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11. 发明授权

KR101591115B1 적어도 하나의 전류 장벽을 포함한 모서리 방출 반도체 레이저칩 有权
标题翻译：边缘发射半导体激光芯片，具有至少一个电流障碍
公开(公告)号：KR101591115B1
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020107016860
申请日：2008-12-15
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 코니그,하랄드 , 라우어,크리스챤 , 뮬러,마틴 , 레우퍼,마틴 , 메이어,베른드
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S3/08072 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/1014 , H01S5/168 , H01S5/2004 , H01S5/2205 , H01S5/2231 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S5/4081 , H01S2301/18
摘要： 모서리방출반도체레이저칩(1)이기술되며, 상기반도체레이저칩은폭(B)을가진적어도하나의접촉스트립(2), 상기반도체레이저칩(1)의구동시 전자기복사를생성하는활성영역(14), 상기접촉스트립(2)의서로다른측에배치되며상기접촉스트립(2)의종방향으로연장되는적어도 2개의전류장벽(4)을포함하며, 상기전류장벽(4) 중적어도하나와접촉스트립(3) 사이의최대간격(V)은상기최대간격(V) 대폭(B)의비율(V/B)가 1보다크도록선택된다.

12. 发明公开

KR1020160008709A 테라헤르츠 대역에서 동작하는 무전압 트랜스시버 有权
标题翻译：在TERAHERTZ频率中没有偏置电压的收发器
公开(公告)号：KR1020160008709A
公开(公告)日：2016-01-25
申请号：KR1020140088578
申请日：2014-07-14
申请人： 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 전태인 , 노삼규 , 지영빈 , 오승재 , 박현상 , 정기영 , 김상훈 , 박동우 , 김준오
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/10
摘要： 본발명은테라헤르츠(terahertz, THz) 대역에서동작하는무전압트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는, 기판; 상기기판상에위치하고, THz파는전송하고바이어스전압을사용하지않는송신기(Tx); 및상기 Tx와일정간격이격되게위치하고 THz파를검출하는수신기(Rx)를포함하되, 상기 Tx는일정한두께및 선폭을가지는금속선로로구성되고, 상기 Rx는, 상기기판상에위치하는제2 활성층; 및상기제2 활성층상에위치하는광전도안테나를포함한다. 상기한구성에의해본 발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는바이어스전압을사용하지않아신호대잡음비가현저히개선되고, 피크전력이낮은레이저펄스를사용할수 있으며, 인체를대상으로해야하는의료진단용장비에적용되는경우에도안전하게사용될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及在太赫兹（THz）频带中操作的零电压收发器。根据本发明的在THz频带工作的零电压收发器包括：基板; 位于基板上的发射器（Tx）发射太赫兹波，不使用偏置电压; 以及接收器（Rx），其被定位成在一定距离处与Tx分离并且检测太赫兹波。 Tx包括具有一定厚度和线宽的金属线。 Rx包括位于衬底上的第二有源层; 以及位于第二有源层上的感光天线。根据本发明的在THz频带工作的零电压收发器不使用偏置电压，从而显着提高信号与噪声的比率，可以使用具有低峰值功率的激光脉冲，并且即使应用于用于人体的医疗诊断设备。

13. 发明公开

KR1020150037863A 소형 포토닉 플랫폼 无效
标题翻译：紧凑的光电平台
公开(公告)号：KR1020150037863A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020157001697
申请日：2012-07-30
申请人： 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피
发明人： 리앙디 , 파탈데이비드에이 , 피오렌티노마르코 , 펭젠 , 산토리찰스엠 , 보솔레일레이몬드지
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/125 , H01S5/10 , G02B6/34 , H01S5/12 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/125 , G02B6/34 , G02B2006/12121 , G02B2006/12166 , H01S5/1032 , H01S5/1035 , H01S5/105 , H01S5/1085 , H01S5/1203 , H01S5/125
摘要： 소형포토닉플랫폼및 그형성방법이제공된다. 소형포토닉플랫폼의예는길이축을따른활성영역을갖는적층구조와, 활성영역의적어도 1개의길이방향단부에형성된임계각보다작지않은각도를갖는면과, 도파관으로빠져나가거나또는도파관으로부터들어오는광을결합하기위해각도를갖는면에맞추어위치된적어도 1개의격자결합기를갖는도파관을포함한다.

