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11. 发明授权

KR100854413B1 서미스터 및 제조 방법 失效
标题翻译：热敏电阻及其制造方法
公开(公告)号：KR100854413B1
公开(公告)日：2008-08-26
申请号：KR1020020004097
申请日：2002-01-24
申请人： 코너스톤 센서스, 인코포레이티드
发明人： 라베누타그렉
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H04L67/025 , G01K7/226 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C17/28 , H01C17/288 , H04L29/06 , H04L67/02 , H04L69/329
摘要： 반도체 본체의 일부분 이상에 다중 금속층을 갖는 서미스터(thermistor). 서미스터는 제1후막 전극층, 반응성 금속층, 배리어 금속층 및 임의로 전기적 접점과의 부착을 용이하게 하는 층을 포함한다. 또한, 서미스터의 제조 방법이 기술되어 있다.
摘要翻译：一种具有围绕半导体主体的至少一部分的多个金属层的热敏电阻。热敏电阻包括第一厚膜电极层，反应性金属层，阻挡金属层，以及可选地有助于附着到电触头的层。另外，对热敏电阻的制造方法进行说明。

12. 发明授权

KR100241366B1 수지에 의해 피복된 리드 단자를 갖는 전자 부품 失效
标题翻译：带有树脂的引线端子的电子器件
公开(公告)号：KR100241366B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970001771
申请日：1997-01-22
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 가와모토데츠야 , 요시무라다츠야 , 야마시타요시유키
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01B3/421 , H01C1/034 , H01C1/1413
摘要： 본 발명의 전자 부품은 전자 부품 본체와, 이 전자 부품 본체에 형성된 단자 전극과, 이 단자 전극에 각각 도통 가능하게 형성된 리드 단자로 이루어지는 전자 부품 소자와; 이 리드 단자의 외면의 적어도 일부분을 피복하여 이루어지는 코팅 수지 조성물;을 구비한 전자 부품으로서, 상기 코팅 수지 조성물은 수지 성분으로서 유기 용제에 용해 가능한 포화 공중합 폴리에스테르 수지를 사용하고 있으며, 이에 따라 리드 단자의 기계적 강도가 향상하고 부품의 가공이나 실장시에 있어서 부품의 절연성이 악화되지 않는다.

13. 发明授权

KR101646711B1 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：温度传感器元件及其制造方法
公开(公告)号：KR101646711B1
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020140050326
申请日：2014-04-25
申请人： (주) 래트론
发明人： 손재천 , 이충국
IPC分类号： G01K7/16 , G01K7/18 , G01K7/22 , G01K1/08 , G01K1/12
CPC分类号： G01K7/22 , G01K7/18 , H01C1/1413 , H01C7/042 , H01C7/043
摘要： 본발명은온도센서소자에관한것으로서, 상기온도센서소자는온도센서용세라믹소자, 상기온도센서용세라믹소자의제1 면에위치하고있는제1 전극, 상기제1 면의반대편에위치하는상기온도센서용세라믹소자의제2 면에위치하고있는제2 전극, 상기제1 전극과연결되어있는제1 리드선, 그리고상기제2 전극과연결되어있는제2 리드선을포함하는온도센서부, 그리고상기온도센서부를에워싸고있는보호부를포함하고, 상기제1 리드선과상기제2 리드선은각각서로다른물질로이루어진제1 층과제2 층을포함한다. 이때, 전극과연결되어있는리드선전체를백금계물질로형성하는대신백금계물질보다저렴한도전성물질로제1 층을형성하고제2 층에고온에서의산화막형성을방지하는제2 층을형성함에따라리드선의제조비용이감소한다.
摘要翻译：本发明涉及一种温度传感元件，温度传感器元件是位于该第一电极的另一侧的温度传感器，所述第一表面位于所述陶瓷元件用于温度传感器，该陶瓷元件，所述温度传感器的第一表面在位于陶瓷元件的所述第二表面是所述第二电极，连接至所述第一电极的第一引线，并且包括被连接到所述第二电极部分的第二引线的温度传感器，和温度传感器单元，其用于其中，第一引线和第二引线各自包括由不同材料的两层构成的第一层。此时，引线作为低成本的导电材料的形成上升的，而不是形成连接到电极上的铂系材料的整个引线，以形成防止形成在第二层中的高温eseoui氧化物膜的一第二层比基于铂的材料的第一层制造成本降低。

