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    • 11. 发明公开
    • 마이크로구조 진단용 샘플을 제조하기 위한 방법, 및 마이크로구조 진단용 샘플
    • 微结构诊断样本制备方法及微结构诊断样本
    • KR1020160143564A
    • 2016-12-14
    • KR1020160069488
    • 2016-06-03
    • 프라운호퍼-게젤샤프트 추르 푀르데룽 데어 안제반텐 포르슝 에 파우
    • 크라우제미하엘슈써게오르크회헤토마스
    • G01N1/32G01N1/04
    • G01N1/44G01N1/286G01N1/32G01N2001/2886H01J37/20H01J37/31H01J2237/204H01J2237/2602H01J2237/31745H01J2237/31749G01N1/04G01N2001/045
    • 마이크로구조진단용샘플 (P) 을제조하기위한방법에서, 미리정할수 있는형태를갖는샘플보디 (PK) 는재료-삭마레이저빔 프로세싱을통하여기판으로부터제조된다. 추후에, 마이크로구조검사에적합한타겟체적 (ZV) 을노출시키도록레이저빔 프로세싱및/또는이온빔 프로세싱을통하여샘플보디의타겟부분 (ZA) 이추가로프로세싱된다. 상기방법은다음단계들: (a) 샘플보디가발생하도록기판표면에수직으로그리고/또는비스듬히적어도하나의레이저빔을방사함으로써적어도하나의레이저프로세싱작동에의해상기기판으로부터상기샘플보디 (PK) 를릴리스하는단계로서, 상기샘플보디는샘플보디상단측 (PO) 에서상기기판표면의영역에의해, 그리고, 측방향으로, 상기기판표면에대해비스듬히또는수직으로배향되는측면들에의해구획되고, 상기샘플보디의형태가생성되고, 상기형태는적어도하나의단단한핸들링부분 (HA1, HA2), 및상기핸들링부분에인접한, 상기핸들링부분에비해더 얇은타겟부분 (ZA) 을가지고, 상기타겟부분은협측에서상기샘플보디상단측 (PO) 에의해, 그리고, 측방향으로, 상기샘플보디상단측에대해수직으로또는비스듬히연장되는측면들에의해구획되는, 상기기판으로부터상기샘플보디 (PK) 를릴리스하는단계; (b) 상기샘플보디와분리되어있고규정된수용위치에서상기샘플보디를수용하기위해상기샘플보디의형태에적합화된수용구조들 (AST) 을가지는샘플보디홀더 (PH) 를제조하는단계; (c) 상기기판으로부터릴리스된상기샘플보디를제거하는단계; (d) 상기기판으로부터제거된상기샘플보디 (PK) 를, 상기샘플보디홀더의상기수용구조들에부착하여서, 상기샘플보디가상기수용위치에있는단계; (e) 상기타겟체적을노출하기위해레이저빔 프로세싱및/또는이온빔 프로세싱에의해상기타겟부분의영역에서상기샘플보디의적어도하나의측면의적어도하나의추가재료-삭마프로세싱단계를수행하는단계를포함한다.
    • 用于微结构诊断的样品包括具有容纳结构的样品体保持器,以将样品主体容纳在限定的容纳位置; 以及至少一个样本体,其与样本体保持器分离地产生,所述样本体具有至少一个固体处理部分,并且邻近所述处理部分相对于所述处理部分更薄的目标部分,所述目标部分在狭窄侧限定 通过样本体顶侧,并且横向地,以相对于样本体顶侧垂直或倾斜的方式延伸的侧面,样本体被固定到住宿位置中的住宿结构。
    • 15. 发明公开
    • 모서리 라운딩부를 교정하는 전자빔 리소그래피 방법
    • 电子光栅的方法与角膜矫正的比较
    • KR1020130073882A
    • 2013-07-03
    • KR1020127028137
    • 2011-04-13
    • 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
    • 마나클리,세다르
    • H01J37/317G03F7/20
    • H01J37/31B82Y10/00B82Y40/00G03F1/78G03F7/2061G03F7/2063H01J37/3174
    • 본 발명은 전자빔 리소그래피 방법에 관한 것이며, 특히, 35㎚의 임계 선폭을 갖는 식각될 패턴의 경우, 특히, 인접한 패턴들의 모서리 라운딩의 효과를 갖고 식각되는 구성요소의 디자인의 신뢰도 문제를 해결하는 직접-쓰기 전자빔 리소그래피 방법에 관한 것이다. 본 발명은 임계 패턴을 결정하는 단계와, 외부 또는 내부 모서리 라운딩 효과에 따라 선택되는 치수와 사이트를 갖는 교정 패턴의 제거에 의해 교정 패턴을 결정하는 단계와, 교정된 디자인을 식각하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 임계 패턴의 파라미터를 고려하여 교정 모델을 계산함으로써 교정이 이뤄질 수 있다. 바람직하게는, 식각될 블록의 변부를 리사이징하고, 이와 함께, 에너지 래티튜드에 의한 복사 선량의 변조의 최적화에 의해, 상기 방법의 근접 효과의 교정이 수행된다. 바람직하게는, 리스케일링 및 부정 함수와 eRIF 함수가 파라미터를 최적화하고 압출을 구현하도록 사용될 수 있다.
    • 通过直接写入的电子束光刻的方法通过对连续图案的角进行四舍五入来解决蚀刻部件的设计的可靠性,特别是在要蚀刻的关键尺寸为35nm的图案中。 该方法通过减去尺寸校正和位置校正的方式来确定关键模式和校正模式,作为要校正的外部或内部角落的舍入以及校正设计的蚀刻的函数。 可以通过考虑关键模式的参数的校正模型来进行校正。 还通过调整辐射剂量的调节来调整由能量纬度优化的待蚀刻块的边缘的大小来进行这些方法特有的邻近效应的校正。 可以使用重新缩放和否定函数和eRIF函数来优化参数和实现挤出。