专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明授权

KR1019960016508B1 전기시스템의부하제어용전력스위칭회로 失效
标题翻译：具有集成低电压电路的高压半导体
公开(公告)号：KR1019960016508B1
公开(公告)日：1996-12-12
申请号：KR1019880006835
申请日：1988-06-08
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 필립하비버드 , 데이비드제임스코이 , 아르트게르리트코르테링 , 데이비드헨리팩스맨
IPC分类号： H03K17/284
CPC分类号： H01L27/0922 , G05F3/24 , H03K17/06 , H03K17/0822

12. 发明公开

KR1020170101975A 아날로그-디지털 컨버터 审中-实审
标题翻译：模数转换器
公开(公告)号：KR1020170101975A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020177021372
申请日：2014-12-30
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 카이유 , 장춘후이 , 헤지팡
IPC分类号： G02F7/00 , G02B27/10
CPC分类号： H03M1/146 , G01N15/1436 , G01N15/1459 , G02F7/00 , G11C27/02 , G11C27/024 , G11C27/026 , H03K17/06
摘要： 본발명은, 빔스플리터(1), M개의광검출기(2), M개의증폭기모듈(3), 및인코더(4)를포함하는아날로그-디지털컨버터를제공한다. 빔스플리터(1)의각 출력단은광검출기(2)의입력단에대응하고, 각광검출기(2)의출력단은증폭기모듈(3)의입력단에연결되며, 각증폭기모듈(3)의출력단은인코더(4)의입력단에연결된다. 빔스플리터(1)는입력되는아날로그광 신호를 M개의광 신호로분할하고, 각각의광 신호를전류신호로변환하기위해서각각의광 신호를대응하는광검출기(2)로출력하고, 출력전압을생성하기위해서각각의전류신호를대응하는증폭기모듈(3)로입력하고, 출력전압을인코더(4)의대응하는입력단으로출력한다. 빔스플리터(1)의출력신호의전력, 또는 M개의광검출기(2)의변환효율, 또는 M개의증폭기모듈(3)의증폭배수, 또는 M개의서로다른판정전압이설정될수 있어서, 인코더(4)(는 M개의출력전압과판정전압사이의비교의판정결과에따라디지털신호를출력할수 있다. 이러한방식으로, ADC 속도가향상될수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种包括分束器（1），M个光电检测器（2），M个放大器模块（3）和编码器（4）的模数转换器。分束器1的输出端对应于光检测器2的输入端，并且光检测器2的输出端连接到放大器模块3的输入端。每个放大器模块3的输出端连接到编码器4，一个被连接到输入端子。分束器1将输入的模拟光信号分成M个光信号，并将每个光信号输出到相应的光检测器2，以便将每个光信号转换成电流信号，每个电流信号被输入到相应的放大器模块3，并且输出电压被输出到编码器4的对应输入端子。分束器1的输出信号的功率或M个光电探测器2或放大器模块3的M个幅度倍增器或M个不同的判定电压的转换效率可以被设置为使得编码器4 ）可以根据M个输出电压与判断电压的比较结果判断输出一个数字信号，这样可以提高ADC的速度。

13. 发明授权

KR101648995B1 전력 증폭기 포화 검출 有权
公开(公告)号：KR101648995B1
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020117012245
申请日：2009-10-26
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 앤드라이스,폴,알. , 시,테리,제이. , 제라드,마이클,엘.
IPC分类号： H03F3/20 , H04B1/40
CPC分类号： H03K17/06 , G11C7/067 , H03F1/0216 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F2200/171 , H03F2200/451 , H03G3/007 , H03G3/3042 , H03G11/02 , H04B2001/0408
摘要： 휴대용무선송수신기에서, 전력증폭기시스템은증폭기트랜지스터컬렉터전압파형의듀티사이클에응답하여전력증폭기포화를검출하는포화검출기를포함한다. 포화검출출력신호는전력제어회로에의해전력증폭기제어루프포화를방지하기위해전력증폭기의증폭레벨을완화하거나줄이는데 사용될수 있다.