14. 发明公开

KR1020140134702A 계단식 단계로 이루어진 액티브 코어를 갖는 중-적외선 다중파장 연접 분포 궤환형 레이저용 도파관 구조물 审中-实审
标题翻译：用于中红外多波长的波形结构分布式反馈激光器具有级联的活动核心
公开(公告)号：KR1020140134702A
公开(公告)日：2014-11-24
申请号：KR1020147028534
申请日：2013-03-19
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 카뉴,캐서린쥬느비에브 , 시,팽 , 자,청-엔
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/34 , H01S5/0625 , H01S5/12 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/20 , B82Y20/00 , G01N21/17 , G02B6/102 , H01S5/028 , H01S5/06258 , H01S5/1032 , H01S5/1215 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/34313 , H01S5/4087 , H01S2301/166
摘要： 신규 도파관을 갖는 연접 분포 궤환형 레이저가 개시된다. 상기 도파관은 액티브 및 패시브 도파관 구조 간에 레이저 빔의 커플링, 그리고 개선된 디바이스 설계 및 출력 효율을 가능하게 한다. 이러한 디바이스를 사용하는 방법과 함께 제조방법 역시 개시된다.
摘要翻译：公开了具有新颖波导的并联分布式反馈激光器。波导允许在有源和无源波导结构之间耦合激光束，并改善器件设计和输出效率。还公开了使用这种装置的方法的方法。

15. 发明公开

KR1020140089925A 공진기, 파장 가변 필터 및 파장 가변 레이저 다이오드 审中-实审
标题翻译：谐振器，可变波长光学滤波器和可变波长激光二极管
公开(公告)号：KR1020140089925A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130001994
申请日：2013-01-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오광룡
IPC分类号： H01S5/10 , H01S3/0941
CPC分类号： G02B6/10 , G01J3/10 , G01J3/26 , G02B6/29358 , H01S5/0287 , H01S5/06 , H01S5/101 , H01S5/142
摘要： The present invention relates to a variable wavelength diode. The variable wavelength diode of the present invention secures the high speed variation and continuous variation of a beam by using multiple cylindrical lenses and a resonator where slab waveguides having different resonance lengths are formed on a planar lightwave circuit (PLC).
摘要翻译：本发明涉及可变波长二极管。本发明的可变波长二极管通过使用多个柱面透镜和在平面光波电路（PLC）上形成具有不同共振长度的平板波导）的谐振器来确保光束的高速变化和连续变化。

16. 发明公开

KR1020130036212A 광전자 반도체 칩 无效
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：KR1020130036212A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：KR1020127025304
申请日：2011-02-23
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 아이힐러,크리스토프 , 레르머,테레사 , 아브라메스쿠,아드리안슈테판
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/18
摘要： 본 발명은 광전자 반도체 칩에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 광전자 반도체 칩(1)의 적어도 한 가지 실시 예에서 상기 광전자 반도체 칩은 기판(2) 그리고 상기 기판(2) 상에서 에피택셜 방식으로 성장한 반도체 층 시퀀스(3)를 포함한다. 상기 반도체 층 시퀀스(3)는 질화물-화합물 반도체 재료를 기본으로 하고, 전자기 방사선을 형성하기 위한 적어도 하나의 활성 구역(4) 그리고 상기 활성 구역(4)에 직접적으로 또는 간접적으로 인접하는 적어도 하나의 도파관 층(5)을 포함하며, 이 경우에는 하나의 도파관(45)이 형성된다. 또한, 상기 반도체 층 시퀀스(3)는 상기 활성 구역(4)의 p-도핑 측에는 상기 도파관 층(5)에 인접하는 p-피복 층(6p)(cladding)을 그리고/또는 상기 활성 구역(4)의 n-도핑 측에는 n-피복 층(6n)을 포함한다. 상기 도파관 층(5)은 상기 피복 층(6n, 6p)에 직접적으로 또는 간접적으로 인접한다. 이 경우에 도파관을 관통하는 모드(M)의 유효 굴절률(n
eff )은 기판(2)의 굴절률보다 크다.

17. 发明授权

KR101208030B1 외부 공진 레이저 광원 有权
标题翻译：外腔激光光源
公开(公告)号：KR101208030B1
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020090024623
申请日：2009-03-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오수환 , 윤기홍 , 김기수 , 오대곤
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/20 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/14 , H01S5/028 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/164 , H01S5/2231
摘要： 외부공진레이저광원이제공된다. 이광원은기판, 기판상에수동도파로층, 하부클래드층, 활성층및 상부클래드층이순차적으로적층되되, 직선도파로영역, 굽은도파로영역, 테이퍼진 도파로영역및 윈도우영역을구비하는리지형광 도파로, 활성층주위에제공되어, 활성층외부로의전류흐름을차단하는전류차단층을포함한다. 직선도파로영역및 굽은도파로영역은매립형이종구조로이루어지고, 테이퍼진 도파로영역은매립형리지스트라이프구조로이루어진다. 수동도파로층은적어도굽은도파로영역, 테이퍼진 도파로영역및 윈도우영역에서테이퍼진 도파로영역의최대폭과실질적으로동일한폭으로제공되는것을특징으로한다.

