 이에따라 ZQ 캘리브레이션을실시한드라이브강도코드를조정한다.

15. 发明授权

KR102345936B1 메모리 디바이스에서 일정한 DQS-DQ 지연을 제공하기 위한 장치들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR102345936B1
公开(公告)日：2022-01-03
申请号：KR1020197035629
申请日：2018-04-18
IPC分类号： G11C7/22
摘要： 메모리디바이스에서일정한 DQS-DQ 지연을제공하기위한장치들및 방법들이설명된다. 예시적인장치는, 메모리내부에데이터스트로브신호경로의루프지연에대응하는지연을제공하도록구성된제 1 조정가능지연라인, 내부데이터스트로브신호경로내에포함되는제 2 조정가능지연라인, 및제 1 및제 2 조정가능지연라인들에결합되며, 데이터스트로브신호경로및 제 1 조정가능지연라인으로부터의출력에응답하여제 2 조정가능지연라인의지연을조정하도록구성되는타이밍제어회로를포함한다.

16. 发明授权

KR102314767B1 지연-고정 루프에서 루프 카운트를 검출하기 위한 장치들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR102314767B1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：KR1020207009635
申请日：2018-09-04
IPC分类号： G11C7/22 , H03L7/081
摘要： 장치들및 방법들이측정초기화프로세스에서분할클록을사용하는지연-고정루프에서의루프카운트를검출하기위해개시된다. 예시적인장치는신호를수신하며제 1 분할신호와상기제 1 분할신호를보완하는제 2 분할신호를생성하도록구성된분할기, 제 1 인에이블기간동안제 1 분할신호를카운트하며제 1 카운트값을생성하도록구성된제 1 회로, 제 2 인에이블기간동안제 2 분할신호를카운트하며제 2 카운트값을생성하도록구성된제 2 회로, 및제 1 및제 2 카운트값들에응답하여제 3 카운트값을생성하도록구성된가산기를포함한다.

17. 发明授权

KR102300123B1 반도체장치 및 반도체시스템 有权
公开(公告)号：KR102300123B1
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：KR1020170068503
申请日：2017-06-01
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/10
摘要： 반도체장치는스트로브신호의주파수가분주되어생성되는제1 내지제4 내부스트로브신호에동기되어생성되는제1 내지제4 입력데이터를지연하여제1 내지제4 지연데이터를생성하는데이터지연회로, 상기제2 내부스트로브신호및 상기제4 내부스트로브신호를지연하여제1 지연스트로브신호및 제2 지연스트로브신호를생성하는스트로브신호지연회로및 상기제1 지연스트로브신호및 제2 지연스트로브신호에동기되어제1 내지제4 지연데이터를정렬하여정렬데이터를생성하는데이터정렬회로를포함한다.

18. 发明授权

KR102295058B1 반도체 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법 有权
公开(公告)号：KR102295058B1
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：KR1020150116758
申请日：2015-08-19
IPC分类号： G11C16/32 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C7/22
摘要： 본발명은반도체메모리장치에관한것이다. 본발명의반도체메모리장치는, 외부장치로부터제 1 타이밍신호를수신하고, 상기제 1 타이밍신호의펄스폭보다긴 펄스폭으로부터점차감소되는펄스폭을갖는제 2 타이밍신호를출력하도록구성되는타이밍회로와상기제 2 타이밍신호를수신하고, 상기제 2 타이밍신호에동기되어상기외부장치로데이터를출력하는데이터입출력회로를포함한다.

19. 发明公开

KR1020210100249A 메모리 장치의 어레이 에지 리피터 有权
公开(公告)号：KR1020210100249A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：KR1020200013721
申请日：2020-02-05
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/06 , G11C8/08 , H03K5/1534 , H03K5/135
摘要： 메모리장치가제공된다. 메모리장치는복수의서브어레이, 행제어부, 열제어부, 복수의감지증폭기, 복수의서브워드드라이버및 리피터를포함한다. 서브어레이각각은서로전기적으로결합된다. 행제어부는적어도하나의서브어레이의행을제어하도록구성된다. 열제어부는서브어레이의적어도하나의열을제어하도록구성된다. 감지증폭기는각각의서브어레이에적응되어데이터액세스동작동안주기적으로인에이블된다. 서브워드드라이버는각각의서브어레이에인접하게배치되고서브어레이에대응하는구동신호를제공한다. 리피터는서브어레이의에지에배치되도록구성된다.

20. 发明授权

KR102282401B1 기준 전압 트레이닝 장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102282401B1
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：KR1020150000046
申请日：2015-01-02
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/10 , G11C7/22
摘要： 기준전압트레이닝장치및 방법이제공된다. 상기기준전압트레이닝장치는토글(toggle) 신호및 기준전압을비교하여비교신호를출력하는비교기부, 상기비교신호의듀티비(duty ratio)를검사하는듀티사이클디텍터부및 상기듀티비가미리설정된조건에만족하는경우에는상기기준전압을확정하고, 상기듀티비가미리설정된조건에만족하지않는경우에상기기준전압의레벨을변경하는기준전압레벨변경부를포함하되, 상기비교기부는상기변경된기준전압을이용하여다시상기비교신호를출력한다.

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