14. 发明公开

KR1020160055030A 외부 핀에 의해 조작 모드를 조정할 수 있는 구동 회로 有权
标题翻译：通过外部引脚调整操作模式的驱动电路
公开(公告)号：KR1020160055030A
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140174936
申请日：2014-12-08
申请人： 타이완 세미컨덕터 컴퍼니, 리미티드
发明人： 치앙,유에-후아
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/687
CPC分类号： H05B33/0815 , H03K17/687 , H05B33/0818 , H05B33/0845 , H03K17/06 , H03K17/063
摘要： 조작모드제어회로와구동처리회로를포함하는외부핀에의해조작모드를조정할수 있는구동회로에있어서, 조작모드제어회로는전류미러회로, 저항, 커패시턴스및 비교기를포함하고, 비교기의제1 비교입력단은참고전압을수신하기위한것이고, 제2 비교입력단은전류미러회로의제2 출력단과커패시턴스에커플링결합되며, 전류미러회로는저항의전류에따라커패시턴스를충전시키는충전전류를발생하고, 제2 비교입력단의충전전압이참고전압에도달할때 트리거신호를출력한다. 구동처리회로는트리거신호를수신하여수동형구동회로의스위치의도통시간을제어한다. 여기서, 저항의일단또는커패시턴스의일단을외부핀으로설치하여저항의저항값과커패시턴스의커패시턴스값중의어느하나를선택함으로써수동형구동회로의조작모드를선택한다.
摘要翻译：驱动电路可以通过使用外部引脚来调整操作模式，并且包括操作模式控制电路和驱动处理电路。操作模式控制电路包括电流镜电路，电阻器，电容单元和比较单元。比较单元具有用于接收参考电压的第一比较输入级和耦合到电容单元的第二比较输入级和电流镜电路的第二输出级。电流镜电路产生充电电流，该充电电流根据电阻器的电流对电容单元进行充电，并且当第二比较输入级的充电电压达到参考电压时，输出触发信号。驱动处理电路通过接收触发信号来控制手动驱动电路中包含的开关的导通时间。将电阻器的一端或电容单元的一端安装为外部引脚，通过选择电阻的电阻值和电容单元的电容值来选择手动驱动电路的工作模式。

15. 发明授权

KR101548171B1 회로 장치 및 전자 기기 有权
标题翻译：电路设备和电子设备
公开(公告)号：KR101548171B1
公开(公告)日：2015-08-28
申请号：KR1020140030699
申请日：2014-03-17
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 이노우에카츠미
IPC分类号： H02P7/28
CPC分类号： H02P6/085 , H02M7/5387 , H02M2003/1555 , H02P7/285 , H03K17/06 , H03K17/165 , H03K2217/0045
摘要： 스위칭소자의드레인에유도성부하에의해발생한역(逆)기전력이인가된경우, 스위칭소자의게이트가드레인-게이트간 용량의용량결합에의해게이트전위를본래의전위와반대방향으로끌어당겨오동작하는경우가있다. 이대책으로서역방향으로끌어당기는스위치소자를형성하고, 역기전력이가해지는타이밍에서그 스위치소자가 ON하도록제어한다.