14. 发明公开

KR1020130128403A 세라믹 다층 소자 및 세라믹 다층 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：陶瓷多层成分及陶瓷多层成分的制造方法
公开(公告)号：KR1020130128403A
公开(公告)日：2013-11-26
申请号：KR1020137013152
申请日：2011-10-27
申请人： 에프코스 아게
发明人： 클로이베르,게랄드 , 비스프링호프,게르하르드 , 헤쎄,크리스티앙
IPC分类号： H01C1/14 , H01C7/02 , H01C7/04 , H01C7/18
CPC分类号： H01C7/008 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C7/18 , H01C17/00 , Y10T29/49085
摘要： 세라믹 다층 소자는 층 스택(101)을 포함하고, 층 스택은 복수 개의 세라믹 층들(102, 103, 104)을 포함한다. 다층 소자는 제1 연결 콘택(105) 및 제2 연결 콘택(106), 그리고 제1 내부 전극(107) 및 제2 내부 전극(108)을 포함하고, 내부 전극들은 각각 층 스택(101)의 2개의 층들(102, 103; 103, 104) 사이에 배치된다. 다층 소자는 제1 연결 콘택(105)을 제1 내부 전극(107)과 전기적으로 결합하고 제2 연결 콘택(106)을 제2 내부 전극(108)과 전기적으로 결합하기 위해 제1 비아 전극(109) 및 제2 비아 전극(110)을 포함한다.

15. 发明公开

KR1020130031879A 칩 서미스터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：芯片热敏电阻及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130031879A
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020137000335
申请日：2011-06-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 사이토요 , 야마다고우키 , 쓰치다다이스케
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , H01C1/1413 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/00 , H01C17/006 , Y10T29/49085
摘要： A chip thermistor has a thermistor portion including a ceramic material containing respective metal oxides of Mn, Ni, and Co as major ingredients; a pair of composite portions including a composite material of Ag—Pd, and respective metal oxides of Mn, Ni, and Co and arranged on both sides of the thermistor portion so as to sandwich in the thermistor portion between the composite portions; and external electrodes connected to the pair of composite portions, respectively. In this manner, the pair of composite portions are used as bulk electrodes and, for this reason, the resistance of the chip thermistor can be adjusted mainly with consideration to the resistance in the thermistor portion without need for much consideration to the distance between the external electrodes and other factors.

16. 发明授权

KR101184175B1 세라믹 전자부품 有权
标题翻译：陶瓷电子元件
公开(公告)号：KR101184175B1
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020110072321
申请日：2011-07-21
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 요시다아키히로
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/012 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/30
摘要： 기계적 내구성이 뛰어난 세라믹 전자부품을 제공한다.
세라믹 전자부품(1)은 복수의 제1 보강층(17a)을 구비하고 있다. 복수의 제1 보강층(17a)은 제1 외층부(10B)에 있어서, 길이방향(L) 및 폭방향(W)을 따라 연장되도록 형성되어 있으며, 두께방향(T)을 따라 적층되어 있다. 세라믹 소체(10)의 복수의 제1 보강층(17a)이 마련되어 있는 영역(10F)에서 제1 보강층(17a)이 차지하는 체적비율은, 유효부(10A)에서 제1 및 제2 내부전극(11, 12)이 차지하는 체적비율보다 크다.
摘要翻译：提供了机械耐久性优异的陶瓷电子部件。

17. 发明授权

KR101184150B1 세라믹 전자부품 有权
标题翻译：陶瓷电子元件
公开(公告)号：KR101184150B1
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020110072318
申请日：2011-07-21
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 요시다아키히로
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/12 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/012 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L41/0472
摘要： 기계적 내구성이 뛰어난 세라믹 전자부품을 제공한다.
세라믹 전자부품(1)은 제1 보강층(17a)을 구비하고 있다. 제1 보강층(17a)은 제1 외층부(10B)에, 길이방향(L) 및 폭방향(W)을 따라 형성되어 있다. 제1 보강층(17a)의 일부분은 두께방향(T)에 있어서 제1 및 제2 외부전극(13, 14)의 제1 부분(13a, 14a)과 대향하고 있다. 제1 보강층(17a)은 제1 및 제2 단면(10e, 10f) 중 어느 것에도 노출되어 있지 않다. 제1 주면(10a) 중 제1 또는 제2 외부전극(13, 14)의 제1 부분(13a, 14a)이 마련되어 있는 부분에 있어서, 제1 보강층(17a)과 대향하지 않는 부분은 제1 보강층(17a)과 대향하고 있는 부분보다 두께방향의 중앙쪽에 위치하고 있다.
摘要翻译：提供了机械耐久性优异的陶瓷电子部件。