18. 发明公开

KR20120070836A Multi-wavelength optical source generator 审中-公开
标题翻译：多波长光源产生器
公开(公告)号：KR20120070836A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR20100132324
申请日：2010-12-22
申请人： KOREA ELECTRONICS TELECOMM
发明人： KWON OH KEE , LEE CHUL WOOK , LEE DONG HUN , LEEM YOUNG AHN , BAEK YONG SOON
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/10
CPC分类号： H04J14/02 , G02B6/12007 , G02B6/124 , G02B6/2813 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0268 , H01S5/1237 , H01S5/125 , H01S5/4012 , H01S5/4087 , H04B10/506
摘要： PURPOSE: An apparatus for generating multi-wavelength light is provided to have high single mode stability and high yield according to transmission spectra, reduce light loss, improve element reliability, and increase the coupling efficiency of lights. CONSTITUTION: A high reflective coating film(110) is formed on a cross-section of a gain portion(120). The high reflective coating film can be composed of mirror elements having high reflection or a metal or dielectric thin film coating surface. The gain portion generates multi-wavelength lights. Each channel included in the gain portion includes a gain waveguide for providing gains to generated light. A reflecting portion(130) again reflects the lights entering from the gain waveguide to the gain portion. A multiplexing portion(140) multiplexes single mode lights generated in each channel of a distributed bragg reflector laser.
摘要翻译：目的：提供一种产生多波长光的装置，以根据透射光谱具有高单模稳定性和高产量，降低光损耗，提高元件可靠性，并提高灯的耦合效率。构成：在增益部分（120）的横截面上形成高反射涂膜（110）。高反射涂膜可以由具有高反射率的反射镜元件或金属或电介质薄膜涂覆表面组成。增益部分产生多波长光。包括在增益部分中的每个通道包括用于向生成的光提供增益的增益波导。反射部分（130）再次将从增益波导进入的光反射到增益部分。复用部分（140）复用在分布式布拉格反射器激光器的每个通道中产生的单模光。

19. 发明公开

KR1020120038766A 파장 가변 외부 공진 레이저 발생 장치 有权
标题翻译：波长管外部腔体激光发生装置
公开(公告)号：KR1020120038766A
公开(公告)日：2012-04-24
申请号：KR1020100100401
申请日：2010-10-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현수 , 윤기홍 , 김기수 , 최병석 , 권오균
IPC分类号： H01S5/10 , H01S3/08
CPC分类号： H01S5/142 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/34306
摘要： PURPOSE: An apparatus for generating wavelength tunable external cavity laser is provided to increase the degree of integration by integrating an optical amplifier, a comb shaped reflector, an optical modulator on a single substrate into a successive waveguide. CONSTITUTION: An optical amplifier(130), a comb shaped reflector(140), and an optical signal processor(150) are offered to a first substrate. An external wavelength tunable reflector(220) connected to the optical amplifier is offered to a second substrate contiguous to the first substrate. The comb shaped reflector includes a wave guide offered to the first substrate and a first diffraction lattice offered to one end of the wave guide which is contiguous to the optical amplifier. The comb shaped reflector includes a second diffraction grating offered to the other end of the wave guide which is contiguous to the optical signal processor The optical amplifier, the comb shaped reflector, and the optical signal processor constitute a successive wave guide.
摘要翻译：目的：提供一种用于产生波长可调谐外腔激光器的装置，以通过将单个基板上的光放大器，梳状反射器，光调制器集成到连续波导中来增加积分度。构成：向第一基板提供光放大器（130），梳形反射器（140）和光信号处理器（150）。连接到光放大器的外部波长可调谐反射器（220）被提供给与第一基板邻接的第二基板。梳状反射器包括提供给第一基底的波导和提供给与光学放大器相邻的波导的一端的第一衍射格。梳状反射器包括提供给波导的另一端的第二衍射光栅，其与光信号处理器相邻。光放大器，梳形反射器和光信号处理器构成连续的波导。

20. 发明公开

KR1020110097006A 질화물 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：制造氮化物半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110097006A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016612
申请日：2010-02-24
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 전기성
IPC分类号： H01S5/10 , H01L33/16 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/1053 , H01L33/16 , H01S5/0211
摘要： 비극성 질화물 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 비극성 (1-100)면 기판을 준비하는 단계와, 의 a 방향과 의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 기판 위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계와, 의 a 방향과 의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 활성층 위에 제 2 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1, 제 2 반도체층 위에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.

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