16. 发明公开

KR1020150070020A 문턱전압의 오프 스테이트 스트레스 저하 복원 有权
标题翻译：恢复阈值电压的非状态应力降解
公开(公告)号：KR1020150070020A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：KR1020140179599
申请日：2014-12-12
申请人： 아이엠이씨 브이제트더블유
发明人： 스페솟,알레시오 , 조,문주
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/06
CPC分类号： H03K17/165 , G01R31/2621 , H03K3/011 , H03K17/145 , H03K17/687 , H01L27/02 , H03K17/06 , H03K17/14 , H03K17/6871
摘要： 본원은오프스테이트스트레스저하에의한 FET 트랜지스터의문턱전압레벨의변화를적어도일부분보상하는방법에관한것이다. 상기방법은기준문턱전압에대해상기 FET의문턱전압레벨의변화를지시하는신호를결정하는단계(12), 및상기 FET에복원신호를인가하는단계(15)를포함한다. 상기복원신호는상기 FET의상기문턱전압이문턱전압레벨의상기변화에대한반대부호를갖는방향으로이동하도록조정된다. 더나아가상기복원신호를인가하는단계는문턱전압레벨의상기변화를지시하는상기신호를고려한다.
摘要翻译：本发明涉及用于补偿由于截止状态应力的降低而导致的FET的阈值电压电平的变化的至少一部分的方法。该方法包括：步骤（12），确定指示FET相对于参考阈值电压的阈值电压电平变化的信号; 以及向FET施加恢复信号的步骤（15）。恢复信号被调整为在FET的阈值电压相对于阈值电压电平的变化具有相反代码的方向上移动。此外，应用恢复信号的步骤考虑指示阈值电压电平的变化的信号。

17. 发明公开

KR1020140103776A 단로기와 접지 개폐기의 통합 제어기 有权
标题翻译：集成开关和接地开关的控制器
公开(公告)号：KR1020140103776A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017674
申请日：2013-02-19
申请人： 엘에스산전 주식회사
发明人： 최용길 , 김영우
IPC分类号： H01H33/59 , H01H33/48 , H01H31/00 , H03K17/06 , H02B13/035 , H02B13/075
CPC分类号： H01H33/59 , H01H31/003 , H01H33/48 , H02B13/035 , H02B13/075 , H03K17/06
摘要： The present invention relates to an integrated controller of a disconnect switch and an earth switch, in which a controller of the disconnect switch and a controller of the earth switch are integrated. The integrated controller of the disconnect switch and the earth switch according to the present invention, which is an integrated controller controls power provided to the disconnect switch and the earth switch based on the power supplied from a circuit breaker, comprises the following: a close switch which receives a positive voltage and a negative voltage supplied from the circuit breaker, and supplies the positive voltage and negative voltage to the disconnect switch and a NOT gate; an open switch which receives the positive voltage and negative voltage from the circuit breaker and supplies the positive voltage and negative voltage to disconnect switch and the NOT gate; and the NOT gate which performs a NOT operation on the positive voltage and negative voltage supplied from the close switch or the open switch and outputs a result of the operation.
摘要翻译：本发明涉及一种断开开关和接地开关的集成控制器，其中断开开关的控制器和接地开关的控制器被集成。作为集成控制器的根据本发明的断开开关和接地开关的集成控制器基于从断路器提供的电力来控制提供给断开开关和接地开关的电力包括以下：闭合开关其接收从断路器提供的正电压和负电压，并将正电压和负电压提供给断开开关和非门; 从断路器接收正电压和负电压并将正电压和负电压提供给断开开关和非门的开路开关; 以及对从关闭开关或开路开关提供的正电压和负电压执行NOT运算的NOT门，并输出运算结果。

18. 发明公开

KR1020130132523A 제1반도체 소자 및 복수의 제2반도체 소자를 가진 반도체 소자 장치 有权
标题翻译：具有第一半导体器件的半导体器件布置以及多个第二半导体器件
公开(公告)号：KR1020130132523A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020137017737
申请日：2012-01-09
申请人： 인피니언 테크놀로지스 오스트리아 아게
发明人： 베이스롤프 , 힐러프란츠 , 펠트켈러마틴 , 드보이제랄드 , 스테쳐마티아스 , 빌메로스아민
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L27/0886 , H01L27/098 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/78 , H01L29/7817 , H01L29/7824 , H01L29/7825 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H03K17/06 , H01L29/7804 , H01L29/66477 , H01L29/7393 , H01L29/7802
摘要： 부하 경로를 가진 제1반도체 소자, 및 각각 제1 및 제2부하 단자 사이에 부하 경로 및 제어 단자를 가지는 복수의 제2트랜지스터들을 포함하는 반도체 소자 장치가 개시된다. 제2트랜지스터들은 직렬 연결되고 제1트랜지스터의 부하 경로에 직렬 연결되는 부하 경로들을 가지고, 제2트랜지스터들 각각은 나머지 제2트랜지스터들 중 하나의 부하 단자에 연결되는 제어 단자를 가지며, 제2트랜지스터들 중 하나는 제1반도체 소자의 부하 단자들 중 하나에 연결되는 제어 단자를 가진다.