18. 发明公开

KR1020000028640A 부특성 서미스터 장치 失效
标题翻译： NTC热敏电阻器件
公开(公告)号：KR1020000028640A
公开(公告)日：2000-05-25
申请号：KR1019990037643
申请日：1999-09-06
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 시마다미노루 , 오무라킹고 , 타카오카히데키요 , 야마시타요시유키
IPC分类号： G01K7/22
CPC分类号： H01C1/1413
摘要： PURPOSE: An NTC(Negative Temperature Coefficient) thermistor device is provided to control the generation of Ag3Sn even under a high temperature environment and to prevent a bad influence on ohmic contact of an electrode in a surface of a thermistor element by using a solder material containing Sn as the chief ingredient and Ni of 0.05-1.0 wt percent. CONSTITUTION: A thermistor element have a negative temperature coefficient. An electrode have Ag as the chief ingredient performing ohmic contact with the thermistor element. A conductive terminal is soldered to the electrode by using a solder material. The conductive terminal is made of metal materials not containing Pb, and the solder material contains Sn as the chief ingredient and contains Ni of 0.05¯1.0 wt percent.
摘要翻译：目的：提供一种NTC（负温度系数）热敏电阻器件，用于控制即使在高温环境下Ag3Sn的产生，并且通过使用包含以下的焊料材料来防止对热敏电阻元件的表面中的电极的欧姆接触的不良影响 Sn为主要成分，Ni为0.05-1.0重量％。构成：热敏电阻元件具有负温度系数。电极具有Ag作为与热敏电阻元件欧姆接触的主要成分。导电端子通过使用焊料材料焊接到电极。导电端子由不含Pb的金属材料制成，焊料含有Sn作为主要成分，含有0.05〜1.0重量％的Ni。

19. 发明授权

KR1019920007578B1 고 내열성 SiC박막 더어미스터 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高耐热SiC薄膜加热器及其制造方法
公开(公告)号：KR1019920007578B1
公开(公告)日：1992-09-07
申请号：KR1019890005299
申请日：1989-04-21
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 나가이다께시 , 이또오마사히꼬
IPC分类号： A24D3/00 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/008 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C17/12
摘要： 내용 없음.

20. 发明公开

KR1020160013822A 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：陶瓷电子元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160013822A
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020150105971
申请日：2015-07-27
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 이노우에미츠노리 , 모리토모히코
IPC分类号： H01C7/10 , H01C17/075
CPC分类号： H01G4/30 , C08K3/16 , C08K3/28 , C08K3/30 , C08K2003/309 , C09D133/08 , C09D163/00 , C09D183/04 , C25D5/022 , C25D5/12 , C25D5/34 , H01C1/1406 , H01C1/1413 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C7/10 , H01C17/281 , H01F17/0033 , H01G4/0085 , H01G4/1209 , H01G4/224 , H01G4/232
摘要： 세라믹소자표면에만선택적으로코팅막을형성할수 있는세라믹전자부품및 그제조방법을제공한다. 배리스터(10)는세라믹소자(1)와, 세라믹소자(1)의표면에마련된코팅막(8) 및외부전극(6a, 6b)을포함하고있다. 코팅막(8)은황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산중 적어도 1종의음이온성이온을포함하는수지함유용액을배리스터(10)에부여함으로써, 세라믹소자(1)의세라믹표면에선택적으로형성되어있다. 코팅막(8)은황산, 술폰산, 카르복실산, 인산, 포스폰산, 불산중 적어도 1종의음이온성이온을포함하는수지로형성되어있다.
摘要翻译：本发明提供一种陶瓷电子部件及其制造方法，该陶瓷电子部件及其制造方法只能在陶瓷元件的表面上选择性地形成涂膜。变阻器（10）包括：陶瓷元件（1）; 以及设置在陶瓷元件（1）的表面上的涂膜（8）和外部电极（6a，6b）。通过在硫酸，磺酸，羧酸，磷酸，膦酸和氢氟酸中含有至少一种阴离子离子的含树脂溶液选择性地在陶瓷元件（1）的表面上形成涂膜（8）酸到压敏电阻（10）。涂膜（8）由在硫酸，磺酸，羧酸，磷酸，膦酸和氢氟酸中含有至少一种阴离子离子的树脂制成。

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