19. 发明公开

KR1020130113204A 하이측 게이트 드라이버, 스위칭 칩, 및 전력 장치 审中-实审
标题翻译：高侧门驱动器，开关芯片和电源装置
公开(公告)号：KR1020130113204A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120035598
申请日：2012-04-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최현식 , 김호정 , 신재광 , 정우인
IPC分类号： H03K17/687 , H02M1/08
CPC分类号： H03K3/00 , G05F3/02 , H01L2924/0002 , H03K17/06 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A high side gate driver, a switching chip, and a power device thereof are provided to prevent a destruction phenomenon generated by applying a high voltage to switching elements. CONSTITUTION: A high side gate driver (HGD) comprises a first low level driving power source, a protection element, and a first switching element (SW1). The first low level driving power source turns on a high side normally-on switch (HS). The production device and the first switching device serially connect the first low level driving power source to the gate of the high side normally-on switch. The protection element includes an additional normally-on switch. The additional normally-on switch increases the voltages applied to the gate and reduces the surface of the high side normally-on switch.
摘要翻译：目的：提供高侧栅极驱动器，开关芯片及其功率器件，以防止对开关元件施加高电压而产生的破坏现象。构成：高侧栅极驱动器（HGD）包括第一低电平驱动电源，保护元件和第一开关元件（SW1）。第一个低电平驱动电源打开高边正常开关（HS）。生产装置和第一开关装置将第一低电平驱动电源串联连接到高侧常开开关的栅极。保护元件包括一个额外的常开开关。额外的常开开关增加了施加到栅极的电压并降低了高边常开开关的表面。

20. 发明授权

KR101297460B1 게이트 구동 장치 有权
标题翻译：驱动门的装置
公开(公告)号：KR101297460B1
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：KR1020120042883
申请日：2012-04-24
申请人： 엘에스산전 주식회사
发明人： 정재석 , 남경훈 , 강성희 , 김종배
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H03K17/161 , H03K17/04123 , H03K17/06 , H03K19/01721
摘要： PURPOSE: A gate driving device is provided to prevent a drop in an output voltage and reduce a chip size by connecting an NMOS and a PMOS to the upper side of an output terminal in parallel and the NMOS to the lower side. CONSTITUTION: A gate driving device (30) includes a first switching device; a second switching device which outputs a signal charging the capacitance of the first switching device; a third switching device which is connected to the second switching device in parallel and prevents a drop in a voltage outputted from the second switching device; and a fourth switching device which outputs a signal discharging the capacitance of the first switching device. The first switching device is an insulated gate bipolar transistor (34). The second switching device and the fourth switching device are NMOS transistors (31,32). The third switching device is a PMOS transistor (33). [Reference numerals] (35) Driver
摘要翻译：目的：提供一种栅极驱动装置，用于通过将NMOS和PMOS并联到输出端的上侧并将NMOS连接到下侧来防止输出电压下降并降低芯片尺寸。构成：门驱动装置（30）包括第一开关装置; 第二开关装置，其输出对第一开关装置的电容充电的信号; 第三开关装置并联连接到第二开关装置，防止从第二开关装置输出的电压的下降; 以及输出对第一开关器件的电容放电的信号的第四开关器件。第一开关器件是绝缘栅双极晶体管（34）。第二开关器件和第四开关器件是NMOS晶体管（31,32）。第三开关器件是PMOS晶体管（33）。（附图标记）（35）驱动器

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式